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세라믹 기술을 이용한 내부 정합 및 내부 결합구조가 직접된 GaN 파워 트랜지스터 패키지(GaN power transistor package with internal matching and combining structure based on the ceramic technology)

  • 기술번호 : KST2018001254
  • 담당센터 : 경기기술혁신센터
  • 전화번호 : 031-8006-1570
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 세라믹 기술을 이용한 내부 정합 및 내부 결합구조가 직접된 GaN 파워 트랜지스터 패키지가 제공된다. 본 발명의 실시예에 따른 GaN 파워 트랜지스터 패키지는, 적층 세라믹 기술을 이용하여 메탈 패키지 내부에서 다수의 barechip을 결합하고 임피던스 매칭을 수행하여, 높은 출력을 낸다. 이에 의해, 단일 패키지에서 높은 출력을 나타낼 수 있고, 외부에서 별도의 임피던스 매칭을 필요로 하지 않기 때문에 용이하게 여러 개의 패키지를 직병렬로 연결할 수 있는 장점이 있다.
Int. CL H03F 1/02 (2006.01.01) H03F 1/56 (2006.01.01) H03F 3/68 (2006.01.01)
CPC H03F 1/0288(2013.01) H03F 1/0288(2013.01) H03F 1/0288(2013.01) H03F 1/0288(2013.01)
출원번호/일자 1020160080828 (2016.06.28)
출원인 한국전자기술연구원, (주) 인티그럴
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2018-0001851 (2018.01.05) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 공개
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2020.11.20)
심사청구항수 8

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자기술연구원 대한민국 경기도 성남시 분당구
2 (주) 인티그럴 대한민국 경기도 안양시 만안구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 유찬세 대한민국 경기도 안양시 동안구
2 최상일 대한민국 경기도 광명시 디지

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 남충우 대한민국 서울 강남구 언주로 ***, *층(역삼동, 광진빌딩)(알렉스국제특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
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번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2016.06.28 수리 (Accepted) 1-1-2016-0624385-76
2 수수료 반환 안내서
Notification of Return of Official Fee
2016.06.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2016-0100034-14
3 보정요구서
Request for Amendment
2016.06.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2016-0100033-68
4 직권정정안내서
Notification of Ex officio Correction
2016.06.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2016-0100035-59
5 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment
2016.07.06 수리 (Accepted) 1-1-2016-0653284-32
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.08.24 수리 (Accepted) 4-1-2020-5189497-57
7 [심사청구]심사청구서·우선심사신청서
2020.11.20 수리 (Accepted) 1-1-2020-1248063-11
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
패키지;상기 패키지 내부에 마련되어, 전력을 증폭하는 다수의 증폭 소자; 및상기 패키지 내부에 마련되어, 상기 다수의 증폭 소자를 연결하는 연결 회로;를 포함하는 것을 특징으로 하는 전력 증폭기
2 2
청구항 1에 있어서,상기 연결 회로는,입력 전력을 상기 다수의 증폭 소자에 분배하는 입력 회로;를 포함하는 것을 특징으로 하는 전력 증폭기
3 3
청구항 2에 있어서,상기 입력 회로는,입력 임피던스 매칭 회로가 일체화 되어 있는 것을 특징으로 하는 전력 증폭기
4 4
청구항 1에 있어서,상기 연결 회로는,상기 다수의 증폭 소자에서 증폭된 전력을 결합하는 출력 회로;를 포함하는 것을 특징으로 하는 전력 증폭기
5 5
청구항 4에 있어서,상기 출력 회로는,출력 임피던스 매칭 회로가 일체화 되어 있는 것을 특징으로 하는 전력 증폭기
6 6
청구항 1에 있어서,상기 다수의 증폭 소자 중 일부는 제1 입력 신호의 전력을 증폭하고,상기 다수의 증폭 소자 중 다른 일부는 제2 입력 신호의 전력을 증폭하는 것을 특징으로 하는 전력 증폭기
7 7
청구항 1에 있어서,상기 증폭 소자는, GaN 파워 트랜지스터이고,상기 패키지는, 메탈 패키지인 것을 특징으로 하는 전력 증폭기
8 8
패키지 내부에 마련된 다수의 증폭 소자가 전력을 증폭하는 단계;상기 패키지 내부에 마련된 연결 회로가, 상기 증폭 단계에서 증폭된 전력들을 결합하여 출력하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 전력 증폭 방법
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 중소기업청 전자부품연구원 산학연협력기술개발 내부 정합 및 결합 회로 집적형 50W급 X-band GaN 파워 트랜지스터 개발