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친수성 표면을 갖는 PEEK 구조체 및 상기 PEEK 구조체 표면처리방법(PEEK structure with hydrophilic surface and the surface treatment method for the PEEK structure)

  • 기술번호 : KST2018001383
  • 담당센터 : 경기기술혁신센터
  • 전화번호 : 031-8006-1570
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 표면처리기술에 대한 것으로, 보다 구체적으로는 물과의 접촉각이 커서 발수성을 나타내는 PEEK 구조체 표면을 개질함으로써 얻어진 물과의 접촉각이 매우 작은 친수성 표면을 갖는 PEEK 구조체 및 그 표면을 얻을 수 있는 표면처리방법에 관한 것이다.
Int. CL A61L 27/50 (2016.09.02) A61L 27/32 (2016.09.02)
CPC A61L 27/50(2013.01) A61L 27/50(2013.01) A61L 27/50(2013.01) A61L 27/50(2013.01)
출원번호/일자 1020160096161 (2016.07.28)
출원인 한국생산기술연구원
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2018-0013055 (2018.02.07) 문서열기
공고번호/일자 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2016.07.28)
심사청구항수 4

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국생산기술연구원 대한민국 충청남도 천안시 서북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 송영식 대한민국 인천광역시 계양구
2 임성철 대한민국 서울특별시 양천구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인아이엠 대한민국 서울특별시 강남구 봉은사로 ***, ***호 (역삼동, 혜전빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국생산기술연구원 충청남도 천안시 서북구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2016.07.28 수리 (Accepted) 1-1-2016-0735595-27
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2017.05.12 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2017.06.12 수리 (Accepted) 9-1-2017-0019214-41
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2017.10.13 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2017-0709108-43
5 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2017.12.05 수리 (Accepted) 1-1-2017-1213236-11
6 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2017.12.05 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2017-1213237-67
7 최후의견제출통지서
Notification of reason for final refusal
2018.04.23 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2018-0275925-50
8 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2018.05.31 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2018-0538103-47
9 등록결정서
Decision to grant
2018.06.05 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2018-0382203-92
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2018.07.02 수리 (Accepted) 4-1-2018-5123030-77
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번호 청구항
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챔버 내의 기판지그 상에 준비된 폴리에테르에테르케톤(Poly ether ether ketone, PEEK)구조체를 배치하는 배치단계;상기 챔버 내부가 진공상태가 되도록 처리하는 진공처리단계;상기 챔버 내부에 공정가스를 주입한 후 공정압력을 설정하는 공정압력설정단계; 상기 기판지그에 RF(radio frequency) 바이어스 파워를 인가하여 일정크기의 셀프 바이어스 전압이 상기 기판지그에 형성되는 셀프 바이어스 전압형성단계; 및상기 셀프바이어스전압을 일정시간 유지함으로써 상기 PEEK 구조체 표면이 플라즈마처리되는 플라즈마처리단계;를 포함하는데, 상기 셀프바이어스전압 형성단계는 상기 기판지그 상에 RF바이어스 파워를 100 내지 300W로 인가하여 상기 기판지그에 형성되는 상기 셀프바이어스전압이 600 내지 920V 범위가 될 때까지 수행되고, 상기 플라즈마처리단계는 상기 셀프바이어스전압을 5분 내지 10분간 유지하여 수행되는 것을 특징으로 하는 PEEK 구조체 표면처리방법
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제 4 항에 있어서,상기 진공처리단계는 상기 챔버의 압력이 1×10-4 내지 5×10-5 Torr 범위가 될 때까지 수행되는 것을 특징으로 하는 PEEK 구조체 표면처리방법
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제 4 항에 있어서,상기 공정압력설정단계는 주입되는 공정가스가 Ar이고, 상기 공정압력이 15 내지 25mTorr 범위 내에서 설정되도록 수행되는 것을 특징으로 하는 PEEK 구조체 표면처리방법
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제 4 항에 있어서,상기 셀프바이어스전압은 상기 기판지그 면적의 4승에 반비례하는 관계인 것을 특징으로 하는 PEEK 구조체 표면처리방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.