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기판 상에 이차원 물질을 포함하는 채널 층을 제공하는 것;도전 층의 제1 면 상에 금속 섬유 층을 제공하는 것;상기 채널 층 상에 상기 금속 섬유 층을 제공하는 것; 및열처리 공정을 통해 상기 금속 섬유 층의 일부와 상기 채널 층의 일부가 공유 결합된 접합 층을 형성하는 것을 포함하는 전자 소자의 제조 방법
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제1항에 있어서, 상기 금속 섬유 층을 제공하는 것은, 오믹 금속 물질을 포함하는 토출 용액을 상기 제1 면 상에 전기 방사(electro spinning)하는 것을 포함하는 전자 소자의 제조 방법
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제2항에 있어서, 상기 오믹 금속 물질은 Mo, W, Ni, Pd, 및 Ti 중 적어도 어느 하나를 포함하는 전자 소자의 제조 방법
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제1항에 있어서, 상기 금속 섬유 층은 상기 제1 면 상에 그리드 형상 또는 불규칙 형상으로 제공되는 전자 소자의 제조 방법
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제1항에 있어서,상기 이차원 물질은 몰리다이설파이드(MoS2), 텅스텐다이설파이드(MoS2), 몰리다이셀레나이드(MoSe2), 텅스텐다이셀레나이드(MoSe2), 블랙포스퍼(Black Phosphor), 그래핀 (Graphene) 중 어느 하나를 포함하는 전자 소자의 제조 방법
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제1항에 있어서,상기 채널 층 상에 게이트 절연층을 제공하는 것을 더 포함하는 전자 소자의 제조 방법
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제6항에 있어서, 상기 게이트 절연 층의 경계와 인접한 상기 도전 층과 상기 금속 섬유 층을 식각하는 것을 더 포함하는 전자 소자의 제조 방법
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제1항에 있어서, 상기 도전 층은 그래핀, 그라파이트, 및 탄소나노튜브 중 적어도 어느 하나를 포함하는 전자 소자의 제조 방법
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제1항에 있어서, 상기 도전 층은 컬렉터 기판 상에 제공되고, 상기 제1 면 상에 상기 금속 섬유 층을 제공한 후, 상기 도전 층을 상기 컬렉터 기판으로부터 분리하는 것을 더 포함하는 전자 소자의 제조 방법
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기판 상에 배치되고, 이차원 물질을 포함하는 채널 층; 상기 채널 층 상에 배치되는 금속 섬유 층; 및상기 금속 섬유와 상기 채널 층 사이에 배치되고, 상기 금속 섬유 층과 상기 채널 층이 공유 결합되어 형성된 접합 층을 포함하는 전자 소자
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제10항에 있어서,상기 금속 섬유 층은 Mo, W, Ni, Pd, 및 Ti 중 적어도 어느 하나를 포함하는 전자 소자
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제10항에 있어서,상기 이차원 물질은 몰리다이설파이드(MoS2), 텅스텐다이설파이드(MoS2), 몰리다이셀레나이드(MoSe2), 텅스텐다이셀레나이드(MoSe2), 블랙포스퍼(Black Phosphor), 그래핀 (Graphene) 중 어느 하나를 포함하는 전자 소자
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제10항에 있어서,상기 금속 섬유 층을 덮는 도전 층을 더 포함하는 전자 소자
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제10항에 있어서, 상기 채널 층과 상기 금속 섬유 층 사이에 배치된 게이트 절연 층을 더 포함하는 전자 소자
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제14항에 있어서, 상기 금속 섬유 층은:상기 게이트 절연 층 상에 배치된 게이트 층;상기 게이트 절연 층의 일측에 이격 배치되는 소스 층; 및상기 게이트 절연 층의 타측에 이격 배치되는 드레인 층을 포함하는 전자 소자
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제10항에 있어서, 상기 금속 섬유 층은 상기 채널 층 상에 그리드 형상 또는 불규칙 형상으로 제공되는 전자 소자
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제10항에 있어서,상기 접합 층과 상기 금속 섬유 층은 서로 중첩되는 전자 소자
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