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기판;상기 기판 상에 배치되는 상부 투명 전극;상기 기판과 상기 상부 투명 전극 사이에 챔버를 제공하는 격벽;상기 챔버 내에 제공되되, 상기 기판 상에 배치되는 광변조부; 및상기 챔버를 채우고, 이온 상태의 제 1 금속을 포함하는 전해질을 포함하고,상기 광변조부는:상기 기판 상의 반사층; 및상기 반사층 상의 하부 투명 전극을 포함하는 광변조 소자
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제1 항에 있어서,상기 하부 투명 전극에 음의 전위가 인가될 때, 상기 하부 투명 전극 표면에 금속층이 전착되되,상기 금속층은 상기 제1 금속을 포함하는 광변조 소자
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제1 항에 있어서,상기 제 1 금속은 은(Ag), 비스무스(Bi), 알루미늄(Al) 또는 구리(Cu)를 포함하는 광변조 소자
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제1 항에 있어서,상기 반사층은 알루미늄(Al) 또는 은(Ag)을 포함하는 광변조 소자
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제1 항에 있어서,상기 하부 투명 전극은 10나노미터 내지 300나노미터의 두께를 갖는 광변조 소자
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제1 항에 있어서,상기 상부 투명전극의 일면 상에 배치되고,상기 전해질과 접하는 이온저장층을 더 포함하는 광변조 소자
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제6 항에 있어서,상기 이온저장층은 타이타늄 산화물(TiO2), 안티몬이 도핑된 주석 산화물(Sb-doped SnO2), 세륨 산화물-타이타늄 산화물(CeO2-TiO2) 또는 세륨 산화물-실리콘 산화물(CeO2-SiO2)을 포함하는 광변조 소자
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제1 항에 있어서,상기 기판과 상기 광변조부 사이에 배치되는 제1 절연층을 더 포함하는 광변조 소자
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제1 항에 있어서,상기 광변조부는 상기 챔버 내에 복수 개로 제공되는 광변조 소자
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