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고휘도 발광소자(high brighness LED)

  • 기술번호 : KST2018000474
  • 담당센터 : 광주기술혁신센터
  • 전화번호 : 062-360-4654
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 고휘도 발광소자에 관한 것으로서, n형 GaAs 소재로 된 기판과, 기판 위에 n형 GaAs 소재로 된 버퍼층과, 버퍼층 위에 n형 Al0.6GaAs 소재로 형성된 하부 클래드층과, 하부 클래드층 상부에 Al0.4GaAs 소재로 형성된 하부 웨이브 가이드층과, 하부 웨이드 가이드층 상부에 GaAs 소재로 형성된 장벽층과 Al0.3GaAs 소재로 형성된 우물층이 교번으로 반복 적층되되 장벽층의 적용 개수는 3개 내지 6개인 활성층과, 활성층 상부에 Al0.4GaAs 소재로 형성된 상부 웨이브 가이드층과, 상부 웨이브 가이드층 상부에 p형 Al0.6GaAs 소재로 형성된 상부 클래드층과, 상부 클래드층 상부에 p형 GaAs 소재로 된 오믹컨택트층을 구비하고, 활성층의 우물층은 수직방향에서 상부 및 하부 최외측에 위치하는 상부 외측 장벽층 및 하부 외측 장벽층에 인접된 상부 및 하부 외측 우물층의 적층 두께가 상부 및 하부 외측 장벽층으로부터 상부 및 하부 외측 우물층보다 더 멀리 위치하는 내측 우물층의 두께가 더 얇게 형성된다. 고휘도 발광소자에 의하면, 파장 스펙트럼이 넓으면서 휘도가 높은 출력광을 생성할 수 있다.
Int. CL H01L 33/06 (2016.08.06) H01L 33/02 (2016.08.06) H01L 33/00 (2016.08.06) H01L 33/12 (2016.08.06)
CPC H01L 33/06(2013.01)H01L 33/06(2013.01)H01L 33/06(2013.01)H01L 33/06(2013.01)H01L 33/06(2013.01)
출원번호/일자 1020160084996 (2016.07.05)
출원인 한국광기술원
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2018-0005320 (2018.01.16) 문서열기
공고번호/일자 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2016.07.05)
심사청구항수 1

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국광기술원 대한민국 광주광역시 북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김정호 대한민국 광주광역시 북구
2 노병섭 대한민국 광주광역시 북구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 이재량 대한민국 광주광역시 광산구 하남산단*번로 ***, *층(도천동, 광주경제고용진흥원)(가온특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국광기술원 광주광역시 북구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2016.07.05 수리 (Accepted) 1-1-2016-0651315-13
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2017.06.12 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2017.08.18 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-6-2017-0122849-78
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2017.08.21 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2017-0577226-14
5 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2017.10.23 수리 (Accepted) 1-1-2017-1046739-02
6 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2017.10.23 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2017-1046741-94
7 등록결정서
Decision to grant		 2018.02.28 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2018-0144237-17
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.07.03 수리 (Accepted) 4-1-2020-5148105-81
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.07.09 수리 (Accepted) 4-1-2020-5153634-39
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번호 청구항
1 1
n형 GaAs 소재로 된 기판과;상기 기판 위에 n형 GaAs 소재로 된 버퍼층과;상기 버퍼층 위에 n형 Al0
2 2
삭제
3 3
삭제
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.