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높은 내전압용 고전력 세라믹 칩 저항소자 및 그 조립방법(HIGH POWER CERAMIC CHIP RESISTOR FOR HIGH WITHSTAND VOLTAGE AND ASSEMBLING METHOD THEREOF)

  • 기술번호 : KST2018001492
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 고전력 세라믹 칩 저항소자 및 고전력 세라믹 칩 저항소자의 조립방법에 관한 것으로서, 보다 구체적으로는, 보다 높은 내전압을 견딜 수 있는 높은 내전압용 고전력 세라믹 칩 저항소자 및 이의 조립방법에 관한 것이다. 본 발명의 일 실시예에 따르면, 일측(10a)의 적어도 일부가 대략 직각으로 형성되고, 타측(10b)의 적어도 일부가 대략 직각이 되도록 벤딩 형성된 리드단자(10); 리드단자(10)의 일측(10a)이 일면에 솔더링 접합되는 칩 저항체(20); 칩 저항체(20)의 일면에 도포되는 에폭시층(30); 및 관통공(42)이 형성되어 리드단자(10)가 관통하고, 에폭시층(30) 상에 배치되는 절연세라믹 플레이트(40);를 포함할 수 있다.
Int. CL H01C 17/00 (2006.01.01) H01C 1/144 (2006.01.01) H01C 7/02 (2006.01.01)
CPC H01C 17/006(2013.01) H01C 17/006(2013.01) H01C 17/006(2013.01)
출원번호/일자 1020160095048 (2016.07.26)
출원인 한밭대학교 산학협력단, (주) 케이엠씨 테크놀러지
등록번호/일자 10-1965685-0000 (2019.03.29)
공개번호/일자 10-2018-0012146 (2018.02.05) 문서열기
공고번호/일자 (20190404) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2016.07.26)
심사청구항수 1

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한밭대학교 산학협력단 대한민국 대전광역시 유성구
2 (주) 케이엠씨 테크놀러지 대한민국 대전광역시 동구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 구본급 대한민국 대전광역시 유성구
2 김동진 대한민국 대전광역시 동구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 이은철 대한민국 서울특별시 송파구 법원로**길 **, A동 *층 ***호 (문정동, H비지니스파크)(*T국제특허법률사무소)
2 변형철 대한민국 서울특별시 송파구 법원로**길 **, A동 *층 ***호 (문정동, H비지니스파크)(*T국제특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한밭대학교 산학협력단 대전광역시 유성구
2 (주)케이엠씨 테크놀러지 대전광역시 동구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2016.07.26 수리 (Accepted) 1-1-2016-0727631-41
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2017.04.14 수리 (Accepted) 4-1-2017-5058417-94
3 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2017.04.26 수리 (Accepted) 4-1-2017-5065033-29
4 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2017.09.13 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
5 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2017.11.10 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-6-2018-0090375-88
6 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2018.07.16 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2018-0478402-44
7 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)		 2018.09.14 수리 (Accepted) 1-1-2018-0917992-33
8 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2018.10.16 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2018-1017872-21
9 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2018.10.16 수리 (Accepted) 1-1-2018-1017873-77
10 거절결정서
Decision to Refuse a Patent		 2019.02.19 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2019-0123171-01
11 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2019.03.19 수리 (Accepted) 1-1-2019-0281442-94
12 [명세서등 보정]보정서(재심사)
Amendment to Description, etc(Reexamination)		 2019.03.19 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2019-0281441-48
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.03.26 수리 (Accepted) 4-1-2019-5059038-30
14 등록결정서
Decision to Grant Registration		 2019.03.27 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2019-0226085-10
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.04.12 수리 (Accepted) 4-1-2019-5072792-98
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번호 청구항
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리드단자의 일단으로부터 일정 길이만큼 직각으로 절곡하는 제1 벤딩단계;상기 리드단자의 일단으로부터 일정 길이만큼 절곡된 부위를 칩 저항체에 솔더링 접합하는 제1 솔더링 접합단계;상기 칩 저항체에 에폭시를 도포하는 도포단계;리드 단자가 관통하기 위한 관통공이 형성된 절연세라믹 플레이트를 상기 에폭시가 도포된 면에 접착하는 접착단계;에폭시에 열을 가하여 경화시키는 경화단계;구리 재질로 제작되고, 양 측에는 나사가 관통될 수 있는 마운팅홀이 형성되며, 일면이 니켈 또는 은으로 도금되는 금속 플랜지를 준비하는 단계;금속 플랜지와 칩 저항체 사이에 필러 금속을 마련하는 단계;금속 플랜지에 상기 칩 저항체를 솔더링 접합하는 제2 솔더링 접합단계; 및,리드단자의 타단으로부터 소정 길이까지의 부위가 칩 저항체에 평행하면서 외측을 향하도록 직각으로 벤딩하는 제2 벤딩단계;로 구성되되,제2 벤딩단계는, 상기 제1 벤딩단계, 제1 솔더링 접합단계, 도포단계, 접착단계 및 제2 솔더링 접합단계 중 어느 하나의 단계에 앞서 수행 가능하고,상기 접착단계에서는 절연세라믹 플레이트를 상기 에폭시가 도포된 면에 밀착시킬 때, 도포된 에폭시 일부가 상기 관통공을 통하여 삐져나와 관통공을 관통하는 리드단자의 외주면 일부를 감싸는 형태가 형성될 때 까지 밀착시키며,상기 경화단계 이후에는 관통공을 통하여 삐져나와 리드단자의 외주면 일부를 감싸는 에폭시 외부에 추가적으로 에폭시를 도포하여 재 경화시키는 재경화단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 고전력 세라믹 칩 저항소자의 조립방법
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1 중소기업청 중소기업산학협력센터 산학연협력기술개발사업 초내전압 초고전력 RF Resistor 개발