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금속 패턴을 형성한 후, 상기 금속 패턴 상에 붕소, 질소 또는 붕소와 질소를 포함하는 원료 가스를 주입하여 상기 금속의 촉매효과를 통해 상기 금속 패턴 상에서 붕소와 질소의 화학반응이 일어나도록 함으로써, 질화붕소 화합물이 상기 금속 패턴 상에 선택적으로 형성되도록 하는, 질화붕소 화합물 반도체의 선택적 영역 성장 방법
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제1항에 있어서, 상기 질화붕소 화합물은, 육방정 질화붕소, 입방정 질화붕소, 능면체 질화붕소, 난층 질화붕소 중 어느 하나의 구조를 포함하는, 질화붕소 화합물 반도체의 선택적 영역 성장 방법
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제1항에 있어서, 상기 화학반응은 붕소 또는 질소 증기의 반응, 또는붕소 또는 질소를 포함하는 화합물의 열분해에 의해 생성된 붕소 및 질소 원자의 반응인, 질화붕소 화합물 반도체의 선택적 영역 성장 방법
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제1항에 있어서, 상기 금속 패턴은, Ni, Co, Fe, Pt, Au, Al, Cr, Cu, Mg, Mn, Mo, Rh, Si, Ta, Ti, W, U, V, Zr, Ge 또는 이들의 합금, 황동, 청동, 및 스테인레스강으로 이루어진 그룹으로부터 선택된 하나 이상인, 질화붕소 화합물 반도체의 선택적 영역 성장 방법
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제1항에 있어서, 상기 금속 패턴은, SiO2, SiN, TiN, Al2O3, TiO2, Si3N4 상에 열증발장치 (thermal evaporator), 전자빔증발장치 (e-beam evaporator), 스퍼터 (sputter) 또는 전기도금 (electro-plating) 방법을 통해 형성되는, 질화붕소 화합물 반도체의 선택적 영역 성장 방법
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제1항에 있어서, 상기 금속 패턴은, 포토리소그래피(photolithography) 또는 전자-빔 리소그래피(e-beam lithography)를 이용하여 마스크 패턴을 형성하여 증착된 금속층을 식각(etching)하거나, 금속 기판 상에 SiO2, SiN, TiN, Al2O3, TiO2, Si3N4 및 SOG(Spin on glass) 중 어느 하나의 마스크층을 증착하여 패턴을 형성하는, 질화붕소 화합물 반도체의 선택적 영역 성장 방법
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제1항에 있어서,상기 금속 패턴은, 플라즈마 처리, 오존 처리 또는 감광 처리 중 어느 하나 이상의 처리법을 통해, 금속의 표면 반응 상태가 제어되는, 질화붕소 화합물 반도체의 선택적 영역 성장 방법
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제1항에 있어서, 상기 화학 반응의 속도를 조절하기 위하여, 붕소, 질소를 포함하는 원료가스의 주입량을 시간에 따라 조절하는, 질화붕소 화합물 반도체의 선택적 영역 성장 방법
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제1항에 있어서, 상기 붕소를 포함하는 원료가스는, 단원소 붕소, 염화 붕소, 불화 붕소, 브롬화 붕소, 요오드화 붕소를 포함한 염화 붕소물, 염화 붕소를 포함한 복합 화합물, 트리에틸 보레이트(Triethyl borate), 트리이소프로필 보레이트(Triisoproply borate), 붕소 무수물(Boric anhydride), 산화 붕소, 보레인(Borane), 보레인 피리딘 착물(Borane pyridine complex), Tri-tert-butyle borate, 데카보레인(decaborane) 중에서 선택된 1종 이상인, 질화붕소 화합물 반도체의 선택적 영역 성장 방법
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제1항에 있어서, 상기 질소를 포함하는 원료가스는,질소, 암모니아, 피라진, 1차 아민 (NRH2), 2차 아민 (NR2H), 3차 아민 (NR3) 및 4차 아민 (NR4) 및 아민 계열을 포함한 화합물(여기서 R은 알킬기임) 중에서 선택된 1종 이상인, 질화붕소 화합물 반도체의 선택적 영역 성장 방법
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제1항에 있어서, 상기 붕소와 질소를 포함하는 원료가스는,암모니아 보레인(ammonia borane), 보라진(borazine), 보레인 착물(borane complex), 보론 디메틸아민 착물(Borone dimethylamine complex), 보레인 피리딘 착물(borane pyridine complex) 중에서 선택된 1종 이상인, 질화붕소 화합물 반도체의 선택적 영역 성장 방법
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제6항에 있어서, 상기 식각 공정을 통해 마이크로미터 크기로 형성된 금속 패턴에 대해, 열적 어닐링 처리를 하여, 결정립 경계가 없는 단일 결정립의 금속 패턴이 형성되도록 하는, 질화붕소 화합물 반도체의 선택적 영역 성장 방법
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