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발광 다이오드 및 이의 제조 방법(Light emitting diodes Thermoelectric material, method of fabricating the same, and thermoelectric device)

  • 기술번호 : KST2018000861
  • 담당센터 : 서울서부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-6124-6930
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 발광 다이오드 및 이의 제조 방법에 관한 것이다. 본 발명의 일 실시예에 따르면, 제 1 전극, 상기 제 1 전극 상의 산화 아연의 나노 로드들을 포함하는 N 형 산화 아연층, 상기 산화 아연층 상에 형성되어 이종 접합을 형성하는 산화 구리의 나노 로드들을 포함하는 P 형 산화 구리층 및 상기 산화 구리층 상에 형성되는 제 2 전극을 포함하는 발광 다이오드가 제공될 수 있다.
Int. CL H01L 33/02 (2016.08.12) H01L 33/00 (2016.08.12) H01L 33/38 (2016.08.12) H01L 33/44 (2016.08.12)
CPC H01L 33/02(2013.01) H01L 33/02(2013.01) H01L 33/02(2013.01) H01L 33/02(2013.01) H01L 33/02(2013.01) H01L 33/02(2013.01)
출원번호/일자 1020160088907 (2016.07.13)
출원인 연세대학교 산학협력단
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2018-0007625 (2018.01.23) 문서열기
공고번호/일자 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2016.07.13)
심사청구항수 21

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 연세대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 서대문구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 명재민 대한민국 경기도 고양시 일산동구
2 비스바스 프라납 인도 서울특별시 서대문구
3 이상훈 대한민국 서울특별시 영등포구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 김권석 대한민국 서울특별시 서초구 논현로**, B동 *층(양재동, 삼호물산빌딩)(아이피맥스특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 연세대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 서대문구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2016.07.13 수리 (Accepted) 1-1-2016-0680151-02
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2017.05.15 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2017.12.18 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-6-2017-0184404-17
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2017.12.20 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2017-0893727-11
5 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)		 2018.02.20 수리 (Accepted) 1-1-2018-0174788-53
6 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)		 2018.03.20 수리 (Accepted) 1-1-2018-0277885-11
7 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)		 2018.04.20 수리 (Accepted) 1-1-2018-0395827-18
8 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2018.05.15 수리 (Accepted) 1-1-2018-0477665-19
9 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2018.05.15 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2018-0477689-15
10 등록결정서
Decision to grant		 2018.09.28 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2018-0661745-37
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
제 1 전극;상기 제 1 전극 상의 산화 아연의 나노 로드들을 포함하는 N 형 산화 아연층;상기 산화 아연층 상에 형성되어 이종 접합을 형성하는 산화 구리의 나노 로드들을 포함하는 P 형 산화 구리층; 및상기 산화 구리층 상에 형성되는 제 2 전극을 포함하며,상기 산화 아연층은 단결정 구조를 갖고,상기 산화 구리층은 다결정 구조를 갖는 발광 다이오드
2 2
제 1 항에 있어서,상기 산화 구리의 나노 로드들은 400 nm 내지 500 nm의 길이 및 50 nm 내지 100 nm의 두께를 갖는 발광 다이오드
3 3
제 1 항에 있어서,상기 P 형 산화 구리층의 두께는 1 ㎛ 내지 3 ㎛의 범위 내인 발광 다이오드
4 4
제 1 전극;상기 제 1 전극 상의 산화 아연의 나노 로드들을 포함하는 N 형 산화 아연층;상기 산화 아연층 상에 형성되어 이종 접합을 형성하는 산화 구리의 나노 로드들을 포함하는 P 형 산화 구리층; 및상기 산화 구리층 상에 형성되는 제 2 전극을 포함하며,상기 산화 구리의 나노 로드들은 (111) 면으로 우선 성장된 단사정계 결정 구조를 갖는 발광 다이오드
5 5
제 1 전극;상기 제 1 전극 상의 산화 아연의 나노 로드들을 포함하는 N 형 산화 아연층;상기 산화 아연층 상에 형성되어 이종 접합을 형성하는 산화 구리의 나노 로드들을 포함하는 P 형 산화 구리층; 및상기 산화 구리층 상에 형성되는 제 2 전극을 포함하며,상기 산화 아연의 나노 로드들은 (002) 면으로 우선 성장된 육각형의 우르츠광(hexagonal wurtzite) 결정 구조를 갖는 발광 다이오드
6 6
제 1 항, 제 4 항 및 제 5 항 중 어느 한 항에 있어서,상기 산화 아연의 나노 로드들은 500 nm 내지 700 nm의 길이를 갖는 발광 다이오드
7 7
제 1 항, 제 4 항 및 제 5 항 중 어느 한 항에 있어서,상기 산화 아연층의 두께는 400 nm 내지 800 nm의 범위 내인 발광 다이오드
8 8
제 1 항, 제 4 항 및 제 5 항 중 어느 한 항에 있어서,상기 발광 다이오드의 제 1 피크는 610 내지 620 nm의 범위 내의 전기 발광 특성을 갖는 발광 다이오드
9 9
제 1 항, 제 4 항 및 제 5 항 중 어느 한 항에 있어서,상기 발광 다이오드의 제 2 피크는 710 내지 720 nm의 범위 내의 전기 발광 특성을 갖는 발광 다이오드
10 10
제 1 항, 제 4 항 및 제 5 항 중 어느 한 항에 있어서,상기 산화 구리층은 9
11 11
제 1 항, 제 4 항 및 제 5 항 중 어느 한 항에 있어서,상기 발광 다이오드는 105 이상의 일정한 정류 비를 갖는 발광 다이오드
12 12
제 1 항, 제 4 항 및 제 5 항 중 어느 한 항에 있어서,상기 제 1 전극은 갈륨-아연 산화물을 포함하는 발광 다이오드
13 13
기판 상에 제 1 전극을 형성하는 단계; 상기 제 1 전극 상의 산화 아연의 나노 로드들을 포함하는 N 형 산화 아연층을 형성하는 단계; 상기 산화 아연층 상에 산화 구리의 나노 로드들을 포함하는 P 형 산화 구리층을 형성하는 단계; 및상기 산화 구리층 상에 제 2 전극을 형성하는 단계를 포함하며,상기 산화 아연층을 형성하는 단계는,상기 기판 상에, 상기 제 1 전극을 노출시키는 개구 영역을 갖는 몰드 패턴을 형성하는 단계; 및 상기 몰드 패턴의 상기 개구 영역 내에 상기 산화 아연층을 형성하는 단계를 포함하고, 상기 산화 구리층을 형성하는 단계는,스탬프 기판 상에 상기 산화 구리층을 형성하는 단계; 상기 스탬프 기판 상의 상기 산화 구리층이 형성된 면을 상기 산화 아연층이 형성된 몰드 패턴 상에 접촉시켜 가압하는 단계; 및 상기 스탬프 기판을 제거하여 상기 몰드 패턴의 상기 개구 영역 내의 상기 산화 아연층 상부 표면 상에 상기 산화 구리층의 일부를 전달하는 단계를 하는 단계를 포함하는 발광 다이오드의 제조 방법
14 14
제 13 항에 있어서,상기 산화 구리층이 형성된 스탬프 기판 상에 상기 제 2 전극이 형성된 발광 다이오드의 제조 방법
15 15
제 13 항에 있어서, 상기 산화 구리층을 형성하는 단계는,질산 구리 3수화물(Cu(NO3)2
16 16
제 15 항에 있어서, 상기 산화 구리 분말을 수득하는 단계는, 상기 반응 용액을 건조시키는 단계 전에, 상기 반응 용액을 세척하는 단계; 및상기 세척된 반응 용액을 원심 분리시켜 상기 산화 구리 분말을 수득하는 단계를 더 포함하는 발광 다이오드의 제조 방법
17 17
제 15 항에 있어서, 상기 혼합 용액에 에틸렌 글리콜을 첨가하여 단계를 더 포함하는 발광 다이오드의 제조 방법
18 18
제 13 항에 있어서, 상기 몰드 패턴은 포토레지스트(photoresist: PR) 패턴을 포함하는 발광 다이오드의 제조 방법
19 19
제 13 항에 있어서, 상기 산화 아연층을 형성하는 단계는 수열 합성법(hydrothermal)에 의해 수행되는 발광 다이오드의 제조 방법
20 20
제 13 항에 있어서, 상기 산화 아연의 나노 로드들은 상기 제 1 전극 상에서 수직 성장된 발광 다이오드의 제조 방법
21 21
제 1 전극;상기 제 1 전극을 노출시키는 개구 영역을 한정하며 포토레지스트로 형성된 몰드 패턴;상기 몰드 패턴의 상기 개구 영역 내에 산화 아연의 나노 로드들을 포함하는 N 형 산화 아연층; 상기 산화 아연층 상에 형성되어 이종 접합을 형성하도록, 상기 몰드 패턴의 상기 개구 영역 내에서 상기 N 형 산화 아연층의 상기 나노 로드들에 가압 접촉된 산화 구리의 나노 로드들을 포함하는 P 형 산화 구리층; 및상기 산화 구리층 상에 형성되는 제 2 전극을 포함하는 발광 다이오드
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.