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광합성을 이용한 유기 반도체 소자 및 이의 제조방법(Organic semiconductor device using photosynthesis and method for comprising the same)

  • 기술번호 : KST2018000465
  • 담당센터 : 경기기술혁신센터
  • 전화번호 : 031-8006-1570
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 제 1전극, 유전층, 유기 반도체층 및 제 2전극이 순차적으로 적층된 유기 반도체 소자로, 광합성에 의해 n-타입 및 p-타입이 조절되는 유기 반도체 소자에 관한 것이다.
Int. CL H01L 51/05 (2006.01.01) H01L 51/10 (2006.01.01) H01L 51/00 (2006.01.01)
CPC
출원번호/일자 1020170086990 (2017.07.10)
출원인 단국대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-1991567-0000 (2019.06.14)
공개번호/일자 10-2018-0006860 (2018.01.19) 문서열기
공고번호/일자 (20190620) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보 대한민국  |   1020160087566   |   2016.07.11
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2017.07.10)
심사청구항수 4

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 단국대학교 산학협력단 대한민국 경기도 용인시 수지구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 임은주 대한민국 경기도 용인시 수지구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 한양특허법인 대한민국 서울특별시 강남구 논현로**길 **, 한양빌딩 (도곡동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 단국대학교 산학협력단 대한민국 경기도 용인시 수지구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2017.07.10 수리 (Accepted) 1-1-2017-0655557-83
2 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2018.08.14 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2018-0550030-31
3 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)		 2018.10.12 수리 (Accepted) 1-1-2018-1007482-49
4 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)		 2018.11.13 수리 (Accepted) 1-1-2018-1127290-61
5 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2018.12.10 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2018-1236707-32
6 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2018.12.10 수리 (Accepted) 1-1-2018-1236704-06
7 거절결정서
Decision to Refuse a Patent		 2019.04.16 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2019-0272316-85
8 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2019.05.16 수리 (Accepted) 1-1-2019-0501897-48
9 [명세서등 보정]보정서(재심사)
Amendment to Description, etc(Reexamination)		 2019.05.16 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2019-0501898-94
10 등록결정서
Decision to Grant Registration		 2019.06.12 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2019-0417257-91
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.10.26 수리 (Accepted) 4-1-2020-5239146-54
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
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제 1전극, 유전층, 유기 반도체층 및 제 2전극이 순차적으로 적층된 유기 반도체 소자로,상기 제 1전극은 산화인듐주석을 포함하고,상기 유전층은 폴리이미드를 포함하고,상기 유기 반도체층은 액체이며, 남조류 및 전도성 물질을 포함하는 하이드로젤로 이루어지며,상기 남조류는 시네초코커스(synechococcus)이고, 상기 전도성 물질은 탄소나노튜브이고,상기 남조류는 물 또는 하이드로젤 1mL에 대하여 1x106 내지 1x109개로 포함되며,상기 전도성 물질은 하이드로젤 총 중량에 대하여 0
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청구항 1에 있어서, 상기 유기 반도체 소자는 유기 트랜지스터인 것을 특징으로 하는 유기 반도체 소자
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청구항 1에 있어서, 상기 유기 반도체 소자는 플렉서블한 유기 반도체 소자인 것을 특징으로 하는 유기 반도체 소자
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(1)기판 상에 제 1전극을 형성하는 단계;(2)상기 제 1전극 상부에 유전층을 형성하는 단계;(3)상기 유전층 상부에 유기 반도체층을 형성하는 단계; 및(4)상기 유기 반도체층 상부에 제 2전극을 형성하는 단계를 포함하는 유기 반도체 소자 제조방법으로,상기 유기 반도체 소자는 상기 청구항 1 및 10 중 어느 한 항의 유기반도체 소자를 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 반도체 소자 제조방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
순번, 연구부처, 주관기관, 연구사업, 연구과제의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 국가R&D 연구정보 정보 표입니다.
순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 교육부 단국대학교 기본연구지원사업(SGER) 탄소나노재료 기반 미생물 유기반도체 소자개발
2 미래창조과학부 단국대학교 일반연구자지원사업/여성과학자 2차비선형광학측정 및 Maxwell-Wagner 모델링을 통한 전하주입형 유기반도체 소자 전하수송 연구(3/3)