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두 지점 전류 방식 감지를 이용하여 스닉 전류를 상쇄하는 크로스바 저항 메모리 및 그 읽기 방법(Crossbar RRAM with Sneak Current Cancellation Based on a Two-Port Current-Mode Sensing and Readout Method thereof)
- 기술번호 : KST2018000112
- 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
- 전화번호 : 02-2155-3662
| 요약 | 본 발명은 크로스바 저항메모리와 그 읽기 방법에 있어서, 저장된 데이터를 읽기 위하여 선택된 셀의 비트 라인에서 감지하는 전류('주 감지 전류'; IMAIN,2P)에 포함된 스닉 전류의 영향을 상쇄시킨 후 상기 선택된 셀에 저장된 데이터를 결정하는 과정을 포함하되, 상기 상쇄는, 상기 선택된 셀의 비트 라인과 교차하는 워드 라인의 어레이 중 상기 선택된 셀의 워드 라인과는 다른 워드 라인에서 감지한 전류('보상 감지 전류'; ICOMP)를 이용하여 수행되는 것을 특징으로 한다. |
|---|---|
| Int. CL | G11C 13/00 (2016.07.27) H01L 45/00 (2016.07.27) |
| CPC | G11C 13/004(2013.01) G11C 13/004(2013.01) G11C 13/004(2013.01) G11C 13/004(2013.01) |
| 출원번호/일자 | 1020160079540 (2016.06.24) |
| 출원인 | 서울대학교산학협력단 |
| 등록번호/일자 | |
| 공개번호/일자 | 10-2018-0001025 (2018.01.04) 문서열기 |
| 공고번호/일자 | 문서열기 |
| 국제출원번호/일자 | |
| 국제공개번호/일자 | |
| 우선권정보 | |
| 법적상태 | 등록 |
| 심사진행상태 | 수리 |
| 심판사항 | |
| 구분 | 신규 |
| 원출원번호/일자 | |
| 관련 출원번호 | |
| 심사청구여부/일자 | Y (2016.06.24) |
| 심사청구항수 | 28 |
출원인
| 번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
|---|---|---|---|
| 1 | 서울대학교산학협력단 | 대한민국 | 서울특별시 관악구 |
발명자
| 번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
|---|---|---|---|
| 1 | 배우람 | 대한민국 | 서울시 동작구 |
| 2 | 윤경진 | 대한민국 | 서울시 동작구 |
| 3 | 정덕균 | 대한민국 | 서울특별시 관악구 |
| 4 | 황철성 | 대한민국 | 서울특별시 관악구 |
대리인
| 번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
|---|---|---|---|
| 1 | 민병준 | 대한민국 | 서울특별시 강남구 테헤란로*길 **-* (역삼동) 신도빌딩 *층(태산국제특허법률사무소) |
| 2 | 특허법인태산 | 대한민국 | 서울특별시 강남구 테헤란로 *길 **-* 신도빌딩 *층(역삼동 ***-**) |
최종권리자
| 번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
|---|---|---|---|
| 1 | 서울대학교산학협력단 | 서울특별시 관악구 |
| 번호 | 서류명 | 접수/발송일자 | 처리상태 | 접수/발송번호 |
|---|---|---|---|---|
| 1 | [특허출원]특허출원서 [Patent Application] Patent Application |
2016.06.24 | 수리 (Accepted) | 1-1-2016-0614157-94 |
| 2 | [복대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서 [Appointment of Sub-agent] Report on Agent (Representative) |
2017.04.17 | 불수리 (Non-acceptance) | 1-1-2017-0371125-90 |
| 3 | 서류반려이유통지서 Notice of Reason for Return of Document |
2017.04.19 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 1-5-2017-0053925-11 |
| 4 | [복대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서 [Appointment of Sub-agent] Report on Agent (Representative) |
2017.04.27 | 1-1-2017-0414944-19 | |
| 5 | [반려요청]서류반려요청(반환신청)서 [Request for Return] Request for Return of Document |
2017.05.02 | 수리 (Accepted) | 1-1-2017-0430288-30 |
| 6 | [반환신청]서류반려요청(반환신청)서 |
2017.05.02 | 수리 (Accepted) | 1-1-2017-0426882-02 |
| 7 | [복대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서 [Appointment of Sub-agent] Report on Agent (Representative) |
2017.05.02 | 수리 (Accepted) | 1-1-2017-0425981-45 |
| 8 | 서류반려통지서 Notice for Return of Document |
2017.05.08 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 1-5-2017-0061656-77 |
| 9 | 의견제출통지서 Notification of reason for refusal |
2017.12.12 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2017-0871906-72 |
| 10 | [명세서등 보정]보정서 [Amendment to Description, etc.] Amendment |
2018.02.12 | 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) | 1-1-2018-0151238-81 |
| 11 | [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서 [Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation) |
2018.02.12 | 수리 (Accepted) | 1-1-2018-0151296-18 |
| 12 | 등록결정서 Decision to grant |
2018.06.28 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2018-0440897-96 |
| 13 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2019.05.13 | 수리 (Accepted) | 4-1-2019-5093546-10 |
| 14 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2019.05.23 | 수리 (Accepted) | 4-1-2019-5101798-31 |
| 15 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2019.08.02 | 수리 (Accepted) | 4-1-2019-5154561-59 |
| 16 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2020.11.25 | 수리 (Accepted) | 4-1-2020-5265458-48 |
| 번호 | 청구항 |
|---|---|
| 1 |
1 크로스바 저항메모리에 있어서,선택된 셀의 비트 라인에 제 1 감지 전압을 인가하여 상기 제 1 감지 전압이 인가된 지점으로 흐르는 전류(이하, '주 감지 전류'라 한다)와, 상기 선택된 셀의 비트 라인과 교차하는 워드 라인의 어레이 중에서 상기 선택된 셀의 워드 라인과는 다른 워드 라인에 제 2 감지 전압을 인가하여 상기 제 2 감지 전압이 인가된 지점으로 흐르는 전류(이하, '보상 감지 전류'라 한다)를 입력받으며, 상기 주 감지 전류 및 상기 보상 감지 전류를 이용하여 상기 선택된 셀에 저장된 데이터를 결정하는 읽기 블록;을 포함하는,것을 특징으로 하는 크로스바 저항메모리 |
| 2 |
2 청구항 1에 있어서,상기 제 1 감지 전압과 상기 제 2 감지 전압은 동일한,것을 특징으로 하는 크로스바 저항메모리 |
| 3 |
3 청구항 1에 있어서,상기 선택된 셀의 워드 라인과 상기 선택된 셀의 워드 라인과는 다른 워드 라인은 동일 층에 있는,것을 특징으로 하는 크로스바 저항메모리 |
| 4 |
4 청구항 1에 있어서, 상기 선택된 셀이 속하는 크로스바 어레이에서, 상기 선택된 셀의 워드 라인과 상기 제 2 감지 전압이 인가되는 워드 라인을 제외한 나머지 워드 라인은 플로팅되며,상기 선택된 셀이 속하는 크로스바 어레이에서, 상기 선택된 셀의 비트 라인을 제외한 나머지 비트라인은 플로팅되는, 것을 특징으로 하는 크로스바 저항메모리 |
| 5 |
5 크로스바 저항메모리에 있어서,선택된 셀의 비트 라인에서 감지하는 전류(이하, '주 감지 전류'라 한다)에 포함된 스닉 전류의 영향을 상쇄시킨 후 상기 선택된 셀에 저장된 데이터를 결정하는 읽기 블록;을 포함하되,상기 상쇄는, 상기 선택된 셀의 비트 라인과 교차하는 워드 라인의 어레이 중에서 상기 선택된 셀의 워드 라인과는 다른 워드 라인에서 감지한 전류(이하, '보상 감지 전류'라 한다)를 이용하여 수행되는 것을 특징으로 하는 크로스바 저항메모리 |
| 6 |
6 크로스바 저항메모리에 있어서,선택된 셀의 비트 라인에서 감지하는 전류(이하, '주 감지 전류'라 한다)와, 상기 선택된 셀의 비트 라인과 교차하는 워드 라인의 어레이 중에서 상기 선택된 셀의 워드 라인과는 다른 워드 라인에서 감지한 전류(이하, '보상 감지 전류'라 한다)를 이용하여, 상기 선택된 셀에 저장된 데이터를 결정하는 읽기 블록;을 포함하는,것을 특징으로 하는 크로스바 저항메모리 |
| 7 |
7 청구항 1, 청구항 5 또는 청구항 6 중 어느 한 항에 있어서,상기 읽기 블록은,상기 보상 감지 전류를 상수의 배율만큼 증폭한 증폭 전류를 출력하는 전류 증폭부;를 포함하는,것을 특징으로 하는 크로스바 저항메모리 |
| 8 |
8 청구항 7에 있어서,상기 전류 증폭부는,상기 보상 감지 전류가 드레인-소스 경로를 통하여 흐르도록 연결되는 제 1 MOS 트랜지스터;상기 제 1 MOS 트랜지스터의 게이트에 그 게이트가 연결되고 드레인-소스 경로를 통하여 상기 증폭 전류가 흐르는 제 2 MOS 트랜지스터;출력 단자에 상기 제 1 MOS 트랜지스터 및 상기 제 2 MOS 트랜지스터의 게이트가 연결되고 + 입력 단자에 상기 제 1 MOS 트랜지스터의 드레인이 연결되며 - 입력 단자에 정전압이 인가되는 증폭기;를 포함하는,것을 특징으로 하는 크로스바 저항메모리 |
| 9 |
9 청구항 8에 있어서,상기 정전압은,상기 제 1 MOS 트랜지스터 및 상기 제 2 MOS 트랜지스터의 게이트-오버드라이브 전압보다 큰,것을 특징으로 하는 크로스바 저항메모리 |
| 10 |
10 청구항 7에 있어서,상기 상수는,상기 선택된 셀이 속하는 크로스바 어레이에서 워드 라인의 갯수(M)에 의해서 설정되거나,상기 선택된 셀이 속하는 크로스바 어레이에서 워드 라인의 갯수(M)와 비트 라인의 갯수(N)에 의해서 설정되는, 것을 특징으로 하는 크로스바 저항메모리 |
| 11 |
11 청구항 7에 있어서,상기 읽기 블록은,기준 전류를 생성하는 기준 전류 생성부; 및상기 주 감지 전류를 복사한 미러 전류를 출력하는 전류 미러부;를 더 포함하는것을 특징으로 하는 크로스바 저항메모리 |
| 12 |
12 청구항 11에 있어서,상기 전류 미러부는,상기 주 감지 전류가 드레인-소스 경로를 통하여 흐르도록 연결되는 제 1 MOS 트랜지스터;상기 제 1 MOS 트랜지스터의 게이트에 그 게이트가 연결되고 드레인-소스 경로를 통하여 상기 미러 전류가 흐르는 제 2 MOS 트랜지스터;출력 단자에 상기 제 1 MOS 트랜지스터 및 상기 제 2 MOS 트랜지스터의 게이트가 연결되고 + 입력 단자에 상기 제 1 MOS 트랜지스터의 드레인이 연결되며 - 입력 단자에 정전압이 인가되는 증폭기;를 포함하는,것을 특징으로 하는 크로스바 저항메모리 |
| 13 |
13 청구항 11에 있어서,상기 증폭 전류와 상기 기준 전류를 더한 합산 전류와 상기 미러 전류를 비교한 결과를 출력하는 센스 앰프;를 더 포함하는것을 특징으로 하는 크로스바 저항메모리 |
| 14 |
14 청구항 13에 있어서,상기 센스 앰프는,상보형 출력 노드에 전하를 프리차지하는 프리차지용 MOS 트랜지스터;상기 상보형 출력 노드에 축적된 전하를 상기 미러 전류 및 상기 합산 전류로써 각각 디스차지하는 경로를 개폐하는 게이팅용 MOS 트랜지스터;상기 상보형 출력 노드 사이의 전위차에 정궤환을 부여하는 정궤환용 MOS 트랜지스터;를 포함하는,것을 특징으로 하는 크로스바 저항메모리 |
| 15 |
15 청구항 13에 있어서,상기 센스 앰프는,상기 미러 전류 및 상기 합산 전류가 각각 드레인-소스 경로를 통해 흐르고 게이트에 읽기 인에이블 신호를 입력받는 제 1 NMOS 트랜지스터 및 제 2 NMOS 트랜지스터; 및상기 제 1 NMOS 트랜지스터 및 상기 제 2 NMOS 트랜지스터의 드레인에 그 소스가 각각 접속되는 제 3 NMOS 트랜지스터 및 제 4 NMOS 트랜지스터 ;를 포함하며,상기 제 3 NMOS 트랜지스터의 게이트는 상기 제 4 NMOS 트랜지스터의 드레인에 연결되고, 상기 제 4 NMOS 트랜지스터의 게이트는 상기 제 3 NMOS 트랜지스터의 드레인에 연결되는,것을 특징으로 하는 크로스바 저항메모리 |
| 16 |
16 청구항 1, 청구항 5 또는 청구항 6 중 어느 한 항에 있어서,상기 크로스바 저항메모리의 각 셀은 1-셀렉터와 1-저항의 구조인,것을 특징으로 하는 크로스바 저항메모리 |
| 17 |
17 청구항 5 또는 청구항 6에 있어서,상기 선택된 셀의 워드 라인에는 읽기 전압이 인가되며,상기 선택된 셀의 비트 라인에는 제 1 감지 전압이 인가되고, 상기 선택된 셀의 워드 라인과는 다른 워드 라인에는 제 2 감지 전압이 인가되며,상기 선택된 셀이 속하는 크로스바 어레이에서 나머지 비트 라인과 나머지 워드 라인은 플로팅되는,것을 특징으로 하는 크로스바 저항메모리 |
| 18 |
18 청구항 17에 있어서,상기 제 1 감지 전압과 상기 제 2 감지 전압은 동일하고 상기 읽기 전압은 상기 제 1 감지 전압 및 상기 제 2 감지 전압과는 다른 전압이어서 전위차를 가지는,것을 특징으로 하는 크로스바 저항메모리 |
| 19 |
19 크로스바 저항메모리의 읽기 방법에 있어서,저장된 데이터를 읽기 위하여 선택된 셀의 비트 라인에서 감지하는 전류(이하, '주 감지 전류'라 한다)에 포함된 스닉 전류의 영향을 상쇄시킨 후 상기 선택된 셀에 저장된 데이터를 결정하는 과정을 포함하되,상기 상쇄는, 상기 선택된 셀의 비트 라인과 교차하는 워드 라인의 어레이 중 상기 선택된 셀의 워드 라인과는 다른 워드 라인에서 감지한 전류(이하, '보상 감지 전류'라 한다)를 이용하여 수행되는 것을 특징으로 하는 크로스바 저항메모리의 읽기 방법 |
| 20 |
20 청구항 19에 있어서,상기 스닉전류는 상기 보상 감지 전류의 상수배로 간주하여 상기 스닉 전류의 영향을 상쇄하는,것을 특징으로 하는 크로스바 저항메모리의 읽기 방법 |
| 21 |
21 청구항 19에 있어서,상기 스닉전류는 상기 보상 감지 전류에 정비례하는 것으로 간주하여 상기 스닉 전류의 영향을 상쇄하는,것을 특징으로 하는 크로스바 저항메모리의 읽기 방법 |
| 22 |
22 크로스바 저항메모리의 읽기 방법에 있어서,저장된 데이터를 읽기 위하여 선택된 셀의 비트 라인에서 감지하는 전류(이하, '주 감지 전류'라 한다)와, 상기 선택된 셀의 비트 라인과 교차하는 워드 라인의 어레이 중 상기 선택된 셀의 워드 라인과는 다른 워드 라인에서 감지한 전류(이하, '보상 감지 전류'라 한다)를 이용하여, 상기 선택된 셀에 저장된 데이터를 결정하는 과정을 포함하는,것을 특징으로 하는 크로스바 저항메모리의 읽기 방법 |
| 23 |
23 청구항 22에 있어서,상기 결정은,상기 주 감지 전류와 기준 전류를 비교하되,상기 주 감지 전류에서, 상기 보상 감지 전류를 설정된 상수의 배율만큼 증폭한 증폭 전류만큼 상쇄하고 나서 비교하는 것으로써 수행되는,것을 특징으로 하는 크로스바 저항메모리의 읽기 방법 |
| 24 |
24 청구항 23에 있어서,상기 상쇄는,상기 증폭 전류를 상기 기준 전류에 더하는 것이거나,상기 증폭 전류를 상기 주 감지 전류에 빼는 것인,것을 특징으로 하는 크로스바 저항메모리의 읽기 방법 |
| 25 |
25 청구항 19 또는 청구항 22에 있어서,상기 보상 감지 전류를 이용함에 있어서,상기 보상 감지 전류를 설정된 상수의 배율 만큼 증폭시키는 과정을 포함하는,것을 특징으로 하는 크로스바 저항메모리의 읽기 방법 |
| 26 |
26 청구항 25에 있어서,상기 상수는,상기 선택된 셀이 속하는 크로스바 어레이에서 워드 라인의 갯수(M)에 의해서 설정되거나,상기 선택된 셀이 속하는 크로스바 어레이에서 워드 라인의 갯수(M)와 비트 라인의 갯수(N)에 의해서 설정되는, 것을 특징으로 하는 크로스바 저항메모리의 읽기 방법 |
| 27 |
27 청구항 19 또는 청구항 22에 있어서,상기 선택된 셀의 워드 라인에는 읽기 전압이 인가되며,상기 선택된 셀의 비트 라인에는 제 1 감지 전압이 인가되고, 상기 선택된 셀의 워드 라인과는 다른 워드 라인에는 제 2 감지 전압이 인가되며, 상기 선택된 셀이 속하는 크로스바 어레이에서 나머지 비트 라인과 나머지 워드 라인은 플로팅되는,것을 특징으로 하는 크로스바 저항메모리의 읽기 방법 |
| 28 |
28 청구항 27에 있어서,상기 제 1 감지 전압과 상기 제 2 감지 전압은 동일한,것을 특징으로 하는 크로스바 저항메모리의 읽기 방법 |
| 지정국 정보가 없습니다 |
|---|
| 패밀리정보가 없습니다 |
|---|
| 국가 R&D 정보가 없습니다. |
|---|
| 등록사항 정보가 없습니다 |
|---|
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| 번호 | 서류명 | 접수/발송일자 | 처리상태 | 접수/발송번호 |
|---|---|---|---|---|
| 1 | [특허출원]특허출원서 | 2016.06.24 | 수리 (Accepted) | 1-1-2016-0614157-94 |
| 2 | [복대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서 | 2017.04.17 | 불수리 (Non-acceptance) | 1-1-2017-0371125-90 |
| 3 | 서류반려이유통지서 | 2017.04.19 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 1-5-2017-0053925-11 |
| 4 | [복대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서 | 2017.04.27 | 1-1-2017-0414944-19 | |
| 5 | [반려요청]서류반려요청(반환신청)서 | 2017.05.02 | 수리 (Accepted) | 1-1-2017-0430288-30 |
| 6 | [반환신청]서류반려요청(반환신청)서 | 2017.05.02 | 수리 (Accepted) | 1-1-2017-0426882-02 |
| 7 | [복대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서 | 2017.05.02 | 수리 (Accepted) | 1-1-2017-0425981-45 |
| 8 | 서류반려통지서 | 2017.05.08 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 1-5-2017-0061656-77 |
| 9 | 의견제출통지서 | 2017.12.12 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2017-0871906-72 |
| 10 | [명세서등 보정]보정서 | 2018.02.12 | 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) | 1-1-2018-0151238-81 |
| 11 | [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서 | 2018.02.12 | 수리 (Accepted) | 1-1-2018-0151296-18 |
| 12 | 등록결정서 | 2018.06.28 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2018-0440897-96 |
| 13 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2019.05.13 | 수리 (Accepted) | 4-1-2019-5093546-10 |
| 14 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2019.05.23 | 수리 (Accepted) | 4-1-2019-5101798-31 |
| 15 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2019.08.02 | 수리 (Accepted) | 4-1-2019-5154561-59 |
| 16 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2020.11.25 | 수리 (Accepted) | 4-1-2020-5265458-48 |
| 기술정보가 없습니다 |
|---|
| 과제정보가 없습니다 |
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