맞춤기술찾기

홈으로 가기
맞춤기술찾기
이전대상기술
프린트하기

이전대상기술

탄소막이 코팅된 반도체 검사 장치용 프로브 핀 및 그 제조방법(Probe pin coated with carbon layer for semiconductor test device and method of fabricating the same)

  • 기술번호 : KST2018000332
  • 담당센터 : 부산기술혁신센터
  • 전화번호 : 051-606-6561
SMK 보기 상담신청 PDF 받기
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 높은 내마모성을 가지면서도 반도체 소자의 물질과 이형성을 증가시켜 사용 수명을 증대할 수 있는 반도체 검사 장치용 프로브 핀으로서 반도체 소자의 단자와 접촉할 수 있는 표면부에 질소가 함유된 비정질 탄소막이 코팅된 반도체 검사 장치용 프로브 핀을 제공한다.
Int. CL G01R 1/067 (2016.07.27) G01R 3/00 (2016.07.27) G01R 31/26 (2016.07.27)
CPC G01R 1/06755(2013.01) G01R 1/06755(2013.01) G01R 1/06755(2013.01) G01R 1/06755(2013.01)
출원번호/일자 1020160078829 (2016.06.23)
출원인 한국기계연구원
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2018-0000598 (2018.01.03) 문서열기
공고번호/일자 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2016.06.23)
심사청구항수 5

출원인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 출원인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 한국기계연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 발명자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 김종국 대한민국 경상남도 창원시 성산구
2 장영준 대한민국 경상남도 창원시 성산구
3 강용진 대한민국 경상남도 진주시 사
4 김기택 대한민국 대전광역시 대덕구
5 류호준 대한민국 경상남도 창원시 성산구

대리인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 대리인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 이인행 대한민국 서울특별시 서초구 남부순환로***길 *-*, *층 (양재동, 가람빌딩)(율민국제특허법률사무소)

최종권리자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 최종권리자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 한국기계연구원 대전광역시 유성구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2016.06.23 수리 (Accepted) 1-1-2016-0609639-71
2 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment		 2016.06.29 수리 (Accepted) 1-1-2016-0627469-27
3 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment		 2016.08.16 수리 (Accepted) 1-1-2016-0791715-12
4 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2017.05.12 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
5 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2017.08.17 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-6-2017-0122797-92
6 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2017.08.21 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2017-0578858-27
7 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)		 2017.10.23 수리 (Accepted) 1-1-2017-1046613-58
8 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2017.10.27 수리 (Accepted) 1-1-2017-1065162-58
9 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2017.10.27 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2017-1065163-04
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2017.11.28 수리 (Accepted) 4-1-2017-5193093-72
11 등록결정서
Decision to grant		 2018.01.11 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2018-0025718-64
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
반도체 소자의 단자와 접촉할 수 있는 프로브 핀의 표면부에 질소가 함유된 비정질 탄소막이 코팅되며,상기 표면부와 상기 질소가 함유된 비정질 탄소막 사이에 개재된 티타늄 또는 크롬을 포함하는 밀착층; 및상기 질소가 함유된 비정질 탄소막과 상기 밀착층 사이에 개재되며, 티타늄 및 크롬 중에서 선택된 어느 하나와 탄소가 혼합되어 형성된 혼합층;을 구비하되, 상기 혼합층은 티타늄 및 크롬 중에서 선택된 어느 하나를 포함하는 제 1 물질층 및 탄소를 포함하는 제 2 물질층으로 구성된 적어도 하나 이상의 단위적층체를 포함하는, 탄소막이 코팅된 반도체 검사 장치용 프로브 핀
2 2
제 1 항에 있어서,상기 표면부는 베릴륨동(Cu-Be)을 재질로 하는 모재의 표면을 포함하고, 상기 표면부와 상기 질소가 함유된 비정질 탄소막 사이에 개재된 니켈 도금층; 및 상기 니켈 도금층 상에 형성된 금 도금층;을 더 포함하는, 탄소막이 코팅된 반도체 검사 장치용 프로브 핀
3 3
삭제
4 4
삭제
5 5
제 1 항에 있어서,상기 밀착층은 상기 표면부 상에 직접 서로 맞닿아 배치된, 탄소막이 코팅된 반도체 검사 장치용 프로브 핀
6 6
삭제
7 7
삭제
8 8
삭제
9 9
삭제
10 10
반도체 소자의 단자와 접촉할 수 있는 프로브 핀의 표면부에 형성된 오염물 내지 산화물을 제거하기 위하여 불활성가스의 이온빔 처리를 수행하는 단계;상기 표면부 상에 스퍼터링 방법으로 티타늄 또는 크롬을 포함하는 밀착층을 형성하는 단계;상기 밀착층 상에 티타늄 및 크롬 중에서 선택된 어느 하나와 탄소가 혼합되어 형성된 혼합층을 형성하는 단계; 및상기 혼합층 상에 FCVA(Filtered Cathodic Vacuum Arc) 방법으로 형성된 질소가 함유된 비정질 탄소막을 형성하는 단계;를 포함하되, 상기 혼합층을 형성하는 단계는, 스퍼터링 방법으로 티타늄 및 크롬 중에서 선택된 어느 하나를 포함하는 제 1 물질층을 형성하는 단계; 및 FCVA(Filtered Cathodic Vacuum Arc) 방법으로 형성된 탄소를 포함하는 제 2 물질층을 형성하는 단계;를 포함하는 단위 사이클을 적어도 한 번 이상 수행함으로써 구현되는, 탄소막이 코팅된 반도체 검사 장치용 프로브 핀의 제조방법
11 11
삭제
12 12
반도체 소자의 단자와 접촉할 수 있는 프로브 핀의 표면부에 형성된 오염물 내지 산화물을 제거하기 위하여 불활성가스의 이온빔 처리를 수행하는 단계;상기 표면부 상에 스퍼터링 방법으로 티타늄 또는 크롬을 포함하는 밀착층을 형성하는 단계;상기 밀착층 상에 티타늄 및 크롬 중에서 선택된 어느 하나와 탄소가 혼합되어 형성된 혼합층을 형성하는 단계; 및상기 혼합층 상에 FCVA(Filtered Cathodic Vacuum Arc) 방법으로 형성된 질소가 함유된 비정질 탄소막을 형성하는 단계;를 포함하되, 상기 질소가 함유된 비정질 탄소막을 형성하는 단계를 수행하는 챔버 내 압력은 상기 혼합층을 형성하는 단계를 수행하는 챔버 내 압력 이하이며, 상기 혼합층을 형성하는 단계를 수행하는 챔버 내 압력은 상기 밀착층을 형성하는 단계를 수행하는 챔버 내 압력 이하이며, 상기 질소가 함유된 비정질 탄소막을 형성하는 단계를 수행하는 챔버 내 압력은 상기 밀착층을 형성하는 단계를 수행하는 챔버 내 압력 보다 낮은, 탄소막이 코팅된 반도체 검사 장치용 프로브 핀의 제조방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
순번, 연구부처, 주관기관, 연구사업, 연구과제의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 국가R&D 연구정보 정보 표입니다.
순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 미래창조과학부 한국기계연구원 부설 재료연구소 주요사업 경도 30 GPaDLTKD Hydrogen-free DLC 후막 코팅 공정기술개발(2/3)