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하기 화학식 1을 갖는 가넷계 형광체
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제 1 항에 있어서,상기 화학식 1에서 B 및 D 중 하나 이상에 의해 활성제가 치환되는 사이트의 환경이 변화되어 형광체의 발광특성이 제어되는 것을 특징으로 하는 가넷계 형광체
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3
제 1 항에 있어서,상기 화학식 1은 A3C5O12와 A2BD2F3O12의 고용체와 동일한 조성을 갖는 것을 특징으로 하는 가넷계 형광체
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4
제 3 항에 있어서,상기 화학식 1의 x 및 y는 A3C5O12와 A2BD2F3O12가 고용되는 비율에 따라 결정되는 것을 특징으로 하는 가넷계 형광체
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5
제 1 항에 있어서,상기 화학식 1에서 x 값 및 y 값에 의한 조성변화에 따라 형광체의 발광 파장 및 발광 휘도가 변화하는 것을 특징으로 가넷계 형광체
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6
제 1 항의 화학식 1에 의한 형광체 조성에 따라 원료물질을 준비하는 단계;상기 원료물질을 상기 화학식 1의 형광체 조성비로 칭량하여 균일하게 혼합하는 단계; 및상기 균일하게 혼합된 원료물질을 환원분위기 하에서 소성하는 단계를 포함하는 가넷계 형광체 제조방법
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7
제 6 항에 있어서,상기 소성하는 단계는 질소와 수소가 75 ~95 : 25 ~ 5의 부피%로 혼합된 가스 분위기에서 1000 ~ 1600 ℃ 온도 조건으로 1 내지 12시간 동안 열처리하여 수행되는 것을 특징으로 하는 가넷계 형광체 제조방법
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8
발광광원 및 형광체를 포함하는 발광소자에서,상기 형광체는 제 1 항 내지 제 5 항 중 어느 한 항의 가넷계 형광체를 포함하는 것을 특징으로 하는 발광소자
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9
제 8 항에 있어서,상기 발광광원이 100 nm ~ 470 nm 범위의 파장을 갖는 자외선, 가시광선 또는 전자선이면, 상기 형광체는 500nm ~ 600 nm 범위 파장의 녹색 또는 황색을 발광하는 형광특성을 나타내는 것을 특징으로 하는 발광소자
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10
제 8 항에 있어서,상기 발광광원이 450 ~ 470nm의 여기광원이면, 상기 발광소자는 백색발광소자인 것을 특징으로 하는 발광소자
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11
제 8 항에 있어서, 상기 형광체는 실리콘레진과 1:5 내지 15의 중량비로 혼합되어 사용되는 것을 특징으로 하는 발광소자
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12
제 8 항에 있어서, 상기 발광소자는 발광다이오드, 레이저다이오드, 면발광 레이저다이오드, 무기 일렉트로루미네선스 소자, 또는 유기 일렉트로루미네센스 소자를 포함하는 것을 특징으로 하는 발광소자
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