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1
제 1 발진 신호를 출력하는 제 1 발진 노드와 제 1 발진 신호와 반대 위상을 가지는 제 2 발진 신호를 출력하는 제 2 발진 노드를 포함하는 발진기; 및기준 신호에 따라 상기 제 1 발진 노드와 상기 제 2 발진 노드 사이에 인젝션 전류를 제공하는 인젝션 회로를 포함하되,상기 인젝션 회로는 상기 기준 신호가 일정한 값을 가지는 경우 전하를 충전하고 상기 기준 신호가 천이하는 경우 충전된 전하를 방전하여 상기 제 1 발진 노드와 상기 제 2 발진 노드 사이에 상기 인젝션 전류를 제공하는 충전 소자를 포함하는 인젝션 고정 발진기
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2
청구항 1에 있어서, 상기 발진기는 링 발진기인 인젝션 고정 발진기
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| 3 |
3
청구항 2에 있어서, 제 1 바이어스 제어 신호에 따라 상기 링 발진기에 바이어스 전류를 제공하는 전류원을 더 포함하는 인젝션 고정 발진기
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4
청구항 1에 있어서, 상기 인젝션 회로는상기 제 1 발진 노드와 상기 제 2 발진 노드 사이에 직렬 연결된 제 1 스위치 및 제 2 스위치;상기 제 1 발진 노드와 상기 제 2 발진 노드 사이에 직렬 연결된 제 3 스위치 및 제 4 스위치; 및상기 제 1 스위치 및 상기 제 2 스위치가 공통 연결된 제 1 노드와 상기 제 3 스위치 및 상기 제 4 스위치가 공통 연결된 제 2 노드 사이에 연결된 상기 충전 소자를 포함하는 인젝션 고정 발진기
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5
청구항 4에 있어서, 상기 제 1 스위치 및 상기 제 4 스위치는 상기 기준 신호 또는 상기 기준 신호로부터 유도된 제 1 인젝션 신호에 의해 제어되고, 상기 제 2 스위치 및 상기 제 3 스위치는 상기 제 1 인젝션 신호와 반대 위상을 가지는 제 2 인젝션 신호에 의해 제어되는 인젝션 고정 발진기
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6
청구항 5에 있어서, 상기 제 1 인젝션 신호는 상기 기준 신호의 듀티비를 1:1로 보정한 신호인 인젝션 고정 발진기
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7
청구항 4에 있어서, 상기 충전 소자는 커패시터이고, 상기 제 1 스위치, 상기 제 2 스위치, 상기 제 3 스위치 및 상기 제 4 스위치는 NMOS 트랜지스터인 인젝션 고정 발진기
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8
제 1 인젝션 신호에 따라 인젝션 전류를 제공하고 제 1 바이어스 제어 신호에 따라 출력 신호의 주파수가 제어되는 인젝션 고정 발진기;제 1 피드백 제어 동작 시 상기 인젝션 전류가 제공되는 제 1 시간 동안 상기 출력 신호의 펄스 폭과 상기 인젝션 전류가 제공되지 않는 제 2 시간 동안 상기 출력 신호의 펄스 폭을 비교하는 펄스폭 비교부; 및상기 제 1 피드백 제어 동작 시 상기 펄스폭 비교부의 비교 결과에 따라 상기 제 1 바이어스 제어 신호를 제어하는 제 1 필터를 포함하는 반도체 장치
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9
청구항 8에 있어서, 상기 펄스폭 비교부는 제 2 피드백 제어 동작 시 상기 인젝션 전류가 제공되지 않는 제 3 시간 및 제 4 시간 동안 상기 출력 신호의 펄스 폭을 비교하는 동작을 더 수행하고, 상기 반도체 장치는 상기 제 2 피드백 제어 동작 시 상기 펄스폭 비교부의 비교 결과에 따라 상기 펄스폭 비교부의 미스매치를 보정하는 제 2 필터를 더 포함하는 반도체 장치
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10
청구항 9에 있어서, 펄스폭 비교부는 제 1 전류원 및 제 2 전류원제 1 커패시터 및 제 2 커패시터;제 1 펄스 신호에 따라 상기 제 1 전류원을 이용하여 상기 제 1 커패시터를 충전하는 제 1 충전 스위치; 제 2 펄스 신호에 따라 상기 제 2 전류원을 이용하여 상기 제 2 커패시터를 충전하는 제 2 충전 스위치;클록 펄스 신호에 따라 상기 제 1 커패시터의 제 1 충전 전압과 상기 제 2 커패시터의 제 2 충전 전압을 비교하는 신호 비교부; 및리셋 펄스 신호에 따라 상기 제 1 커패시터와 상기 제 2 커패시터를 방전하는 제 1 방전 스위치 및 제 2 방전 스위치를 포함하는 반도체 장치
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11
청구항 10에 있어서, 상기 출력 신호를 분주하는 제 1 분주부;상기 출력 신호를 카운팅하는 카운터; 및상기 카운터의 출력에 따라 상기 제 1 분주부의 출력 또는 상기 제 1 분주부의 출력을 반전한 신호를 상기 제 1 펄스 신호, 상기 제 2 펄스 신호, 상기 클록 펄스 신호 또는 상기 리셋 클록 펄스 신호로 제공하는 제 1 선택부를 더 포함하는 반도체 장치
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12
청구항 10에 있어서, 상기 제 2 필터는 상기 제 1 전류원 또는 상기 제 2 전류원을 제어하는 제 2 바이어스 제어 신호를 출력하는 반도체 장치
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13
청구항 8에 있어서, 기준 신호의 듀티비를 보정하여 상기 제 1 인젝션 신호를 제공하는 듀티비 보정부를 더 포함하는 반도체 장치
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14
청구항 13에 있어서,상기 출력 신호를 분주하는 제 2 분주부;상기 듀티비 보정부의 출력과 상기 제 2 분주부의 출력의 위상 및 주파수를 비교하는 위상 주파수 비교부; 및위상 고정 동작 여부에 따라 상기 펄스폭 비교부의 출력 또는 상기 위상 주파수 비교부의 출력을 선택하여 상기 제 1 필터에 제공하는 제 2 선택부를 더 포함하되,상기 제 1 필터는 위상 고정 동작 시 상기 위상 주파수 비교부의 출력에 따라 상기 제 1 바이어스 제어 신호를 출력하는 반도체 장치
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15
청구항 8에 있어서, 상기 인젝션 고정 발진기는 제 1 발진 신호를 출력하는 제 1 발진 노드와 제 1 발진 신호와 반대 위상을 가지는 제 2 발진 신호를 출력하는 제 2 발진 노드를 포함하는 발진기; 및상기 제 1 인젝션 신호에 따라 상기 제 1 발진 노드와 상기 제 2 발진 노드 사이에 인젝션 전류를 제공하는 인젝션 회로를 포함하되,상기 인젝션 회로는 상기 제 1 인젝션 신호가 일정한 값을 가지는 경우 전하를 충전하고 상기 제 1 인젝션 신호가 천이하는 경우 충전된 전하를 방전하여 상기 제 1 발진 노드와 상기 제 2 발진 노드 사이에 상기 인젝션 전류를 제공하는 충전 소자를 포함하는 반도체 장치
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16
청구항 15에 있어서, 상기 발진기는 링 발진기인 반도체 장치
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17
청구항 16에 있어서, 상기 제 1 바이어스 제어 신호에 따라 상기 링 발진기에 바이어스 전류를 제공하는 전류원을 더 포함하는 반도체 장치
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18
청구항 15에 있어서, 상기 인젝션 회로는상기 제 1 발진 노드와 상기 제 2 발진 노드 사이에 직렬 연결된 제 1 스위치 및 제 2 스위치;상기 제 1 발진 노드와 상기 제 2 발진 노드 사이에 직렬 연결된 제 3 스위치 및 제 4 스위치; 및상기 제 1 스위치 및 상기 제 2 스위치가 공통 연결된 제 1 노드와 상기 제 3 스위치 및 상기 제 4 스위치가 공통 연결된 제 2 노드 사이에 연결된 상기 충전 소자를 포함하는 반도체 장치
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19
청구항 18에 있어서, 상기 제 1 스위치 및 상기 제 4 스위치는 상기 제 1 인젝션 신호에 의해 제어되고, 상기 제 2 스위치 및 상기 제 3 스위치는 상기 제 1 인젝션 신호와 반대 위상을 가지는 제 2 인젝션 신호에 의해 제어되는 반도체 장치
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20
청구항 19에 있어서, 상기 충전 소자는 커패시터이고, 상기 제 1 스위치, 상기 제 2 스위치, 상기 제 3 스위치 및 상기 제 4 스위치는 NMOS 트랜지스터인 반도체 장치
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