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Bi2O3, V2O5, Pr6O11 및 Pr2O3의 함유가 배제되는 ZnO계 바리스터 조성물에 있어서,ZnO;BiVO4; 및Co 산화물 또는 Mn 산화물을 포함하는 것을 특징으로 하는 ZnO계 바리스터 조성물
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제1항에 있어서,Ni 산화물, Sb 산화물, Cr 산화물 및 Si 산화물들로 이루어진 군 중의 하나 이상을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 ZnO계 바리스터 조성물
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제1항에 있어서,상기 Co 산화물은 CoO, Co2O3 및 Co3O4로 이루어진 군에서 선택되는 것을 특징으로 하는 ZnO계 바리스터 조성물
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제1항에 있어서,상기 Mn 산화물은 MnO, MnO2, Mn2O3 및 Mn3O4로 이루어진 군에서 선택되는 것을 특징으로 하는 ZnO계 바리스터 조성물
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제1항 또는 제2항에 있어서,MgO를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 ZnO계 바리스터 조성물
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Bi2O3, V2O5, Pr6O11 및 Pr2O3의 함유가 배제되는 ZnO계 바리스터 조성물에 있어서,하기 조성을 포함하는 것을 특징으로 하는 ZnO계 바리스터 조성물
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7
제6항에 있어서,상기 ZnO계 바리스터 조성물의 총량 대비, NiO 0
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8
제6항 또는 제7항에 있어서,MgO를 상기 ZnO계 바리스터 조성물의 총량 대비 0
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9
제1항, 제2항, 제6항 및 제7항 중의 어느 한 항에 의한 ZnO계 바리스터 조성물을 성형하고 900~1300℃의 온도범위에서 소결하여 디스크형 또는 벌크형의 소결체를 형성하고, 상기 소결체의 양면에 금속전극을 부착하여 바리스터를 제조함을 포함하는 것을 특징으로 하는 바리스터의 제조방법
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10
제1항, 제2항, 제6항 및 제7항 중의 어느 한 항에 의한 ZnO계 바리스터 조성물을 테이프 캐스팅하여 복수의 시트로 형성하고, 상기 복수의 시트 각각의 표면에 금속전극 물질을 도포하고 적층한 후, 900~1300℃의 온도범위에서 동시소결하여 적층형 바리스터를 제조함을 포함하는 것을 특징으로 하는 바리스터의 제조방법
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11
제1항, 제2항, 제6항 및 제7항 중의 어느 한 항에 의한 ZnO계 바리스터 조성물의 소결체와, 상기 소결체의 양면에 형성되어 전기신호의 입출력을 기능하는 금속전극을 포함한 것을 특징으로 하는 바리스터
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12
제1항, 제2항, 제6항 및 제7항 중의 어느 한 항에 의한 ZnO계 바리스터 조성물의 소결체와, 상기 소결체의 내부에 상하로 서로 이격되도록 순차적으로 매설되어 전기신호의 입출력을 기능하는 복수의 금속전극을 포함한 것을 특징으로 하는 바리스터
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