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초음파 프로브에 있어서,대상체내로 초음파를 송신하고, 대상체로부터 송신된 초음파에 대응하는 초음파 에코 신호를 수신하며, 복수개의 제1 서브 어레이에 포함되도록 분류되는 복수개의 트랜스듀서 엘리먼트;상기 복수개의 제1 서브 어레이 각각에 포함된 상기 복수개의 트랜스듀서 엘리먼트에서 수신된 초음파 에코 신호를 각각 1차 빔포밍 하여 제1 합성 신호를 생성하는 복수개의 제1 아날로그 빔포머; 및상기 복수개의 제1 아날로그 빔포머 각각에서 생성된 상기 제1 합성 신호를 2차 빔포밍 하여 제2 합성 신호를 생성하는 제2 아날로그 빔포머;를 포함하는,초음파 프로브
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제1 항에 있어서,상기 제2 아날로그 빔포머는 복수개이고,상기 복수개의 제1 아날로그 빔포머에서 생성된 제1 합성신호는 각각 상기 복수개의 제2 아날로그 빔포머 중 하나에 입력되도록 분류되며,상기 복수개의 제2 아날로그 빔포머 각각은 입력된 상기 제1 합성신호를 2차 빔포밍 하여 제2 합성 신호를 생성하고,상기 초음파 프로브는,상기 복수개의 제2 아날로그 빔포머 각각에서 생성된 제2 합성 신호를 3차 빔포밍 하여 제3 합성 신호를 생성하는 제3 아날로그 빔포머;를 더 포함하는,초음파 프로브
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제1 항에 있어서,상기 제1 아날로그 빔포머는 1차 빔포밍을 수행하는 동안에 상기 제1 서브 어레이 내의 트랜스듀서 엘리먼트 간의 신호 지연시간의 차이를 확보하기 위해 복수개의 커패시터를 포함하는 제1 아날로그 램을 포함하고,상기 복수개의 제1 서브 어레이 각각에 포함되는 트랜스듀서 엘리먼트의 개수는 상기 제1 아날로그 램에 포함된 커패시터 개수에 대응하여 결정되는,초음파 프로브
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제1 항에 있어서,상기 제2 아날로그 빔포머는 2차 빔포밍을 수행하는 동안에 상기 제1 서브 어레이 간의 신호 지연시간의 차이를 확보하기 위해 복수개의 커패시터를 포함하는 제2 아날로그 램을 포함하고,상기 제1 서브 어레이의 개수는 상기 제2 아날로그 램에 포함된 커패시터 개수에 대응하여 결정되는,초음파 프로브
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5
제1 항에 있어서,상기 제1 서브 어레이 각각에 포함되는 트랜스듀서 엘리먼트의 개수는 상기 복수개의 트랜스듀서 엘리먼트의 개수, 상기 복수개의 트랜스듀서 엘리먼트 간의 간격 및 상기 트랜스듀서 엘리먼트의 리드 아웃 샘플링 레이트 중 적어도 하나에 기초하여 결정되는,초음파 프로브
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6
제1 항에 있어서,상기 제1 서브 어레이의 개수는 상기 복수개의 트랜스듀서 엘리먼트의 개수, 상기 복수개의 트랜스듀서 엘리먼트 간의 간격 및 상기 트랜스듀서 엘리먼트의 리드 아웃 샘플링 레이트 중 적어도 하나에 기초하여 결정되는,초음파 프로브
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7
제1 항에 있어서,상기 대상체 내로 송신된 신호가 집속되는 집속점과 상기 복수개의 트랜스듀서 엘리먼트 각각의 거리에 기초하여 상기 복수개의 트랜스듀서 엘리먼트가 복수개의 제1 서브 어레이에 포함되도록 분류되는,초음파 프로브
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8
제7 항에 있어서,상기 복수개의 제1 서브 어레이는, 상기 집속점과 해당 제1 서브 어레이에 포함된 복수개의 트랜스듀서 엘리먼트 각각의 거리의 최대값과 최소값의 차이인 제1 차이값에 기초하여 결정되는,초음파 프로브
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9
제8 항에 있어서,상기 복수개의 제1 서브 어레이 각각은 상기 제1 차이값이 오차범위 내에 있도록 결정되는,초음파 프로브
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10
제1 항에 있어서,상기 제1 아날로그 빔포머는 1차 빔포밍을 수행하는 동안에 상기 제1 서브 어레이 내의 트랜스듀서 엘리먼트간의 신호 지연시간의 차이를 확보하기 위해 복수개의 커패시터를 포함하는 제1 아날로그 램을 포함하고,상기 제2 아날로그 빔포머는 2차 빔포밍을 수행하는 동안에 상기 제1 서브 어레이 간의 신호 지연시간의 차이를 확보하기 위해 복수개의 커패시터를 포함하는 제2 아날로그 램을 포함하며,상기 복수개의 제1 서브 어레이 중 하나의 제1 서브 어레이에 포함되는 트랜스듀서 엘리먼트의 개수는 상기 제1 아날로그 램에 포함된 커패시터 개수와 상기 제2 아날로그 램에 포함된 커패시터 개수의 합에 기초하여 결정되는,초음파 프로브
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11
제1 항에 있어서,상기 제1 아날로그 빔포머는 1차 빔포밍을 수행하는 동안에 상기 제1 서브 어레이 내의 트랜스듀서 엘리먼트간의 신호 지연시간의 차이를 확보하기 위해 복수개의 커패시터를 포함하는 제1 아날로그 램을 포함하고,상기 제2 아날로그 빔포머는 2차 빔포밍을 수행하는 동안에 상기 제1 서브 어레이 간의 신호 지연시간의 차이를 확보하기 위해 복수개의 커패시터를 포함하는 제2 아날로그 램을 포함하며,상기 복수개의 제1 서브 어레이의 개수는 상기 제1 아날로그 램에 포함된 커패시터 개수와 상기 제2 아날로그 램에 포함된 커패시터 개수의 합에 기초하여 결정되는,초음파 프로브
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12
초음파 진단 장치에 있어서,대상체 내로 초음파를 송신하고, 대상체로부터 송신된 초음파에 대응하는 초음파 에코 신호를 검출하며, 복수개의 제1 서브 어레이에 포함되도록 분류되는 복수개의 트랜스듀서 엘리먼트;상기 복수개의 제1 서브 어레이 각각에 포함된 상기 복수개의 트랜스듀서 엘리먼트에서 검출된 초음파 에코 신호를 각각 1차 빔포밍 하여 제1 합성 신호를 생성하는 복수개의 제1 아날로그 빔포머;상기 복수개의 제1 아날로그 빔포머 각각에서 생성된 상기 제1 합성 신호를 2차 빔포밍 하여 제2 합성 신호를 생성하는 제2 아날로그 빔포머; 및 상기 초음파 에코 신호를 검출하기 위해 이용되는 트랜스듀서 엘리먼트를 상기 대상체 내로 송신된 신호가 집속되는 집속점의 위치에 기초하여 결정하는 제어부;를 포함하는초음파 진단 장치
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제12 항에 있어서,상기 대상체 내로 송신된 신호가 집속되는 집속점과 상기 초음파 에코 신호를 검출하기 위해 이용되는 것으로 결정된 트랜스듀서 엘리먼트 각각의 거리에 기초하여 상기 복수개의 트랜스듀서 엘리먼트가 복수개의 제1 서브 어레이에 포함되도록 분류되는,초음파 진단 장치
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14
제12 항에 있어서,상기 복수개의 제1 서브 어레이의 개수 및 상기 복수개의 제1 서브 어레이 중 하나의 제1 서브 어레이에 포함되는 트랜스듀서 엘리먼트의 개수는 상기 초음파 에코 신호를 검출하기 위해 이용되는 것으로 결정된 트랜스듀서 엘리먼트의 개수에 기초하여 결정되는,초음파 진단 장치
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15
제12 항에 있어서,상기 집속점이 상기 복수개의 트랜스듀서 엘리먼트를 포함하는 트랜스듀서 어레이에 가까워 질 수록, 상기 초음파 에코 신호를 검출하는 트랜스듀서 엘리먼트의 개수가 감소되는,초음파 진단 장치
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초음파 진단 장치 제어방법에 있어서,대상체 내로 상기 초음파를 송신하는 단계;상기 대상체로부터 송신된 초음파에 대응하는 초음파 에코 신호를 검출하는 단계;상기 대상체 내로 송신되는 초음파가 집속되는 집속점의 위치에 기초하여 상기 대상체로부터 송신된 초음파에 대응하는 초음파 에코 신호의 검출에 이용되는 트랜스듀서 엘리먼트를 결정하는 단계;상기 집속점의 위치에 기초하여 복수개의 제1 서브 어레이에 포함되도록 상기 결정된 트랜스듀서 엘리먼트를 분류하는 단계;상기 복수개의 제1 서브 어레이 각각에 포함된 상기 복수개의 트랜스듀서 엘리먼트에서 검출된 초음파 에코 신호를 각각 1차 빔포밍 하여 제1 합성 신호를 생성하는 단계; 및상기 복수개의 제1 아날로그 빔포머 각각에서 생성된 상기 제1 합성 신호를 2차 빔포밍 하여 제2 합성 신호를 생성하는 단계;를 포함하는초음파 진단 장치 제어방법
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제16 항에 있어서,상기 대상체 내로 송신된 신호가 집속되는 집속점과 상기 초음파 에코 신호를 검출하기 위해 이용되는 것으로 결정된 트랜스듀서 엘리먼트 각각의 거리에 기초하여 상기 복수개의 트랜스듀서 엘리먼트가 복수개의 제1 서브 어레이에 포함되도록 분류되는,초음파 진단 장치 제어방법
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제16 항에 있어서,상기 복수개의 제1 서브 어레이의 개수 및 상기 복수개의 제1 서브 어레이 중 하나의 제1 서브 어레이에 포함되는 트랜스듀서 엘리먼트의 개수는 상기 초음파 에코 신호를 검출하기 위해 이용되는 것으로 결정된 트랜스듀서 엘리먼트의 개수에 기초하여 결정되는,초음파 진단 장치 제어방법
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제16 항에 있어서,상기 집속점이 상기 복수개의 트랜드듀서 엘리먼트를 포함하는 트랜스듀서 어레이에 가까워 질 수록, 상기 초음파 에코 신호를 검출하는 트랜스듀서 엘리먼트의 개수가 감소되는,초음파 진단 장치 제어방법
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