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실리콘의 마이크로파 손실 개선 방법(Method for reducing microwave loss of silicon)

  • 기술번호 : KST2018000120
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 고비저항(high-resistivity) 실리콘 결정에 중성자를 조사하는 단계를 포함하는, 실리콘의 마이크로파 손실 개선방법 및 이에 의해 마이크로파 손실이 개선된 고비저항 실리콘 결정을 포함하는 마이크로파 기판 및 소자를 제공한다.본 발명에 따른 실리콘의 마이크로파 손실 개선방법에 의하면, 고비저항 n형 실리콘에 중성자를 조사해 실리콘 결정 내의 도펀트(dopant) 농도 감소를 통해 동결(freeze-out) 효과가 나타나는 영역을 완전히 제거시킴으로써, 50K에서의 마이크로파 손실이 105배 이상 개선되는 등 실리콘의 저온 마이크로파 소자 등으로서의 응용성을 현격히 향상시킬 수 있다.
Int. CL H01L 21/322 (2016.09.08) H01L 21/02 (2016.09.08) H01P 7/06 (2016.09.08) H01L 21/822 (2016.09.08)
CPC H01L 21/3221(2013.01) H01L 21/3221(2013.01) H01L 21/3221(2013.01) H01L 21/3221(2013.01)
출원번호/일자 1020160082593 (2016.06.30)
출원인 건국대학교 산학협력단, 한국원자력연구원, 서울대학교산학협력단
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2018-0003137 (2018.01.09) 문서열기
공고번호/일자 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2016.06.30)
심사청구항수 3

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 건국대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 광진구
2 한국원자력연구원 대한민국 대전광역시 유성구
3 서울대학교산학협력단 대한민국 서울특별시 관악구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 이상영 대한민국 경기도 성남시 분당구
2 정호상 대한민국 서울특별시 강동구
3 박병우 대한민국 서울특별시 강남구
4 조만순 대한민국 대전광역시 유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 김정수 대한민국 서울시 송파구 올림픽로 ***(방이동) *층(이수국제특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 건국대학교 산학협력단 서울특별시 광진구
2 한국원자력연구원 대전광역시 유성구
3 서울대학교산학협력단 서울특별시 관악구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2016.06.30 수리 (Accepted) 1-1-2016-0634855-13
2 보정요구서
Request for Amendment
2016.07.08 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2016-0104323-97
3 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment
2016.08.05 수리 (Accepted) 1-1-2016-0764686-53
4 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2017.06.12 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
5 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2017.07.20 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-6-2017-0118403-80
6 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2017.08.14 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2017-0563949-33
7 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2017.10.16 수리 (Accepted) 1-1-2017-1016672-94
8 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2017.11.14 수리 (Accepted) 1-1-2017-1131353-54
9 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2017.11.14 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2017-1131354-00
10 등록결정서
Decision to grant
2018.03.29 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2018-0217863-79
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.05.13 수리 (Accepted) 4-1-2019-5093546-10
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.05.23 수리 (Accepted) 4-1-2019-5101798-31
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.08.02 수리 (Accepted) 4-1-2019-5154561-59
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.11.25 수리 (Accepted) 4-1-2020-5265458-48
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
미도핑된 n형 실리콘(undoped n-type silicon)으로 이루어지는 고비저항(high-resistivity) 실리콘 결정에 고속 중성자(fast neutron)를 조사하는 단계를 포함하며,상기 고속 중성자를 조사하는 단계를 통해, 상기 실리콘 결정 내의 도펀트(dopant)에 의한 동결 효과(freeze-out effect)를 제거해 마이크로파 손실을 감소시키는 것을 특징으로 하는 실리콘의 마이크로파 손실 개선방법
2 2
제1항에 있어서,상기 고비저항 실리콘 결정은 1 kΩ·cm 이상의 비저항을 가지는 것을 특징으로 하는 실리콘의 마이크로파 손실 개선방법
3 3
삭제
4 4
삭제
5 5
삭제
6 6
제1항 또는 제2항에 기재된 방법에 따라 마이크로파 손실이 개선된 고비저항 실리콘 결정을 포함하는 마이크로파 소자
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
순번, 연구부처, 주관기관, 연구사업, 연구과제의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 국가R&D 연구정보 정보 표입니다.
순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 미래창조과학부 건국대학교 산학협력단 (구)기본연구지원사업 초전도공진기를 이용한 초전도 큐빗을 포함하는 저온소자 및 소재의 특성평가 및 개선 방안 연구
2 교육과학기술부 건국대학교 산학협력단 원자력연구개발사업 - 원자력연구기반확충사업 - 대형연구시설공동이용활성화지원분야 중성자 조사된 실리콘 카바이드 (SiC) 결정체의 저온에서의 마이크로파유전손실 변화 연구