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고에너지 밀도를 가지는 고유전 고분자 복합체 및 이의 제조방법(High energy density polymer composite film via sandwich structure and the method for preparing thereof)

  • 기술번호 : KST2018001431
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 제1 유전성 무기 입자; 및 상기 제1 유전성 무기 입자 표면에 형성된 제1 전도성 물질;을 포함하는 제1 복합 입자; 및 제1 고분자 매트릭스;를 포함하는 제1 층; 제2 유전성 무기 입자; 및 상기 제2 유전성 무기 입자 표면에 형성된 제2 전도성 물질;을 포함하는 제2 복합 입자; 및 제2 고분자 매트릭스;를 포함하는 제2 층; 및 상기 제1 층 및 제2 층 사이에 배치되고, 제3 유전성 무기 입자; 및 제3 고분자 매트릭스를 포함하는 절연층;을 포함하는 고분자 복합체를 제공한다. 본 발명에 따른 고분자 복합체는 높은 유전율과 높은 파괴전압 특성을 가지기 때문에, 높은 에너지밀도 달성이 가능하다. 또한, 전도성 나노입자를 세라믹 나노입자 표면에 직접 성장시킴으로써, 전도성 나노입자의 응집을 최소화할 수 있어, 분산성 향상 및 전도성 경로(pathway) 형성을 최소화할 수 있다. 나아가, 내장형 커패시터에 이용될 수 있는, 고유전성 고분자 복합필름 제조 가능하며, 유연 박막 전자소자에 적용 가능하다.
Int. CL B32B 27/18 (2016.09.03) C08K 3/22 (2016.09.03) B32B 27/08 (2016.09.03) C08L 101/00 (2016.09.03) H01G 4/20 (2016.09.03) H01L 51/56 (2016.09.03)
CPC B32B 27/18(2013.01) B32B 27/18(2013.01) B32B 27/18(2013.01) B32B 27/18(2013.01) B32B 27/18(2013.01) B32B 27/18(2013.01) B32B 27/18(2013.01)
출원번호/일자 1020160094569 (2016.07.26)
출원인 한국화학연구원
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2018-0012353 (2018.02.06) 문서열기
공고번호/일자 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2016.07.26)
심사청구항수 2

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국화학연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김윤호 대한민국 대전광역시 유성구
2 원종찬 대한민국 대전광역시 서구
3 윤현우 대한민국 대전광역시 유성구
4 강이영 대한민국 광주광역시 북구
5 박재연 캐나다 서울특별시 강남구
6 박노균 대한민국 대전광역시 서구
7 김동균 대한민국 경기도 수원시 장안구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 이원희 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 ***, 성지하이츠빌딩*차 ***호 (역삼동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국화학연구원 대전광역시 유성구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2016.07.26 수리 (Accepted) 1-1-2016-0724206-35
2 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment		 2017.05.09 수리 (Accepted) 1-1-2017-0440637-51
3 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2017.09.14 수리 (Accepted) 4-1-2017-5149242-13
4 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2017.09.14 수리 (Accepted) 4-1-2017-5149265-52
5 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2017.11.13 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
6 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2017.12.13 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-6-2017-0182216-83
7 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2017.12.18 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2017-0885043-57
8 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2018.02.14 수리 (Accepted) 1-1-2018-0162964-67
9 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2018.02.14 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2018-0162984-70
10 거절결정서
Decision to Refuse a Patent		 2018.06.20 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2018-0417691-58
11 [법정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
 2018.07.19 수리 (Accepted) 1-1-2018-0713635-20
12 법정기간연장승인서
 2018.07.20 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2018-0112943-96
13 [명세서등 보정]보정서(재심사)
Amendment to Description, etc(Reexamination)		 2018.08.03 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2018-0770500-46
14 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2018.08.03 수리 (Accepted) 1-1-2018-0770471-10
15 등록결정서
Decision to Grant Registration		 2018.08.10 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2018-0543947-18
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번호 청구항
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전극; 및 유전체 층;을 포함하는 커패시터에 있어서,상기 유전체 층은, 제1 유전성 무기 입자; 및 상기 제1 유전성 무기 입자 표면에 형성된 제1 전도성 물질;을 포함하는 제1 복합 입자; 및 제1 고분자 매트릭스;를 포함하는 제1 층; 제2 유전성 무기 입자; 및 상기 제2 유전성 무기 입자 표면에 형성된 제2 전도성 물질;을 포함하는 제2 복합 입자; 및 제2 고분자 매트릭스;를 포함하는 제2 층; 및상기 제1 층 및 제2 층 사이에 배치되고, 제3 유전성 무기 입자; 및 제3 고분자 매트릭스를 포함하는 절연층;을 포함하는 유전체 층이며,상기 제1 층 및 제2 층은 서로 접촉하지 않는 것을 특징으로 하는 커패시터
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기판, 게이트 전극, 절연층, 유기 반도체층 또는 금속 산화물 반도체층, 소스 전극 및 드레인 전극을 포함하고, 상기 절연층은 제9항에 기재된 유전체 층을 포함하는 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
순번, 연구부처, 주관기관, 연구사업, 연구과제의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 국가R&D 연구정보 정보 표입니다.
순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 산업통상자원부 한국화학연구원 소재부품기술개발사업 (RCMS)고유전 복합체 기반 임베디드 기판용 박막 커패시터 개발
2 미래창조과학부 한국화학연구원 원천기술개발사업 (EZ)유연절연박막소재 개발
3 미래창조과학부 한국화학연구원 기관고유사업 모바일산업용 고내열 핵심 화학소재 개발