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기판;상기 기판 상에 배치된 n형 GaN층;상기 n형 GaN층 상에 배치된 활성층;상기 활성층 상에 배치되고, 복수의 홀들이 형성된 p형 GaN층;상기 p형 GaN층 상에 배치된 전류 퍼짐층;상기 전류 퍼짐층 상에 배치된 p 전극;상기 홀들의 하부면에 배치된 씨앗층; 상기 씨앗층 상에서 결정 상태로 성장되고 상기 복수의 홀들을 채우는 금속산화물 구조체들; 및상기 전류 퍼짐층, 상기 p형 GaN층, 상기 활성층, 및 상기 n형 GaN층의 일부를 제거하여 노출된 n형 GaN층 상에 배치되는 n 전극;을 포함하고,상기 홀들의 내측벽에 배치된 반사벽을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 수평형 발광다이오드 소자
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제 1 항에 있어서,상기 복수의 홀들은 상기 전류 퍼짐층을 관통하여 배치되고,상기 금속산화물 구조체들은 상기 전류 퍼짐층 상에서 돌출되는 것을 특징으로 하는 수평형 발광다이오드 소자
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제 1 항에 있어서,상기 전류 퍼짐층은 상기 금속산화물 구조체들의 상부면을 덮도록 배치되고,상기 금속산화물 구조체의 상부면은 상기 p형 GaN층의 상부면과 동일한 것을 특징으로 하는 수평형 발광다이오드 소자
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제 1 항에 있어서,상기 반사벽은 금속 또는 금속 합금이고,상기 금속산화물 구조체들의 굴절률은 상기 전류 퍼짐층의 굴절률보다 크고, 상기 p형 GaN층의 굴절률보다 작은 것을 특징으로 하는 수평형 발광다이오드 소자
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제 1 항에 있어서,상기 반사벽은 유전체이고,상기 금속산화물 구조체들의 굴절률은 상기 반사벽의 굴절률보다 크고, 상기 p형 GaN층의 굴절률보다 작은 것을 특징으로 하는 수평형 발광다이오드 소자
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제 1 항에 있어서,상기 금속산화물 구조체들은 산화아연(ZnO), 산화지르코늄(ZrO2), 산화티탄(TiO2), 산화크롬(Cr2O), 산화인듐아연(IZO), 산화인듐주석아연(IZTO), 산화인듐(In2O3), 및 산화주석(SnO2) 중에서 선택되는 금속산화물인 것을 특징으로 하는 수평형 발광다이오드 소자
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제 1 항에 있어서,상기 홀들 깊이(D)와 지름(W)은 D 003e# W/4의 조건을 만족하는 것을 특징으로 하는 수평형 발광다이오드 소자
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제 1 항에 있어서,상기 홀들 지름(W)은 W/λ 003e# 2
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제 1 항에 있어서,상기 홀들의 깊이는 200 nm 내지 1 μm 인 것을 특징으로 하는 수평형 발광다이오드 소자
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제 1 항에 있어서,상기 홀들의 지름(W)은 300 nm 내지 4 μm 인 것을 특징으로 하는 수평형 발광다이오드 소자
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제 1 항에 있어서,상기 금속산화물 구조체들의 형상은 육각뿔(Hexagonal cone), 육각기둥(Hexagonal Pillar), 반구(hemisphere), 원뿔(Cone), 절두 원뿔(Truncated Cone), 혹은 원기둥(Cylinder)인 것을 특징으로 하는 수평형 발광다이오드 소자
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제 3 항에 있어서,상기 반사벽은 상기 전류 퍼짐층과 전기적으로 연결되는 것을 특징으로 하는 수평형 발광다이오드 소자
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기판 상에 n형 GaN층, 활성층, p형 GaN층, 및 전류 퍼짐층을 순서대로 적층하는 단계;상기 전류 퍼짐층과 상기 p형 GaN층을 패터닝하여 복수의 홀들을 형성하는 단계;패터닝 공정을 이용하여 상기 전류 퍼짐층, 상기 p형 GaN층, 상기 활성층, 및 상기 n형 GaN층의 일부를 제거하여 상기 n형 GaN층을 노출시키는 단계;상기 복수의 홀들의 하부면에 씨앗층을 형성하는 단계;상기 씨앗층 상에 금속산화물 구조체들을 결정 상태로 성장시키는 단계; 및상기 노출된 n형 GaN층 상에 n 전극을 형성하고, 상기 전류 퍼짐층 상에 p 전극을 형성하는 단계;를 포함하고,상기 홀들의 내측벽에 반사벽을 형성하는 단계;를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 수평형 발광다이오드 소자의 제조방법
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제 14 항에 있어서,상기 반사벽은 금속 또는 금속 합금이고,상기 금속산화물 구조체들의 굴절률은 상기 전류 퍼짐층의 굴절률보다 크고, 상기 p형 GaN층의 굴절률보다 작은 것을 특징으로 하는 수평형 발광다이오드 소자의 제조방법
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제 14 항에 있어서,상기 반사벽은 유전체이고,상기 금속산화물 구조체들의 굴절률은 상기 반사벽의 굴절률보다 크고, 상기 p형 GaN층의 굴절률보다 작은 것을 특징으로 하는 수평형 발광다이오드 소자의 제조방법
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제 14 항에 있어서,상기 금속산화물 구조체들은 산화아연(ZnO), 산화지르코늄(ZrO2), 산화티탄(TiO2), 산화크롬(Cr2O), 산화인듐아연(IZO), 산화인듐주석아연(IZTO), 산화인듐(In2O3), 및 산화주석(SnO2) 중에서 선택되는 금속산화물인 것을 특징으로 하는 수평형 발광다이오드 소자의 제조방법
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제 18 항에 있어서,상기 금속산화물 구조체들은 수열합성법에 의하여 성장되는 것을 특징으로 하는 수평형 발광다이오드 소자의 제조방법
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기판 상에 n형 GaN층, 활성층 및 p형 GaN층을 순서대로 적층하는 단계; 상기 p형 GaN층을 패터닝하여 복수의 홀들을 형성하는 단계; 상기 복수의 홀들의 하부면에 씨앗층을 형성하는 단계; 상기 씨앗층 상에 금속산화물 구조체들을 결정 상태로 성장시키는 단계; 상기 금속산화물 구조체들이 형성된 기판 상에 전류 퍼짐층을 형성하는 단계; 상기 전류 퍼짐층, 상기 p형 GaN층, 상기 활성층, 및 상기 n형 GaN층의 일부를 제거하여 국부적으로 상기 n형 GaN층을 노출시키는 단계; 및 상기 노출된 n형 GaN층 상에 n 전극을 형성하고, 상기 p형 GaN층 상에 p 전극을 형성하는 단계;를 포함하고,상기 홀들의 내측벽에 반사벽을 형성하는 단계;를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 수평형 발광다이오드 소자의 제조방법
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