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내부 직렬연결구조를 갖는 반도체/도체 적층형 복합재료, 그 복합재료 제조방법 및 그 복합재료를 포함하는 응용제품(Alternating layered semiconductor / conductor nanocomposites having an internal serial connection structure, the fabrication method of the nanocomposites and their applied products.)

  • 기술번호 : KST2018001458
  • 담당센터 : 광주기술혁신센터
  • 전화번호 : 062-360-4654
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 복합재료에 관한 것으로, 보다 구체적으로는 2차원 구조체로 박리 가능한 도체 특성을 갖는 적층 구조물과 반도체 특성을 갖는 물질을 이용하여 소재 내부에 반도체 직렬형 연결 구조를 구현함으로써 배터리, 커패시터 및 센서 적용 시 우수한 성능, 내구성 및 안전성 향상이 가능한 내부 직렬연결구조를 갖는 반도체/도체 복합재료, 그 복합재료 제조방법 및 그 복합재료를 포함하는 응용제품에 관한 것이다.
Int. CL H01B 5/14 (2016.08.30) H01B 1/04 (2016.08.30) H01B 1/02 (2016.08.30) H01B 1/12 (2016.08.30) B32B 7/02 (2016.08.30) H01M 10/0525 (2016.08.30) H01G 11/32 (2016.08.30)
CPC H01B 5/14(2013.01) H01B 5/14(2013.01) H01B 5/14(2013.01) H01B 5/14(2013.01) H01B 5/14(2013.01) H01B 5/14(2013.01) H01B 5/14(2013.01) H01B 5/14(2013.01)
출원번호/일자 1020160096151 (2016.07.28)
출원인 전남대학교산학협력단
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2018-0013050 (2018.02.07) 문서열기
공고번호/일자 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2016.07.28)
심사청구항수 8

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 전남대학교산학협력단 대한민국 광주광역시 북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 윤현석 대한민국 광주광역시 동구
2 김새로나 대한민국 광주광역시 북구
3 김민식 대한민국 광주광역시 광산구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인아이엠 대한민국 서울특별시 강남구 봉은사로 ***, ***호 (역삼동, 혜전빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 전남대학교산학협력단 광주광역시 북구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2016.07.28 수리 (Accepted) 1-1-2016-0735548-92
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2016.12.12 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2017.02.10 수리 (Accepted) 9-1-2017-0004741-40
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2017.07.25 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2017-0517352-74
5 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)		 2017.09.25 수리 (Accepted) 1-1-2017-0934673-93
6 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2017.10.25 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2017-1053346-26
7 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2017.10.25 수리 (Accepted) 1-1-2017-1053345-81
8 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2018.02.05 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2018-0089404-11
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2018.03.30 수리 (Accepted) 4-1-2018-5056463-72
10 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2018.04.03 수리 (Accepted) 1-1-2018-0332560-13
11 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2018.04.03 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2018-0332561-69
12 거절결정서
Decision to Refuse a Patent		 2018.08.28 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2018-0584153-89
13 [명세서등 보정]보정서(재심사)
Amendment to Description, etc(Reexamination)		 2018.09.18 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2018-0928924-07
14 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2018.09.18 수리 (Accepted) 1-1-2018-0928923-51
15 등록결정서
Decision to Grant Registration		 2018.10.15 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2018-0695123-90
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번호 청구항
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반도체층을 형성하는 반도체소재를 용매에 분산시키는 분산단계;상기 반도체소재가 분산된 용매에 도체층을 형성하는 도체소재를 첨가하는 단계; 상기 도체소재가 각각 별개의 층으로 박리되거나 각층 사이에 일정공간이 형성되도록 물리적으로 처리하는 단계; 상기 박리된 별개의 층을 반도체소재가 둘러싸거나 상기 도체소재의 각층 사이에 형성된 일정공간에 상기 반도체소재가 삽입되어 도체소재와 반도체소재가 결합하여 적층전구체를 형성하는 결합단계; 및상기 용매에 분산된 적층전구체가 2개 이상 적층되어 적층구조를 형성하는 적층단계;를 포함하는데,상기 반도체소재는 실리콘, ClGS계 화합물 반도체 물질, CdTe계 화합물 반도체 물질로 구성된 그룹에서 선택되는 어느 하나 이상이고,상기 도체소재는 흑린 및 몰리브덴계 화합물로 구성된 그룹에서 선택되는 하나 이상의 박리 가능한 2차원구조체로 이루어진 도체 특성을 갖는 적층구조물로부터 유래되며, 상기 적층단계에서 형성된 반도체층 및 도체층은 각각 0
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제 7 항에 있어서, 상기 물리적으로 처리하는 단계는 초음파처리, 원심분리기처리, 볼밀링처리 중 어느 하나가 수행되는 것을 특징으로 하는 반도체/도체 적층형 복합재료 제조방법
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제 7 항 또는 제 8 항의 제조방법으로 제조된 적층형 복합재료를 포함하는 2차 전지
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제 12 항에 있어서,상기 2차 전지는 리튬이온전지인 것을 특징으로 하는 2차전지
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제 7 항 또는 제 8 항의 제조방법으로 제조된 적층형 복합재료를 포함하는 커패시터
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제 14 항에 있어서,상기 커패시터는 슈퍼커패시터, 유사커패시터, 전기이중층 커패시터 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 커패시터
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제 7 항 또는 제 8 항 중 어느 한 항의 제조방법으로 제조된 적층형 복합재료를 포함하는 센서
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제 16 항에 있어서,상기 센서는 전기적 신호변환 메카니즘, 전자적 신호변환 메카니즘, 전기화학적 신호변환 메카니즘 중 하나 이상을 수행하는 것을 특징으로 하는 센서
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1 미래창조과학부 전남대학교산학협력단 중견연구자지원사업 착용 가능한 플렉시블 화학가스센서용 시스템 요구 기술 연구