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멤리스터로 구현된 순차적 메모리 회로 및 그 구동방법(Memristor-based sequential memory circuit and Driving Method thereof)

  • 기술번호 : KST2018000481
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 브레인 기능 모방을 위해서, 기존의 멤리스터 크로스바가 시간에 따라서 변하지 않는 정적인 패턴을 인식하는데 에만 사용되는 한계를 넘어 시간에 따라서 동적으로 변하는 패턴을 인식할 수 있는 멤리스터로 구현된 순차적 메모리 회로 및 그 구동방법을 제공하기 위한 것으로서, 정적 항목 하나씩을 인식하는 베이스 층 모듈과, 상기 베이스 층 모듈을 통해 하나씩 인식되는 정적 항목을 입력으로 입력 패턴의 일련 순서를 감지하고 멤리스터 어레이에 저장된 복수의 레퍼런스 순서들 사이에서 검출된 순서에 가장 일치하는 열(columns)을 검출하는 순차 층 모듈을 포함하여 구성되는데 있다.
Int. CL G11C 13/00 (2016.07.30)
CPC G11C 13/0002(2013.01) G11C 13/0002(2013.01) G11C 13/0002(2013.01)
출원번호/일자 1020160079368 (2016.06.24)
출원인 국민대학교산학협력단
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2018-0000970 (2018.01.04) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 공개
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호 1020180054306;
심사청구여부/일자 Y (2016.06.24)
심사청구항수 11

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 국민대학교산학협력단 대한민국 서울특별시 성북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 민경식 대한민국 서울특별시 강남구
2 트롱녹손 베트남 서울특별시 성북구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 정기택 대한민국 서울특별시 서초구 강남대로**길 **, *층 (반포동, 새로나빌딩)(스카이특허법률사무소)
2 오위환 대한민국 서울특별시 서초구 강남대로**길 **, *층 (반포동, 새로나빌딩)(스카이특허법률사무소)
3 나성곤 대한민국 서울특별시 서초구 강남대로**길 **, *층 (반포동, 새로나빌딩)(스카이특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
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번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2016.06.24 수리 (Accepted) 1-1-2016-0613061-31
2 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2017.12.07 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2017-0861575-73
3 거절결정서
Decision to Refuse a Patent
2018.03.09 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2018-0169185-61
4 [법정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
2018.04.11 수리 (Accepted) 1-1-2018-0361200-72
5 법정기간연장승인서
2018.04.18 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2018-0060140-97
6 [분할출원]특허출원서
[Divisional Application] Patent Application
2018.05.11 수리 (Accepted) 1-1-2018-0464904-33
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번호 청구항
1 1
정적 항목 하나씩을 인식하는 베이스 층 모듈과,상기 베이스 층 모듈을 통해 하나씩 인식되는 정적 항목을 입력으로 입력 패턴의 일련 순서를 감지하고 멤리스터 어레이에 저장된 복수의 레퍼런스 순서들 사이에서 검출된 순서에 가장 일치하는 열(columns)을 검출하는 순차 층 모듈을 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 멤리스터로 구현된 순차적 메모리 회로
2 2
제 1 항에 있어서, 상기 베이스 층 모듈은HRS(High Resistance State) 및 LRS(Low Resistance State)를 갖는 2진 멤리스터의 동일한 좌우 M+ 어레이 2개로 구성되는 트윈(twin) 멤리스터 크로스바와,상기 트윈 멤리스터 크로스바의 모든 열을 동시에 비교하여 입력 패턴과 가장 유사한 열을 결정하는 승자 독점 회로부를 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 멤리스터로 구현된 순차적 메모리 회로
3 3
제 2 항에 있어서, 상기 트윈 크로스바는 배타적 NOR(XNOR) 함수를 수행하는 것을 특징으로 하는 멤리스터로 구현된 순차적 메모리 회로
4 4
제 1 항에 있어서, 상기 순차 층 모듈은HRS로 설정되어 직렬 연결되는 복수개의 멤리스터(MS1)(MS2)(MS3)(MS4)와, 상기 멤리스터들 간 사이에 각각 병렬 연결되어 베이스 층 모듈에서 입력되는 정적 항목을 각각 하나씩을 입력받는 복수개의 다이오드 스위치(D1)(D2)(D3)와,상기 멤리스터에서 측정되는 전압과 기준 전압(VREF)을 비교하는 전압 비교기(I1)를 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 멤리스터로 구현된 순차적 메모리 회로
5 5
제 4 항에 있어서, 상기 전압 비교기는베이스 층 모듈에서 입력되는 서로 다른 2개의 정적 항목들 중 상기 복수개의 다이오드 스위치 중 연속되는 다이오드 스위치들에서 입력받는 제 1 정적 항목을 입력으로 멤리스터에서 측정되는 제 1 출력 전압(VS3)과 기준 전압(VREF)을 비교하는 제 1 전압 비교기와,베이스 층 모듈에서 입력되는 서로 다른 2개의 정적 항목들 중 상기 제 1 전압 비교기에서 입력받은 다이오드 스위치들을 제외한 연속되는 다이오드 스위치들에서 입력받는 제 1 정적 항목을 입력으로 멤리스터에서 측정되는 제 2 출력 전압(VS6)과 기준 전압(VREF)을 비교하는 제 2 전압 비교기로 구성되고, 이때, 상기 비교 결과, 제 1, 2 출력 전압 중 기준 전압(VREF)보다 낮은 제 1 전압 비교기 또는 제 2 전압 비교기의 출력을 활성화시키는 것을 특징으로 하는 멤리스터로 구현된 순차적 메모리 회로
6 6
제 4 항에 있어서, 상기 전압 비교기는베이스 층 모듈에서 입력되는 2개의 정적 항목들 중 연속되는 다이오드 스위치들에서 입력받는 제 1 정적 항목을 입력으로 멤리스터에서 측정되는 제 1 출력 전압(VS3)과 기준 전압(VREF)을 비교하는 제 1 전압 비교기와,베이스 층 모듈에서 입력되는 2개의 정적 항목들 중 서로 연속적으로 일치되는 정적 항목들을 제외한 제 2 정적 항목을 연속되는 다이오드 스위치들에서 입력받아 멤리스터에서 측정되는 제 2 출력 전압(VS6)과 기준 전압(VREF)을 비교하는 제 2 전압 비교기로 구성되고, 이때, 상기 비교 결과, 제 1, 2 출력 전압 중 기준 전압(VREF)보다 낮은 제 1 전압 비교기 또는 제 2 전압 비교기의 출력을 활성화시키는 것을 특징으로 하는 멤리스터로 구현된 순차적 메모리 회로
7 7
(A) 베이스 층 모듈을 통해 정적 항목 하나씩을 인식하는 단계와,(B) 순차 층 모듈을 통해 상기 하나씩 인식되는 정적 항목을 입력으로 입력 패턴의 일련 순서를 감지하고 멤리스터 어레이에 저장된 복수의 레퍼런스 순서들 사이에서 검출된 순서에 가장 일치하는 열(columns)을 검출하는 단계를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 멤리스터로 구현된 순차적 메모리 구동방법
8 8
제 7 항에 있어서, 상기 (B) 단계는 베이스 층 모듈에서 인식된 각 항목은 하나 씩 입력되는 것을 특징으로 하는 멤리스터로 구현된 순차적 메모리 구동방법
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제 7 항에 있어서, 상기 (B) 단계는입력되는 항목의 순서로 시리얼 명령을 검출하는 단계와,멤리스터 어레이에 저장된 기준들과 입력 순서의 검출 순서를 비교하는 단계와,상기 비교 결과, 저장된 데이터 중 입력된 항목과 가장 유사한 서열을 검출하는 단계를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 멤리스터로 구현된 순차적 메모리 구동방법
10 10
제 7 항에 있어서, 상기 (B) 단계는HRS로 설정되어 직렬 연결되는 복수개의 멤리스터(MS1)(MS2)(MS3)(MS4)와, 상기 멤리스터들 간 사이에 각각 병렬 연결되어 베이스 층 모듈에서 입력되는 정적 항목을 각각 하나씩을 입력받는 복수개의 다이오드 스위치(D1)(D2)(D3)와, 상기 멤리스터에서 측정되는 전압과 기준 전압(VREF)을 비교하는 전압 비교기(I1)를 포함하여 구성되는 순차 층 모듈의 경우, 펄스 'A'가 제 1 다이오드 스위치(D1)에 입력되면, 제 1 멤리스터(MS1)는 HRS 및 LRS로부터 변경되고, 이때, 측정 전압(VS3)은 3VDD/4에서 2VDD/3로 변경되는 단계와,펄스 'B'가 제 2 다이오드 스위치(D2)에 입력되면, 제 2 멤리스터(MS2)는 LRS가 되고, 측정 전압(VS3)은 VDD/2로 저하되는 단계와,최종적으로 펄스 'C'가 제 3 다이오드 스위치(D3)에 입력되면, 제 3 멤리스터(MS3)는 LRS가 되고, 측정 전압(VS3)은 GND 부근에 위치되는 단계와,상기 측정 전압(VS3)이 기준 전압(VREF)보다 낮게 되면 출력(OUT)은 전압 비교기(I1)에 의해 활성화되는 단계를 포함하여 이루어지며, 이때, 상기 VDD는 입력 전압인 것을 특징으로 하는 멤리스터로 구현된 순차적 메모리 구동방법
11 11
제 10 항에 있어서,상기 세 개의 펄스들의 순서가 'A'→'B'→'C'와 동일하지 않을 경우는 전압 비교기(I1)에 의해 출력(OUT)은 비활성화되는 것을 특징으로 하는 멤리스터로 구현된 순차적 메모리 구동방법
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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 KR101973678 KR 대한민국 FAMILY

DOCDB 패밀리 정보

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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 교육부 국민대학교 산학협력단 이공학개인기초연구지원 3차원 메모리 집적을 위한 memristor 어레이 회로 연구
2 미래창조과학부 국민대학교산학협력단 국가간협력기반조성(비ODA) 신경모방응용을 위한 멤리스터 기반 Hybrid Cellular System
3 미래창조과학부 국민대학교산학협력단 선도연구센터지원 모듈형 스마트 패션 플랫폼 연구센터
4 미래창조과학부 명지대학교 산학협력단 나노소재기술개발 저차원 멤리스터 기반 기억/연산 통합형 나노신경소자 및 시스템(멤리스터 기반 기억/연산 통합형 나노신경소자의 모델링 및 검증 플랫폼 개발)