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증착 챔버 내에서 기판의 표면 처리를 통해 기판의 표면 에너지를 감소시키는 단계; 및상기 증착 챔버 내에 칼코겐-함유 전구체, 전이금속-함유 전구체 및 전구체 분해 촉진 촉매를 공급하여 상기 기판 상에 2차원 전이금속 디칼코지나이드 단층(monolayer)을 증착하는 단계;를 포함하고,상기 증착하는 단계에서, 2차원 전이금속 디칼코지나이드 이중층(bilayer) 생성을 방지하기 위한 억제제를 추가로 공급하는, 2차원 전이금속 디칼코지나이드 박막의 제조 방법
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제 1 항에 있어서, 억제제의 흡착 에너지(adsorption energy)는 전이금속 디칼코지나이드 단층의 기저면(basal plane)보다 기판 및 전이금속 디칼코지나이드 단층의 측면 위치에서 더 높고, 칼코겐의 흡착 에너지는 전이금속 디칼코지나이드 단층의 측면 위치보다 기판 및 전이금속 디칼코지나이드 단층의 기저면에서 더 높은, 2차원 전이금속 디칼코지나이드 박막의 제조 방법
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제 1 항에 있어서, 전구체 분해 촉진 촉매는 칼코겐-함유 전구체 내의 칼코겐 원자로부터 칼코겐 원자와 결합된 리간드의 분해를 촉진하거나 전이금속-함유 전구체 내의 전이금속 원자로부터 전이금속 원자와 결합된 리간드의 분해를 촉진하는, 2차원 전이금속 디칼코지나이드 박막의 제조 방법
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제 1 항에 있어서, 기판의 표면 처리는 피라니아(piranha) 용액 처리, 황산(H2SO4) 용액 처리, 염산(HCl) 용액 처리 및 알칼리 금속 수산화물 용액 처리로 이루어진 군으로부터 선택되는 습식 처리 방법; 또는 O2 플라즈마 처리 및 수증기를 이용한 열처리로 이루어진 군으로부터 선택되는 건식 처리 방법으로 수행되는, 2차원 전이금속 디칼코지나이드 박막의 제조 방법
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제 1 항에 있어서, 기판이 SiO2, Al2O3, HfO2, LiAlO3, MgO, Si, Ge, GaN, AlN, GaP, InP, GaAs, SiC, 유리, 석영, 사파이어, 그래파이트, 그래핀, 플라스틱, 고분자, 질화붕소(h-BN) 및 이들의 조합으로 이루어진 군으로부터 선택되는 것인, 2차원 전이금속 디칼코지나이드 박막의 제조 방법
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제 1 항에 있어서, 기판이 SiO2, Al2O3, HfO2, LiAlO3, MgO, 및 이들의 조합으로 이루어진 군으로부터 선택되고, 기판의 표면 처리는 피라니아(piranha) 용액 처리, 황산(H2SO4) 용액 처리, 염산(HCl) 용액 처리 및 알칼리 금속 수산화물 용액 처리로 이루어진 군으로부터 선택되는 습식 처리 방법; 또는 O2 플라즈마 처리 및 수증기를 이용한 열처리로 이루어진 군으로부터 선택되는 건식 처리 방법으로 수행되는, 2차원 전이금속 디칼코지나이드 박막의 제조 방법
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제 1 항에 있어서, 칼코겐-함유 전구체는 S-함유 유기 화합물 또는 S-함유 무기 화합물인, 2차원 전이금속 디칼코지나이드 박막의 제조 방법
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제 1항에 있어서, 전이금속-함유 전구체는 Ti, V, Cr, Mn, Fe, Co, Ni, Cu, Zn, Nb, Ta, Mo, W, Tc, Re, Ru, Os, Rh, Ir, Pt, Ag, Au, Cd, In, Tl, Sn, Pb, Sb, Bi, Zr, Pd, Hf 및 이들의 조합으로 이루어진 군으로부터 선택되는 전이금속을 포함하는 것인, 2차원 전이금속 디칼코지나이드 박막의 제조 방법
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제 1 항에 있어서, 칼코겐-함유 전구체 분압 / 전이금속-함유 전구체 분압의 비율이 1/2 이상인, 2차원 전이금속 디칼코지나이드 박막의 제조 방법
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제 10 항에 있어서, 칼코겐-함유 전구체 분압 / 전이금속-함유 전구체 분압의 비율이 2 이상인, 2차원 전이금속 디칼코지나이드 박막의 제조 방법
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제 1 항에 있어서, 증착 단계는 500℃ 이하의 온도에서 수행되는 것인, 2차원 전이금속 디칼코지나이드 박막의 제조 방법
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제 1 항에 있어서, 증착 단계는 화학기상 증착(CVD)법에 의하여 수행되는 것인, 2차원 전이금속 디칼코지나이드 박막의 제조 방법
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제 1 항에 있어서, 증착 단계에서, 칼코겐-함유 전구체 분압 / 전이금속-함유 전구체 분압의 비율을 증가시켜 기상 반응에 의해 생성되는 전이금속 디칼코지나이드의 클러스터 크기를 감소시키고, 기판의 표면 에너지를 감소시켜 전이금속 디칼코지나이드의 2차원 성장을 유도하는 것인, 2차원 전이금속 디칼코지나이드 박막의 제조 방법
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제 14 항에 있어서, 증착 단계에서, 증착 챔버 내로 공급되는 캐리어 가스의 양을 조절하거나 또는 증착 챔버 내로 공급되는 칼코겐-함유 전구체와 전이금속-함유 전구체의 온도를 조절하여, 증착 챔버 내로 공급되는 칼코겐-함유 전구체 및 전이금속-함유 전구체의 양을 조절함으로써, 칼코겐-함유 전구체 분압 / 전이금속-함유 전구체 분압의 비율이 조절되는 것인, 2차원 전이금속 디칼코지나이드 박막의 제조 방법
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(1) 증착 챔버 내에서 기판의 표면 처리를 통해 기판의 표면 에너지를 감소시키는 단계;(2) 500℃ 이하의 온도 및 0
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제 16 항에 있어서, 단계 (2) 내지 (4)에서, 증착 챔버 내에 전구체 분해 촉진 촉매를 추가로 공급하는, 2차원 전이금속 디칼코지나이드 박막의 제조 방법
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