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저마나이드 형성방법 및 그 저마나이드를 포함하는 반도체 소자(Method for forming gemanides and devices obtained thereof)

  • 기술번호 : KST2018000371
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 접촉저항을 낮출 수 있는 저마나이드 형성방법 및 저마나이드를 포함하는 반도체 소자에 관한 것으로, 본 발명의 일 실시 예에 따른 저마나이드 형성 방법은 P형 게르마늄 기판 위에 주석을 증착하여 주석 층을 형성하는 단계; 상기 주석 층 상에 금속을 증착하여 금속 층을 형성하는 단계; 및 상기 주석 층 및 상기 금속 층이 형성된 게르마늄 기판을 열처리하는 단계;를 포함할 수 있다.
Int. CL H01L 21/02 (2016.07.27) H01L 21/324 (2016.07.27)
CPC H01L 21/02381(2013.01) H01L 21/02381(2013.01) H01L 21/02381(2013.01) H01L 21/02381(2013.01) H01L 21/02381(2013.01) H01L 21/02381(2013.01)
출원번호/일자 1020160079302 (2016.06.24)
출원인 충남대학교산학협력단
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2018-0000944 (2018.01.04) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 공개
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호 1020180032656;
심사청구여부/일자 Y (2016.06.24)
심사청구항수 12

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 충남대학교산학협력단 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 이희덕 대한민국 대전광역시 서구
2 김제영 대한민국 대전광역시 중구
3 이 맹 대한민국 충청북도 청주시 흥덕구
4 신건호 대한민국 대전광역시 유성구
5 이정찬 대한민국 충청남도 공주시 신금*길

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인피너클 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 ***, *층(역삼동, 성림대봉빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
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번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2016.06.24 수리 (Accepted) 1-1-2016-0612678-12
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2017.08.10 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2017.10.20 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-6-2017-0153607-52
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2017.10.23 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2017-0734162-85
5 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment		 2017.11.01 수리 (Accepted) 1-1-2017-1085698-76
6 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)		 2017.12.26 수리 (Accepted) 1-1-2017-1288164-68
7 거절결정서
Decision to Refuse a Patent		 2018.02.02 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2018-0085393-14
8 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2018.02.20 수리 (Accepted) 1-1-2018-0179455-26
9 [명세서등 보정]보정서(재심사)
Amendment to Description, etc(Reexamination)		 2018.02.20 보정각하 (Rejection of amendment) 1-1-2018-0179454-81
10 거절결정서
Decision to Refuse a Patent		 2018.03.08 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2018-0164096-34
11 보정각하결정서
Decision of Rejection for Amendment		 2018.03.08 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2018-0164066-75
12 [분할출원]특허출원서
[Divisional Application] Patent Application		 2018.03.21 수리 (Accepted) 1-1-2018-0282474-88
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번호 청구항
1 1
P형 게르마늄 기판 위에 주석을 증착하여 주석 층을 형성하는 단계; 상기 주석 층 상에 금속을 증착하여 금속 층을 형성하는 단계; 및 상기 주석 층 및 상기 금속 층이 형성된 게르마늄 기판을 열처리하는 단계를 포함하는 저마나이드(germanide) 형성방법
2 2
제1 항에 있어서, 상기 금속 층은 니켈을 포함하는 저마나이드 형성방법
3 3
제1 항에 있어서,상기 금속 층 상에 타이타늄 나이트라이드(TiN)를 증착하여 타이타늄 나이트라이드 층을 형성하는 단계를 포함하는 저마나이드 형성방법
4 4
제3 항에 있어서,상기 주석 층, 상기 금속 층, 및 상기 타이타늄 나이트라이드 층의 두께 비는 상기 게르마늄 기판에 증착되는 모든 금속 층의 두께를 기준으로 35%, 22%, 및 43%의 비율이 되도록 하는 저마나이드 형성방법
5 5
제1항에 있어서,상기 주석 및 상기 금속은 스퍼터링(sputtering) 방식을 통해 증착되는 것을 특징으로 하는 저마나이드 형성방법
6 6
제1 항에 있어서,상기 열처리하는 단계는,상기 주석 층 상기 금속 층이 형성된 게르마늄 기판을 300°C의 온도에서 어닐링(Rapid Thermal Annealing)하는 저마나이드 형성방법
7 7
게르마늄 기판; 상기 게르마늄 기판 상에 형성된 제1 저마나이드; 및상기 제1 저마나이드 상에 형성된 제2 저마나이드를 포함하되,상기 제1 저마나이드는 상기 게르마늄 기판과 상기 제2 저마나이드 사이에 위치한 것을 특징으로 하는 반도체 소자
8 8
제7 항에 있어서,상기 제1 저마나이드 층 및 상기 제2 저마나이드 중 적어도 하나의 저마나이드는 주석을 포함하는 반도체 소자
9 9
제7 항에 있어서,상기 제2 저마나이드는 니켈을 포함하는 반도체 소자
10 10
제7 항에 있어서,상기 제1 저마나이드 층의 두께는 상기 제2 저마나이드 층의 두께보다 얇은 것을 특징으로 하는 반도체 소자
11 11
제7 항에 있어서,상기 제1 저마나이드는 주석을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자
12 12
제7 항에 있어서,상기 제2 저마나이드는 니켈 및 주석을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자
지정국 정보가 없습니다
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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 KR1020180031667 KR 대한민국 FAMILY

DOCDB 패밀리 정보

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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
DOCDB 패밀리 정보가 없습니다
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 산업통상자원부 충남대학교 산업핵심기술개발사업 20nm급 이하 차세대 반도체 소자를 위한 소자 저항 감소 기술 개발