| 1 |
1
혼합용액에서 타이타늄 기판을 1차 양극산화하여 상기 타이타늄 기판 상에 나노튜브 형태의 타이타늄 산화막을 형성하는 단계(제1단계);산이 용해된 전해액에 상기 나노튜브 형태의 타이타늄 산화막이 형성된 타이타늄 기판을 담지한 후 2차 양극산화를 수행하여 나노튜브 하부에 배리어 형태의 산화막을 형성하는 단계(제2단계); 및 상기 2차 양극산화로 생성된 타이타늄 산화막을 소수성 처리하는 단계(제3단계)를 포함하는, 내지문 특성을 가지고 있는 장식용 타이타늄 산화막 제조 방법
|
| 2 |
2
청구항 1에 있어서,상기 혼합용액은,0
|
| 3 |
3
청구항 1에 있어서,상기 제1단계는,혼합용액에서 타이타늄 기판을 10 내지 20 V의 전압으로 2 내지 4시간 동안 양극산화하는 것을 특징으로 하는, 내지문 특성을 가지고 있는 장식용 타이타늄 산화막 제조 방법
|
| 4 |
4
청구항 1에 있어서,상기 산은,황산, 인산, 및 옥살산으로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나인 것을 특징으로 하는, 내지문 특성을 가지고 있는 장식용 타이타늄 산화막 제조 방법
|
| 5 |
5
청구항 1에 있어서,상기 산은,0
|
| 6 |
6
청구항 1에 있어서,상기 제2단계는,산이 용해된 전해액에 상기 나노튜브 형태의 타이타늄 산화막이 형성된 타이타늄 기판을 담지한 후 10 내지 120 V의 전압으로 30초 내지 90초 동안 양극산화를 수행하는 것을 특징으로 하는, 내지문 특성을 가지고 있는 장식용 타이타늄 산화막 제조 방법
|
| 7 |
7
청구항 6에 있어서,상기 제2단계는,30 내지 120 V의 전압으로 양극산화를 수행하는 것을 특징으로 하는, 내지문 특성을 가지고 있는 장식용 타이타늄 산화막 제조 방법
|
| 8 |
8
청구항 1에 있어서,상기 제3단계는,2차 양극산화로 생성된 타이타늄 산화막을 120 내지 180 μM의 옥타데실포스포닉산(Octadecylphosphonic acid)의 테트라하이드로퓨란(tetrahydrofuran) 용액에서 20 내지 24시간 동안 담지하여 소수성 처리하는 것을 특징으로 하는, 내지문 특성을 가지고 있는 장식용 타이타늄 산화막 제조 방법
|
