| 1 |
1
제1 기판, 상기 제1 기판 상에 형성된 GaN 계열의 버퍼층, 상기 버퍼층 상에 형성된 GaN층, 상기 GaN층 상에 형성된 것으로 AlxGa1-xN층, InxAl1-xN층 및 InxAlyGa1-x-yN층으로 이루어지는 군에서 선택되는 1종의 층, 상기 AlxGa1-xN층, InxAl1-xN층 및 InxAlyGa1-x-yN층으로 이루어지는 군에서 선택되는 1종의 층 상에 형성된 소스 전극 및 드레인 전극, 그리고 상기 소스 전극 및 드레인 전극 사이의 일부 영역에 형성된 검지물질층을 구비하는 고전자 이동도 트랜지스터 구조물을 준비하는 단계;상기 소스 전극, 상기 드레인 전극 및 상기 검지물질층 상부에 일시적으로 본딩 가능한 물질을 형성한 후 제2 기판을 본딩하는 단계;제3 기판, 및 상기 제3 기판 상에 공동구조나 마이크로 구멍 구조를 형성하고, 제 3 기판의 접합을 준비하는 단계;상기 버퍼층으로부터 상기 제1 기판을 분리하는 단계;상기 제1 기판을 분리한 후, 상기 검지물질층이 형성되는 상기 AlxGa1-x N층, InxAl1-x N층 및 InxAlyGa 1-x-yN층으로 이루어지는 군에서 선택되는 1종의 층과 반대되는 면인 제1기판이 분리된 에피층에 마이크로 히터를 형성하는 단계;상기 마이크로 히터 구조를 형성한 후, 상기 제3 기판의 공동구조나 구멍에 마이크로 히터가 위치할 수 있도록 상기 제3 기판을 상기 버퍼층에 본딩하는 단계; 및상기 제3 기판을 본딩한 후 상기 고전자 이동도 트랜지스터 구조물에서 상기 제2 기판을 분리하는 단계를 포함하는, 마이크로 히터를 구비한 고전자 이동도 트랜지스터 구조 센서의 제조 방법
|
| 2 |
2
제 1항에 있어서,상기 검지물질층은 상기 AlxGa1-xN층, InxAl1-xN층 및 InxAlyGa1-x-yN층으로 이루어지는 군에서 선택되는 1종의 층의 일부가 식각되어 만들어진 리세스 영역에 형성된 것인, 마이크로 히터를 구비한 고전자 이동도 트랜지스터 구조 센서의 제조 방법
|
| 3 |
3
제 1항에 있어서,상기 AlxGa1-xN층, InxAl1-xN층 및 InxAlyGa1-x-yN층으로 이루어지는 군에서 선택되는 1종의 층과 상기 검지물질층 사이에 검지 감도 향상층, 보호층 또는 절연층이 추가로 형성된 것인, 마이크로 히터를 구비한 고전자 이동도 트랜지스터 구조 센서의 제조 방법
|
| 4 |
4
제 1항에 있어서,상기 제1 기판은,사파이어, AlN, Diamond, BN, SiC 및 GaN로 이루어지는 군에서 선택되는 어느 하나의 재료로 만들어지는 것인, 마이크로 히터를 구비한 고전자 이동도 트랜지스터 구조 센서의 제조 방법
|
| 5 |
5
제 1항에 있어서,상기 제1 기판과 상기 GaN 계열의 버퍼층 사이에 희생층이 추가로 형성된 것인, 마이크로 히터를 구비한 고전자 이동도 트랜지스터 구조 센서의 제조 방법
|
| 6 |
6
제 5항에 있어서,상기 희생층은,상기 제1 기판 및 상기 GaN 계열의 버퍼층보다 낮은 에너지 밴드갭을 가지는 물질로 이루어진 것인, 마이크로 히터를 구비한 고전자 이동도 트랜지스터 구조 센서의 제조 방법
|
| 7 |
7
제 1항에 있어서,상기 AlxGa1-xN층의 x값은, 0003c#x≤1 인 것인, 마이크로 히터를 구비한 고전자 이동도 트랜지스터 구조 센서의 제조 방법
|
| 8 |
8
제 1항에 있어서,상기 InxAl1-xN층의 x값은,0003c#x≤1 인 것인, 마이크로 히터를 구비한 고전자 이동도 트랜지스터 구조 센서의 제조 방법
|
| 9 |
9
제 1항에 있어서,상기 InxAlyGa1-x-yN층의 x와 y값은,0003c#x≤1, 0003c#y≤1, 0003c#(x+y)≤1 인 것인, 마이크로 히터를 구비한 고전자 이동도 트랜지스터 구조 센서의 제조 방법
|
| 10 |
10
제 1항에 있어서,상기 AlxGa1-xN층, InxAl1-xN층 및 InxAlyGa1-x-yN층으로 이루어지는 군에서 선택되는 1종의 층 상에 두께 10 nm 이하의 GaN cap 층이 추가로 형성된 것인, 마이크로 히터를 구비한 고전자 이동도 트랜지스터 구조 센서의 제조 방법
|
| 11 |
11
제 1항에 있어서,상기 일시적으로 본딩 가능한 물질은,포토레지스트, SOG(Spin On glass) 또는 전사테이프인 것인, 마이크로 히터를 구비한 고전자 이동도 트랜지스터 구조 센서의 제조 방법
|
| 12 |
12
제 1항에 있어서,상기 제2 기판을 본딩하는 단계는,1
|
| 13 |
13
제 1항에 있어서,상기 제2 기판은,Si, 유리 또는 고분자의 재료로 만들어지는 것인, 마이크로 히터를 구비한 고전자 이동도 트랜지스터 구조 센서의 제조 방법
|
| 14 |
14
제 1항에 있어서,상기 제1 기판을 분리하는 단계는,레이저 리프트오프 또는 케미컬 리프트오프 공정에 의하여 수행되는 것인, 마이크로 히터를 구비한 고전자 이동도 트랜지스터 구조 센서의 제조 방법
|
| 15 |
15
제 1항에 있어서,상기 마이크로 히터는,Pt, Au, W, Pd, Mo, 폴리실리콘 또는 이들 금속이 포함된 물질로 만들어지는 것인, 마이크로 히터를 구비한 고전자 이동도 트랜지스터 구조 센서의 제조 방법
|
| 16 |
16
제 1항에 있어서,상기 마이크로 히터의 상단에 SiO2, SiNx 및 Si3N4 로 이루어지는 군으로 형성된 보호층이 구비된, 마이크로 히터를 구비한 고전자 이동도 트랜지스터 구조 센서의 제조 방법
|
| 17 |
17
제 1항에 있어서,상기 제3 기판은,Si, Ge, Al, W, Cr, Ni, Cu 또는 이들의 합금, 비정질 AlN, 비정질 SiC, graphite, 나노카본, 또는 고분자의 재료로 만들어지는 것인, 마이크로 히터를 구비한 고전자 이동도 트랜지스터 구조 센서의 제조 방법
|
| 18 |
18
제 13항 또는 제 17항에 있어서,상기 고분자는,폴리카보네이트(polycarbonate, PC), 폴리에틸렌나프탈레이트 (Polyethylene naphthalate, PEN), 폴리노르보넨(Polynorbornene), 폴리아크릴레이드(polyacrylate), 폴리비닐알콜(Polyvinyl alcohol), 폴리이미드(polyimide), 폴리에틸렌 테레프탈레이트(polyethylene terephthalate, PET), 폴리에테르설폰(Polyethersulfone, PES), 폴리스타일렌(Polystyrene, PS), 폴리프로필렌(Polypropylene, PP), 폴리에틸렌(Polyethylene, PE), 폴리염화비닐(polyvinylchloride, PVC), 폴리아미드(Polyamide, PA), 폴리부틸렌테레프탈레이트(Polybutyleneterephthalate, PBT), 폴리메틸메타크릴레이트(Polymethyl methacrylate, PMMA) 및 폴리디메틸실록산(Polydimethylsiloxane, PDMS)로 이루어지는 군에서 선택되는 어느 하나를 포함하는 것인, 마이크로 히터를 구비한 고전자 이동도 트랜지스터 구조 센서의 제조 방법
|
| 19 |
19
제 1항에 있어서,상기 제2 기판을 분리하는 단계는,리소그래피용 레지스트 리무버(Remover)를 사용하거나, SOG 에칭을 위한 식각액 또는 80℃ 내지 200℃의 열을 가하여 수행되는 것인, 마이크로 히터를 구비한 고전자 이동도 트랜지스터 구조 센서의 제조 방법
|
| 20 |
20
제1 기판, 상기 제1 기판 상에 형성된 GaN 계열의 버퍼층, 상기 버퍼층 상에 형성된 GaN층, 상기 GaN층 상에 형성된 것으로 AlxGa1-xN층, InxAl1-xN층 및 InxAlyGa1-x-yN층으로 이루어지는 군에서 선택되는 1종의 층, 상기 AlxGa1-xN층, InxAl1-xN층 및 InxAlyGa1-x-yN층으로 이루어지는 군에서 선택되는 1종의 층 상에 형성된 옴성접촉 전극, 그리고 쇼트키성접촉을 형성하는 검지물질층과 이와 연결된 옴성접촉전극을 구비하는 쇼트키 다이오드 구조물을 준비하는 단계;상기 쇼트키 다이오드 구조물 상부에 일시적으로 본딩 가능한 물질을 형성한 후 제2 기판을 본딩하는 단계;제3 기판, 및 상기 제3 기판 상에 공동구조나 마이크로 구멍 구조를 형성하고, 제 3 기판의 접합을 준비하는 단계;상기 버퍼층으로부터 상기 제1 기판을 분리하는 단계;상기 제1 기판을 분리한 후, 상기 검지물질층이 형성되는 상기 AlxGa1-x N층, InxAl1-x N층 및 InxAlyGa 1-x-yN층으로 이루어지는 군에서 선택되는 1종의 층과 반대되는 면인 제1기판이 분리된 에피층에 마이크로 히터를 형성하는 단계;상기 마이크로 히터 구조를 형성한 후, 상기 제3 기판의 공동구조나 구멍에 마이크로 히터가 위치할 수 있도록 상기 제3 기판을 상기 버퍼층에 본딩하는 단계; 및상기 제3 기판을 본딩한 후 상기 쇼트키 다이오드 구조물에서 상기 제2 기판을 분리하는 단계를 포함하는, 마이크로 히터를 구비한 쇼트키 다이오드 구조 센서의 제조 방법
|
