| 1 |
1
기판을 준비하는 단계; 상기 기판 상에, 알루미늄이 도핑된 아연 산화물을 포함하는 제1 물질막(first material layer), 및 그래핀 산화물을 포함하는 예비 제2 물질막(preliminary second material layer)을 교대로 형성하여, 예비 적층 구조체(preliminary stacked structure)를 제조하는 단계; 및 상기 예비 적층 구조체를 가열하는 방법으로, 상기 예비 제2 물질막의 그래핀 산화물을 환원하여, 환원된 그래핀 산화물을 포함하는 제2 물질막(second materal layer) 및 상기 제1 물질막을 포함하는 적층 구조체를 형성하는 단계를 포함하되,상기 예비 적층 구조체의 가열 시간을 조절하여, 상기 제2 물질막의 저항 값을 조절하는 것을 포함하는 열전 소자의 제조 방법
|
| 2 |
2
제1 항에 있어서, 상기 제1 물질막은, 원자층 증착법으로 형성되는 것을 포함하는 열전 소자의 제조 방법
|
| 3 |
3
제2 항에 있어서, 상기 제1 물질막을 형성하는 단계는,알루미늄을 포함하는 제1 소스를 상기 기판 상에 제공하는 단계;산소를 포함하는 제2 소스를 상기 기판 상에 제공하는 단계;아연을 포함하는 제3 소스를 상기 기판 상에 제공하는 단계; 및 상기 제2 소스를 상기 기판 상에 제공하는 단계를 포함하고,상기 예비 제2 물질막을 형성하는 단계는, 그래핀 산화물을 상기 기판상에 코팅하는 단계를 포함하는 열전 소자의 제조 방법
|
| 4 |
4
제3 항에 있어서, 상기 예비 제2 물질막의 코팅 횟수에 따라서, 상기 적층 구조체의 열전도도 값이 조절되는 것을 포함하는 열전 소자의 제조 방법
|
| 5 |
5
제1 항에 있어서, 상기 제1 물질막과 상기 예비 제2 물질막은, 서로 다른 방법으로 형성되는 것을 포함하는 열전 소자의 제조 방법
|
| 6 |
6
제5 항에 있어서, 상기 제1 물질막의 두께는 상기 예비 제2 물질막의 두께보다 두꺼운 것을 포함하는 열전 소자의 제조 방법
|
| 7 |
7
제1 항에 있어서, 상기 예비 적층 구조체의 가열 시간이 120분인 경우, 상기 적층 구조체의 파워 팩터 값은 최대값을 갖는 것을 포함하는 열전 소자의 제조 방법
|
| 8 |
8
제1 항에 있어서,상기 예비 적층 구조체는,상기 예비 제2 물질막 상에, 추가적으로 상기 제1 물질막이 형성되는 단계를 더 포함하는 열전 소자의 제조 방법
|
| 9 |
9
기판; 및알루미늄이 도핑된 아연 산화물을 포함하고 상기 기판 상에 배치된 제1 물질막, 및 환원된 그래핀 산화물을 포함하고 상기 제1 물질막 상에 배치된 제2 물질막을 포함하는 적층 구조체를 포함하되,상기 제1 물질막이 복수로 제공되어, 상기 적층 구조체는 복수의 상기 제1 물질막을 포함하고, 상기 제2 물질막은, 상기 제1 물질막 사이에 제공되는 것을 포함하는 열전 소자
|
| 10 |
10
제9 항에 있어서, 상기 제1 물질막의 두께에 따라서, 상기 적층 구조체의 열전도도 값을 조절하는 것을 포함하는 열전 소자
|
| 11 |
11
제9 항에 있어서, 상기 제1 물질막은,아연 산화물; 및상기 아연 산화물과 상기 기판 사이에 배치된 알루미늄 산화물을 포함하는 열전 소자
|
| 12 |
12
제11 항에 있어서, 상기 알루미늄 산화물의 두께는 상기 아연 산화물의 두께보다 얇은 것을 포함하는 열전 소자
|
| 13 |
13
삭제
|
