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이송되는 기판 상에 두께가 가변 가능한 나노 입자층을 형성하기 위한 나노 입자층 형성장치에 있어서,고정된 위치에서 수평하게 배치되는 상부기판;상기 상부기판과 80㎛ 내지 120㎛ 이격되어 평행하게 배치되며, 미리 결정된 속도로 일방향으로 이송되는 하부기판;상기 상부기판 및 상기 하부기판 사이의 수용공간으로 직경이 1 나노미터(nm) 내지 20 나노미터(nm)인 금(Au), 은(Ag), 산화알루미늄(Al2O3), 실리카(SiO2) 중 어느 하나의 재질의 나노입자가 초순수에 혼합되어 구성되는 나노유체를 공급하는 나노유체 공급장치;를 포함하며,상기 나노유체 공급장치는 상기 상부기판과 상기 하부기판 사이에 공급된 나노유체가 상기 하부기판의 이송방향과 반대방향으로 오목한 매니스커스 액면이 유지되는 상태로 상기 상부기판 및 상기 하부기판 사이에 수용된 나노유체의 상기 일방향 액면의 속도가 미리 결정된 제1 시간 동안 제1 속도(0 003c# 제1 속도)로 유지된 후 감속되어 미리 결정된 제2 시간 동안 제2 속도(0 003c# 제2 속도 003c# 제1 속도)가 되도록 유지한 후 감속되어 미리 결정된 미리 결정된 제3 시간 동안 제3 속도(제3 속도 003c# 0)가 되도록 상기 상부기판 및 상기 하부기판 사이에 수용된 나노유체의 유량을 제어하는 것을 특징으로 하는 나노 입자층 형성장치
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제1항에 있어서,상기 하부기판은 제2 속도로 등속 이송되는 것을 특징으로 하는 나노 입자층 형성장치
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제1항에 있어서,상기 나노유체의 액면이 제3 속도로 상기 일방향 반대방향으로 후퇴하는 동안 상기 하부기판 상면에 단층 나노 입자층이 형성되는 것을 특징으로 하는 나노 입자층 형성장치
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제6항에 있어서,상기 나노유체의 액면이 제1 속도로 상기 일방향으로 전진하기 시작하면 단층 나노 입자층 상부에 돌출부의 형성이 시작되는 것을 특징으로 하는 나노 입자층 형성장치
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제7항에 있어서,상기 나노유체의 액면이 미리 결정된 제1 시간 동안 제1 속도로 상기 일방향으로 전진한 후 감속되어 미리 결정된 제2 시간 동안 제2 속도로 상기 일방향으로 전진이 종료되는 시점에서 돌출부의 두께가 최대가 된 후 제3 속도로 액면이 후퇴하기 시작하며 상기 돌출부가 단층 나노 입자층이 될 때까지 감소되는 것을 특징으로 하는 나노 입자층 형성장치
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제7항에 있어서,상기 돌출부는 상기 일방향과 수직한 방향으로 미리 결정된 간격으로 형성되는 것을 특징으로 하는 나노 입자층 형성장치
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제1항에 있어서,상기 제1 속도는 25 mm/s 내지 35 mm/s 이며, 상기 제2 속도는 5 mm/s 내지 15 mm/s 이며, 상기 제3 속도는 -25 mm/s 내지 15 mm/s 인 것을 특징으로 하는 나노 입자층 형성장치
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제1항에 있어서,상기 미리 결정된 제1 시간은 1
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제7항에 있어서,상기 미리 결정된 제3 속도 또는 상기 미리 결정된 제3 시간은 상기 돌출부의 간격과 비례하는 것을 특징으로 하는 나노 입자층 형성장치
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제12항에 있어서,상기 돌출부의 간격은 미리 결정된 제3 시간 × 상기 제3 속도의 관계를 갖는 것을 특징으로 하는 나노 입자층 형성장치
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제1항에 있어서,상기 하부기판은 8 mm/s 내지 12 mm/s으로 상기 일방향으로 이송되는 것을 특징으로 하는 나노 입자층 형성장치
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제1항에 있어서,상기 상부기판 및 상기 나노유체의 온도는 20℃ 내지 30℃로 유지되는 것을 특징으로 하는 나노 입자층 형성장치
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제16항에 있어서,상기 하부기판의 온도는 60℃ 내지 80℃로 유지되는 것을 특징으로 하는 나노 입자층 형성장치
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제1항에 있어서,상기 상부기판 및 상기 하부기판 사이에 수용된 나노유체와 상기 상부기판이 형성하는 접촉각은 50° 내지 70°인 것을 특징으로 하는 나노 입자층 형성장치
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제18항에 있어서,상기 상부기판 및 상기 하부기판 사이에 수용된 나노유체와 상기 하부기판이 형성하는 접촉각은 0° 내지 10°인 것을 특징으로 하는 나노 입자층 형성장치
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제1항에 있어서,상기 나노유체 중 상기 나노입자의 부피율은 1 / 10-5 내지 1 / 10-3 범위이며, 상기 나노입자의 확산 계수는 3 × 10-11 m2/s 내지 7 × 10-11 m2/s인 것을 특징으로 하는 나노 입자층 형성장치
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이송되는 기판 상에 두께가 가변 가능한 나노 입자층을 형성하기 위한 나노 입자층 형성방법에 있어서,고정된 위치에서 수평하게 배치되는 상부기판과 상기 상부기판과 80㎛ 내지 120㎛ 크기로 이격되어 평행하게 배치되며, 미리 결정된 속도로 일방향으로 이송되는 하부기판 사이에 직경이 1 나노미터(nm) 내지 20 나노미터(nm)인 금(Au), 은(Ag), 산화알루미늄(Al2O3), 실리카(SiO2) 중 어느 하나의 재질의 나노입자가 초순수에 혼합되어 구성되는 나노유체를 주입한 상태에서 상기 나노유체 공급장치는 상기 상부기판과 상기 하부기판 사이에 공급된 나노유체가 상기 하부기판의 이송방향과 반대방향으로 오목한 매니스커스 액면이 유지되는 상태로 상기 상부기판 및 상기 하부기판 사이에 수용된 나노유체의 상기 일방향 액면의 속도가 미리 결정된 제1 시간 동안 제1 속도(0 003c# 제1 속도)로 유지된 후 감속되어 미리 결정된 제2 시간 동안 제2 속도(0 003c# 제2 속도 003c# 제1 속도)가 되도록 유지한 후 감속되어 미리 결정된 미리 결정된 제3 시간 동안 제3 속도(제3 속도 003c# 0)가 되도록 상기 상부기판 및 상기 하부기판 사이에 수용된 나노유체의 유량을 제어하는 방법으로 나노유체의 주입량을 증가하는 과정과 감소시키는 과정을 반복하여 하부기판 상에 두께가 가변 가능한 나노 입자층을 형성하는 것을 특징으로 하는 나노 입자층 형성방법
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