| 1 |
1
질화물 반도체층 상에 배치된 콜렉터 전극;상기 콜렉터 전극과 이격되어 상기 질화물 반도체층 상에 배치된 에미터 전극;상기 콜렉터 전극과 상기 에미터 전극 사이에 배치된 베이스 전극; 및상기 에미터 전극과 상기 질화물 반도체층 사이로부터 상기 콜렉터 전극과 상기 질화물 반도체층 사이로 연장하는 절연막을 포함하는 이종접합 트랜지스터
|
| 2 |
2
제 1 항에 있어서,상기 절연막은 개구부를 포함하되,상기 개구부 내에 상기 콜렉터 전극의 일부가 제공되는 이종접합 트랜지스터
|
| 3 |
3
제 2 항에 있어서,상기 개구부는 상기 절연막의 폭보다 크거나 동일한 폭을 갖는 이종접합 트랜지스터
|
| 4 |
4
제 1 항에 있어서,상기 콜렉터 전극의 일부는 상기 질화물 반도체층과 접촉하는 이종접합 트랜지스터
|
| 5 |
5
제 1 항에 있어서,상기 베이스 전극은 상기 콜렉터 전극의 상면 상으로 연장되고,상기 콜렉터 전극과 상기 에미터 전극 사이에 배치된 상기 베이스 전극의 폭은 상기 콜렉터 전극의 상기 상면 상에 배치된 상기 베이스 전극의 두께보다 작은 이종접합 트랜지스터
|
| 6 |
6
제 1 항에 있어서,상기 베이스 전극의 상면은 상기 에미터 전극의 상면과 동일한 레벨을 갖는 이종접합 트랜지스터
|
| 7 |
7
제 1 항에 있어서,상기 절연막은 실리콘 산화물 또는 실리콘 질화물을 포함하는 이종접합 트랜지스터
|
| 8 |
8
제 1 항에 있어서,상기 콜렉터 전극의 하부는 상기 콜렉터 전극의 상부보다 작은 폭을 갖는 이종접합 트랜지스터
|
| 9 |
9
제 1 항에 있어서,상기 콜렉터 전극의 측면은 상기 절연막의 상면에 대해 수직인 이종접합 트랜지스터
|
| 10 |
10
질화물 반도체층 상에 배치된 콜렉터 전극;상기 콜렉터 전극과 이격되어 상기 질화물 반도체층 상에 배치된 에미터 전극;상기 콜렉터 전극과 상기 에미터 전극 사이의 제 1 부분 및 상기 콜렉터 전극의 상면 상에 배치된 제 2 부분을 포함하는 베이스 전극; 및상기 에미터 전극과 상기 질화물 반도체층 사이 및 상기 베이스 전극과 상기 질화물 반도체층 사이에 개재된 절연막을 포함하되,상기 베이스 전극의 상기 제 1 부분 및 상기 제 2 부분은 상기 절연막과 수직적으로 중첩하는 이종접합 트랜지스터
|
| 11 |
11
제 10 항에 있어서,상기 제 1 부분은 상기 제 2 부분의 두께보다 작은 폭을 갖는 이종접합 트랜지스터
|
| 12 |
12
제 10 항에 있어서,상기 콜렉터 전극 상에 배치되며, 상기 콜렉터 전극과 전기적으로 연결된 제 1 금속 전극;상기 에미터 전극 상에 배치되며, 상기 에미터 전극과 전기적으로 연결된 제 2 금속 전극; 상기 베이스 전극의 상기 제 2 부분 상에 배치되며, 상기 베이스 전극과 전기적으로 연결된 제 3 금속 전극; 및상기 콜랙터 전극과 상기 제 1 금속 전극 사이, 상기 에미터 전극과 상기 제 2 금속 전극 사이 및 상기 베이스 전극과 상기 제 3 금속 전극 사이에 개재된 패시베이션 막을 더 포함하는 이종접합 트랜지스터
|
| 13 |
13
제 10 항에 있어서,상기 콜렉터 전극은 상기 질화물 반도체층의 상면으로부터 상기 절연막의 상면 상으로 연장되는 이종접합 트랜지스터
|
