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기판;상기 기판 상에 배치된 n형 GaN층;상기 n형 GaN층 상에 배치된 활성층;상기 활성층 상에 배치된 p형 GaN층;상기 p형 GaN층 상에 배치된 전류 퍼짐층;상기 전류 퍼짐층 상에 배치된 p 전극;상기 전류 퍼짐층, 상기 p형 GaN층, 상기 활성층, 및 상기 n형 GaN층의 일부를 제거하여 형성된 메사 영역;상기 메사 영역의 일부 또는 전부에서 상기 n형 GaN층 상에 배치된 투명 창문층;상기 투명 창문층을 관통하여 상기 n형 GaN층에 접촉하는 복수의 콘택 플러그; 및상기 투명 창문층 상에 배치되고 상기 콘택 플러그를 연결하는 n 전극을 포함하고,상기 전류 퍼짐층, 상기 p형 GaN층, 및 상기 활성층은 서로 수직으로 정렬되어 발광 영역을 제공하고,상기 메사 영역과 상기 발광 영역의 경계에서 상기 투명 창문층의 측면에 배치된 절연 측벽; 및상기 메사 영역에서 상기 n형 GaN층과 상기 투명 창문층 사이에 개재된 씨드층;을 중에서 적어도 하나를 더 포함하는 것을 특징으로 수평형 발광다이오드 소자
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제1 항에 있어서,상기 투명 창문층의 상부면은 상기 전류 퍼짐층보다 높은 것을 특징으로 하는 수평형 발광다이오드 소자
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제1 항에 있어서,상기 투명 창문층은 산화아연(ZnO), 산화지르코늄(ZrO2) 산화티탄(TiO2), 산화크롬(Cr2O), 산화인듐주석(ITO), 산화인듐아연(IZO), 산화인듐주석아연(IZTO), 산화인듐(In2O3), 산화주석(SnO2), 산화규소(SiO2), 불화마그네슘(MgF2) 등의 산화물 및 이들의 조합에서 선택된 적어도 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 수평형 발광다이오드 소자
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제1 항에 있어서,상기 n 전극 및 상기 메사 영역은 제1 방향으로 연장되고,상기 콘택 플러그들은 상기 제1 방향을 따라 배열되고,상기 콘택 플러그들 사이의 간격은 상기 제1 방향을 따라 진행함에 따라 순차적으로 감소하는 것을 특징으로 하는 수평형 발광다이오드 소자
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제1 항에 있어서,상기 투명 창문층은 굴절률이 순차적으로 감소하는 복층 구조인 것을 특징으로 하는 수평형 발광 다이오드 소자
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제1 항에 있어서,상기 메사 영역은 상기 발광 영역을 감싸도록 배치된 주변 메사 영역과 상기 발광 영역으로 가로지르는 n 전극 메사 영역을 포함하고,상기 투명 창문층은 상기 n 전극 메사 영역에만 배치되는 것을 특징으로 하는 수평형 발광 다이오드 소자
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기판 상에 n형 GaN층, 활성층, p형 GaN층, 및 전류 퍼짐층을 순서대로 적층하는 단계;패터닝 공정을 이용하여 상기 전류 퍼짐층, 상기 p형 GaN층, 상기 활성층, 및 상기 n형 GaN층의 일부를 이방석 식각을 사용하여 제거하여 메사 영역을 형성하는 단계;상기 전류 퍼짐층, 상기 p형 GaN층, 상기 활성층, 및 상기 n형 GaN층의 일부로 구성된 발광 영역의 측벽에 절연 측벽을 형성하는 단계;상기 메사 영역에서 노출된 n형 GaN층 상에 씨앗층을 형성하는 단계;상기 씨앗층 상에 투명 창문층을 결정 상태로 성장시키는 단계; 상기 투명 창문층 및 상기 씨앗층을 관통하여 상기 n형 GaN층에 접촉하는 콘택 플러그들을 형성하는 단계;상기 투명 창문층 상에 상기 콘택 플러그들을 연결하는 n 전극을 형성하는 단계; 및상기 전류 퍼짐층 상에 p 전극을 형성하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 수평형 발광다이오드 소자의 제조방법
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제8항에 있어서,상기 투명 창문층은 산화아연(ZnO), 산화지르코늄(ZrO2), 산화티탄(TiO2), 산화크롬(Cr2O), 산화인듐주석(ITO), 산화인듐아연(IZO), 산화인듐주석아연(IZTO), 산화인듐(In2O3), 및 산화주석(SnO2) 중에서 선택되는 금속산화물인 것을 특징으로 하는 수평형 발광다이오드 소자의 제조방법
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제8항에 있어서,상기 투명 창문층은 수열합성법에 의하여 성장되는 것을 특징으로 하는 수평형 발광다이오드 소자의 제조방법
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