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딤플 패턴을 포함하는 탄소막의 제조방법 및 이에 의해 제조된 딤플 패턴을 포함하는 탄소막(Method for manufacturing carbon layer comprising dimple pattern and carbon layer manufactured by the method)

  • 기술번호 : KST2018000195
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 탄화물 세라믹스의 표면에 딤플 형태의 패턴을 형성한 후에 탄소막을 형성함으로써 내마모성, 기재와의 밀착력 및 마찰 특성 등이 향상된 탄소막을 제조하는 방법 및 이에 의해 제조된 탄소막에 관한 것이다.본 발명에 따라 제조된 딤플 패턴을 포함하는 탄소막은 고분자 물질의 코팅 혹은 탄소계열 물질의 코팅과 같이 다양한 분야에 적용이 가능하며, 특히 우수한 기계적 특성이 요구되는 슬라이딩 부품, 기계밀봉(mechanical seal), 피스톤 링 및 압축기의 베인과 같은 기계 부품의 코팅에 유용하게 사용될 수 있다.
Int. CL C04B 41/45 (2016.08.04) C04B 41/50 (2016.08.04)
CPC C04B 41/455(2013.01) C04B 41/455(2013.01) C04B 41/455(2013.01)
출원번호/일자 1020160082482 (2016.06.30)
출원인 고려대학교 산학협력단
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2018-0003096 (2018.01.09) 문서열기
공고번호/일자 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2016.06.30)
심사청구항수 7

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 고려대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 성북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 임대순 대한민국 서울특별시 강남구
2 김태현 대한민국 대구광역시 수성구
3 이응석 대한민국 대구광역시 서구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 정은열 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로**길 **, ***호(정앤김특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 고려대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 성북구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2016.06.30 수리 (Accepted) 1-1-2016-0634381-73
2 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment
2016.07.01 수리 (Accepted) 1-1-2016-0637321-69
3 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2017.05.12 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
4 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2017.08.10 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-6-2017-0120042-04
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2017.08.16 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2017-0566377-42
6 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2017.10.16 수리 (Accepted) 1-1-2017-1013729-83
7 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2017.11.15 수리 (Accepted) 1-1-2017-1134160-64
8 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2017.12.18 수리 (Accepted) 1-1-2017-1258261-41
9 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2018.01.16 수리 (Accepted) 1-1-2018-0049423-16
10 지정기간연장 관련 안내서
Notification for Extension of Designated Period
2018.01.19 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2018-0012513-54
11 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2018.02.19 수리 (Accepted) 1-1-2018-0169894-77
12 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2018.02.19 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2018-0169893-21
13 거절결정서
Decision to Refuse a Patent
2018.04.19 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2018-0269748-89
14 [법정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
2018.05.18 수리 (Accepted) 1-1-2018-0491687-42
15 법정기간연장승인서
2018.05.28 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2018-0080314-03
16 [명세서등 보정]보정서(재심사)
Amendment to Description, etc(Reexamination)
2018.06.18 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2018-0596102-40
17 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2018.06.18 수리 (Accepted) 1-1-2018-0596103-96
18 등록결정서
Decision to Grant Registration
2018.07.12 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2018-0474402-51
19 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.10.10 수리 (Accepted) 4-1-2019-5210941-09
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번호 청구항
1 1
딤플 패턴을 포함하는 탄소막의 제조방법에 있어서,(a) 탄화물 세라믹스의 표면에 레이저를 조사하여 딤플 형태의 패턴을 형성하는 단계;(b) 상기 딤플 형태의 패턴이 형성된 탄화물 세라믹스에 할로겐 가스를 주입하고 반응시켜 탄화물 세라믹스로부터 유도된 탄소막을 제조하는 단계; 및(c) 상기 탄소막에 수소 가스를 주입하여 잔류 염기화합물을 제거하는 단계;를 포함하고,상기 딤플 형태의 패턴은 다수의 딤플이 서로 이격된 형태이며,상기 딤플은 반구형의 홈 형태로 형성되고, 상기 다수의 딤플은 서로 격자 형태로 배열되며,상기 딤플의 직경은 50 내지 200 ㎛이고, 상기 딤플의 깊이는 20 내지 60 ㎛이며,서로 이웃한 상기 딤플들의 중심 간 간격을 조절함으로써 탄소막의 마찰계수 및 마모율을 조절하고,서로 이웃한 상기 딤플들의 중심 간 간격은 상기 딤플 직경의 2 내지 5배인 것을 특징으로 하는 딤플 패턴을 포함하는 탄소막의 제조방법
2 2
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3 3
삭제
4 4
삭제
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제1항에 있어서,상기 탄화물 세라믹스는 MexCy(이때, x, y는 1 내지 6의 정수)이고,상기 Me는 Si, Ti, W, Fe, B 및 이들의 합금으로 이루어진 군에서 선택되는 어느 하나 이상인 것을 특징으로 하는 딤플 패턴을 포함하는 탄소막의 제조방법
6 6
제1항에 있어서,상기 할로겐 가스는 염소가스, 불소가스, 브롬가스 및 요오드 가스로 이루어진 군에서 선택되는 것을 특징으로 하는 딤플 패턴을 포함하는 탄소막의 제조방법
7 7
제1항에 있어서,상기 (b) 단계는 500-1500 ℃의 온도에서 0
8 8
제1항 및 제5항 내지 제7항 중 어느 한 항에 따라 제조된 딤플 패턴을 포함하는 탄소막
9 9
제8항에 있어서,상기 탄소막의 두께는 20 내지 40 ㎛인 것을 특징으로 하는 딤플 패턴을 포함하는 탄소막
10 10
제8항에 있어서,상기 탄소막의 마찰계수는 0
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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 US20180016194 US 미국 FAMILY

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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 US2018016194 US 미국 DOCDBFAMILY
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 산업자원부 한양대학교 산학협력단 2015년 산학연협력 기술개발사업 자율편성형 과제 매커니컬 씰에서 사용되고 탄화물로부터 만들어진 탄소막의 윤활하에서의 블리스터링(blistering) 현상 저감 기술