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a) 전해질 및 용매를 포함하는 복합 혼합액을 금속 전극의 일면에 도포하여 복합전해질층을 형성하는 단계 및b) 상기 금속 전극의 표면에 형성된 복합전해질층에 3차원 패턴을 가지는 스템프로 금속 전극에 물리적 패턴을 형성하는 단계를 포함하며,상기 b) 단계에서, 상기 복합전해질층에 의해 스템프로부터 패턴이 형성된 금속 전극이 원활하게 분리되어 뒤틀림, 찢어짐 또는 휘어짐에 따른 금속 전극의 변형을 방지하는 금속 전극의 표면처리 방법
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제1항에 있어서,상기 복합 혼합액은 상기 용매 100 중량부에 대하여 상기 전해질 0
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제1항에 있어서,상기 복합전해질층의 면적당 함량은 1~300 ㎕/cm2인 금속 전극의 표면처리 방법
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a) 전해질, 용매, 경화성 화합물 및 광개시제를 포함하는 복합 혼합액을 금속 전극의 일면에 도포하여 복합전해질층을 형성하는 단계b) 상기 금속 전극의 표면에 형성된 복합전해질층에 3차원 패턴을 가지는 스템프로 금속 전극에 물리적 패턴을 형성하는 단계 및c) 상기 복합전해질층에 자외선을 조사하고 중합시켜 고체고분자전해질층을 형성하는 단계를 포함하며,상기 b) 단계에서, 상기 복합전해질층에 의해 스템프로부터 패턴이 형성된 금속 전극이 원활하게 분리되어 뒤틀림, 찢어짐 또는 휘어짐에 따른 금속 전극의 변형을 방지하는 금속 전극의 표면처리 방법
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제4항에 있어서,상기 고체고분자전해질층의 평균두께는 1~100 ㎛인 금속 전극의 표면처리 방법
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제4항에 있어서,상기 복합 혼합액은 상기 용매 100 중량부에 대하여 상기 전해질 0
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제4항에 있어서,상기 경화성 화합물은 트리메틸올프로판트리아크릴레이트, 트리알릴시아누레이트, 트리아릴아이소시아누레이트, 디비닐벤젠, 비스비닐페닐에탄, 헥산디올디아크릴레이트, 디프로필렌글라이콜디아크릴레이트, 네오펜틸글라이콜디아크릴레이트, 트리메틸올프로판트리아크릴레이트, 에톡실레이트트리메틸올프로판트리아크릴레이트, 트리메틸올프로판트리메타아크릴레이트, 펜타에리트리톨테트라아크릴레이트, 디펜타에리트리톨헥사아크릴레이트, 1,4-부탄디올디비닐에테르, 1,6-헥산디올에테르, 디(에틸렌글리콜)디비닐에테르, 트리(에틸렌글리콜)디비닐에테르, 테트라(에틸렌글리콜)디비닐에테르, 1,4-사이클로헥산디메탄올디비닐에테르 및 펜타에리스리톨트리알릴에테르 중에서 선택되는 어느 하나 또는 둘 이상을 포함하며,상기 광개시제는 2,2'-아조비스(2-메틸프로피오니트릴, 2,2'-아조비스(N,N'-디메틸렌이소부티르아미딘)디히드로클로라이드, 2,2'-아조비스(2-아미디노프로판)디히드로클로라이드, 2,2'-아조비스{2-[1-(2-히드록시에틸)-2-이미다졸린-2-일]프로판}디히드로클로라이드, 2,2'-아조비스(1-이미노-1-피롤리디노-2-에틸프로판)디히드로클로라이드, 2,2'-아조비스[2-메틸-N-(2-히드록시에틸)-프로피온아미드] 및 4,4'-아조비스(4-시아노발레르산) 중에서 선택되는 어느 하나 또는 둘 이상을 포함하는 금속 전극의 표면처리 방법
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제1항 내지 제7항에서 선택되는 어느 한 항에 있어서,상기 전해질은 리튬염, 나트륨염 및 칼륨염 중에서 선택되는 어느 하나 또는 둘 이상의 알칼리금속염을 포함하며,상기 용매는 에틸렌카보네이트, 프로필렌카보네이트, 디메틸카보네이트, 디에틸카보네이트, 디에틸렌카보네이트, 에틸메틸카보네이트, 디메톡시에탄, 디에톡시에탄, 감마부틸로락톤, 2-메틸테트라하이드로퓨란 및 디메틸설폭사이드 중에서 선택되는 어느 하나 또는 둘 이상을 포함하는 금속 전극의 표면처리 방법
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