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향상된 금속 표면의 결정성을 갖도록 열적 어닐링 처리되어 금속 결정의 방위가 정렬된 유연성 금속 필름;상기 유연성 금속 필름 상에 배치되며, 에피택시얼 성장된 이차원 층상 재료를 포함하여 상기 유연성 금속 필름의 금속 결정의 정렬된 결정 방위로 인한 향상된 결정성을 갖는 중간층; 및상기 중간층 상에 배치되며, 에피택시얼 성장으로 이루어진 반도체층;을 포함하는, 유연성 반도체 필름
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제1항에 있어서,상기 유연성 금속 필름은 Ni, Co, Fe, Pt, Au, Al, Cr, Cu, Mg, Mn, Mo, Rh, Si, Ta, Ti, W, U, V, Zr, 황동(brass), 청동(bronze), 스테인레스 스틸(stainless steel) 및 Ge로 이루어진 그룹으로부터 선택된 하나 이상의 금속 또는 그 합금을 포함하는, 유연성 반도체 필름
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제1항에 있어서,상기 이차원 층상 재료는 탄소, 붕소, 질소, 전이금속, 및 칼코젠 원자 중 적어도 하나 또는 그 화합물의 기상 화학반응을 이용하여 성장하는 물질을 포함하되,상기 칼코젠 원자는 O, S, Se, 및 Te 중 적어도 하나를 포함하는, 유연성 반도체 필름
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제4항에 있어서,상기 이차원 층상 재료는 그래핀(graphene), h-BN, MoS2, WS2, WSe2, MoTe2, WTe2, ZrS2, ZrSe2, NbS2, TaS2, TiS2, NiSe2, GaSe, GaTe, InSe, Bi2Se3 중 적어도 하나를 포함하는, 유연성 반도체 필름
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제1항에 있어서,상기 반도체층은 IV, III/V, II/VI, 및 IV/VI 중 적어도 하나의 반도체 물질 또는 그 반도체 화합물을 포함하는, 유연성 반도체 필름
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제6항에 있어서,상기 반도체층은 SiC, BP, BAs, AlN, AlP, AlAs, AlSb, GaN, GaP, GaAs, GaSb, InN, InP, InAs, InSb, CdSe, CdS, CdTe, ZnO, ZnSe, ZnTe, PbSe, PbS, PbTe, SnS, SnS2, SnTe, AlInSb, GaAsN, GaAsSb, InAsSb, InGaSb, SiGe, SiSn, AlGaInP, AlInAs, InGaN, AlGaN, InGaP, HgZnTe, GaAsP, AlGaP, 및 InGaAs 중 적어도 하나 또는 그 화합물을 포함하는, 유연성 반도체 필름
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유연성 금속 필름을 준비하는 단계;향상된 금속 표면 결정성을 갖도록 상기 유연성 금속 필름의 종류에 따라 미리 설정된 온도로 상기 유연성 금속 필름에 열적 어닐링을 수행하여 금속 결정의 방위를 정렬하는 단계;상기 유연성 금속 필름 상에 이차원 층상 재료를 에피택시얼 성장시켜 상기 금속 결정의 정렬된 결정 방위로 인한 향상된 결정성을 갖는 중간층을 형성하는 단계;연속적으로 상기 중간층 상에 반도체 물질을 에피택시얼 성장시켜 대면적 성장이 용이한 반도체층을 형성하는 단계;를 포함하는, 유연성 반도체 필름의 제조 방법
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제9항에 있어서,상기 유연성 금속 필름은 Ni, Co, Fe, Pt, Au, Al, Cr, Cu, Mg, Mn, Mo, Rh, Si, Ta, Ti, W, U, V, Zr, 황동(brass), 청동(bronze), 스테인레스 스틸(stainless steel) 및 Ge로 이루어진 그룹으로부터 선택된 하나 이상의 금속 또는 그 합금을 포함하는, 유연성 반도체 필름의 제조 방법
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제9항에 있어서,상기 이차원 층상 재료는 탄소, 붕소, 질소, 전이금속, 및 칼코젠 원자 중 적어도 하나 또는 그 화합물의 기상 화학반응을 이용하여 성장하는 물질을 포함하되,상기 칼코젠 원자는 O, S, Se, 및 Te 중 적어도 하나를 포함하는, 유연성 반도체 필름의 제조 방법
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제13항에 있어서,상기 이차원 층상 재료는 그래핀(graphene), h-BN, MoS2, WS2, WSe2, MoTe2, WTe2, ZrS2, ZrSe2, NbS2, TaS2, TiS2, NiSe2, GaSe, GaTe, InSe, Bi2Se3 중 적어도 하나를 포함하는, 유연성 반도체 필름의 제조 방법
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제9항에 있어서,상기 반도체층은 IV, III/V, II/VI, 및 IV/VI 중 적어도 하나의 반도체 물질 또는 그 반도체 화합물을 포함하는, 유연성 반도체 필름의 제조 방법
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제15항에 있어서,상기 반도체층은 SiC, BP, BAs, AlN, AlP, AlAs, AlSb, GaN, GaP, GaAs, GaSb, InN, InP, InAs, InSb, CdSe, CdS, CdTe, ZnO, ZnSe, ZnTe, PbSe, PbS, PbTe, SnS, SnS2, SnTe, AlInSb, GaAsN, GaAsSb, InAsSb, InGaSb, SiGe, SiSn, AlGaInP, AlInAs, InGaN, AlGaN, InGaP, HgZnTe, GaAsP, AlGaP, 및 InGaAs 중 적어도 하나 또는 그 화합물을 포함하는, 유연성 반도체 필름의 제조 방법
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제9항에 있어서,상기 유연성 금속 필름 상에 절연 물질로 마스크 패턴을 형성하는 단계;상기 마스크 패턴 상에 포토레지스트를 형성하는 단계;상기 마스크 패턴이 형성된 상기 유연성 금속 필름 상에 금속층을 형성하는 단계; 및상기 포토레지스트를 현상하여 상기 마스크 패턴 상의 금속층을 제거하는 단계를 수행하여,금속층 상에 중간층을 이용하여 반도체 필름을 선택적으로 성장시켜 패터닝된 유연성 반도체 필름을 형성하는, 유연성 반도체 필름의 제조 방법
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