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기재 상부의 일부 영역을 노출시키는 마스크 패턴층을 형성하는 제1단계;상기 기재의 노출된 영역 및 상기 마스크 패턴층 상부에 금속나노구조체의 성장을 위해 필요한 금속나노구조체의 최소 임계반지름을 만족하는 진공증착 조건을 설정하는 제2단계;진공증착 공정에 의해 상기 기재의 노출된 영역 및 상기 마스크 패턴층 상부에 금속나노구조체를 성장시키는 제3단계;상기 마스크 패턴층을 제거하여, 상기 기재의 노출된 영역에 금속나노구조체를 형성하여 상기 기재 상부에 금속나노구조체 패턴을 형성하는 제4단계; 및상기 금속나노구조체를 이용하여 상기 기재의 일부 영역을 습식식각하여 하이브리드 패턴을 형성하는 제5단계;를 포함하여 이루어지며,상기 제3단계는 상기 제2단계의 금속나노구조체의 최소 임계반지름을 만족하는 진공증착 조건에 의한 진공증착 공정에 의해 금속나노구조체를 1차로 성장시킨 후, 상기 진공증착 조건에서의 증착속도와는 다른 증착속도로 상기 1차 성장에서의 금속나노구조체와 동종 또는 이종의 금속나노구조체를 (1+n)차(n은 1,2,3,,,로 n은 자연수임)로 연속적으로 성장시키는 것을 특징으로 하는 진공증착에 의한 하이브리드 패턴 형성방법
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제 1항에 있어서, 상기 제3단계는,상기 제2단계의 금속나노구조체의 최소 임계반지름을 만족하는 진공증착 조건 하에서 진공증착 공정에 의해 금속나노구조체를 성장시키는 것을 특징으로 하는 진공증착에 의한 하이브리드 패턴 형성방법
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제 1항에 있어서, 상기 제3단계는,상기 제2단계의 금속나노구조체의 최소 임계반지름을 만족하는 진공증착 조건에 의한 진공증착 공정에 의해 금속나노구조체를 1차로 성장시킨 후,상기 1차로 성장된 금속나노구조체에 플라즈마 처리 또는 열 처리를 수행하고,상기 진공증착 조건에 비해 상대적으로 높은 증착률로 상기 금속나노구조체를 2차로 성장시키는 것을 특징으로 하는 진공증착에 의한 하이브리드 패턴 형성방법
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제 1항에 있어서, 상기 1차로 금속나노구조체를 성장시킨 후,다음회차의 금속나노구조체 성장 전에 전회차에서 성장된 금속나노구조체에 플라즈마 처리 또는 열처리를 선택적으로 수행하는 것을 특징으로 하는 진공증착에 의한 하이브리드 패턴 형성방법
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제 1항에 있어서, 상기 제3단계는,상기 기재를 소정의 각도로 기울여 상기 금속나노구조체를 성장시키는 것을 특징으로 하는 진공증착에 의한 하이브리드 패턴 형성방법
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제 1항에 있어서, 상기 제2단계의 진공증착 조건은,증착속도(Deposition rate)는 0
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제 1항에 있어서, 상기 제1단계의 기재에는 요철이 형성되어 있으며, 상기 요철이 형성된 기재 상부의 일부 영역을 노출시키는 마스크 패턴층을 형성하는 것을 특징으로 하는 진공증착에 의한 하이브리드 패턴 형성방법
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제 1항에 있어서, 상기 제1단계의 마스크 패턴층을 형성한 후에, 상기 기재 상부의 노출된 일부 영역을 소수성 표면처리하는 것을 특징으로 하는 진공증착에 의한 하이브리드 패턴 형성방법
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제 1항에 있어서, 제1단계는,상기 기재 상부에 고분자층을 형성하고, 상기 고분자층 상부에 마스크 패턴층이 구현되되,상기 고분자층은,PVC(Polyvinyl Chloride), Neoprene, PVA(Polyvinyl Alcohol), PMMA(Poly Methyl Meta Acrylate), PBMA(Poly Benzyl Meta Acrylate), PolyStylene, SOG(Spin On Glass), PDMS(Polydimethylsiloxane), PVFM(Poly Vinyl formal), Parylene, Polyester, Epoxy, Polyether, Polyimide 및 LOR(Lift-Off Resist) 중 어느 하나로 이루어진 것을 특징으로 하는 진공증착에 의한 하이브리드 패턴 형성방법
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제 1항에 있어서, 상기 금속나노구조체는,금(Au), 은(Ag), 백금(Pt), 구리(Cu), 팔라듐(Pd), 니켈(Ni), 텅스텐(W), 철(Fe), 코발트(Co), 타이타늄(Ti), 크로뮴(Cr), 망가니즈(Mn), 아연(Zn), 지르코늄(Zr), 몰리브데넘(Mo), 이리듐(Ir), 루테늄(Ru), 탄탈럼(Ta) 및 이들의 합금 중 어느 하나 이상의 재료를 이용하는 것을 특징으로 하는 진공증착에 의한 하이브리드 패턴 형성방법
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제 1항에 있어서, 상기 제3단계의 금속나노구조체의 성장은,동종의 재료 또는 이종의 재료로, 복수회 증착하는 것을 특징으로 하는 진공증착에 의한 하이브리드 패턴 형성방법
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제 1항에 있어서, 상기 제3단계의 금속나노구조체 성장 후,열처리 공정 또는 플라즈마 처리 공정을 추가로 구현하는 것을 특징으로 하는 진공증착에 의한 하이브리드 패턴 형성방법
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제 1항에 있어서, 상기 제4단계는,상기 마스크 패턴층의 제거 후에, 추가적인 마스크 패턴층을 형성하여,상기 기재 상부의 금속나노구조체 패턴이 형성된 동일한 영역 또는 다른 영역 상에 상기 제3단계의 금속나노구조체와 동종 또는 이종의 금속나노구조체를 추가적으로 형성함으로써, 상기 제4단계의 금속나노구조체 패턴과는 연속 또는 불연속적인 금속나노구조체 패턴을 추가적으로 형성하는 것을 특징으로 하는 진공증착에 의한 하이브리드 패턴 형성방법
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제 1항에 있어서, 상기 제5단계의 하이브리드 패턴 상에 금속나노구조체를 추가로 형성하거나, 상기 하이브리드 패턴 내부에 상기 금속나노구조체가 침투되어 형성된 것을 특징으로 하는 진공증착에 의한 하이브리드 패턴 형성방법
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제 15항에 있어서, 상기 제4단계의 금속나노구조체 패턴이 형성된 기재의 일부 영역은 친수성 표면처리가 이루어지는 것을 특징으로 하는 진공증착에 의한 하이브리드 패턴 형성방법
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기판 상에 형성된 GaN 계열의 버퍼층, 상기 버퍼층 상에 형성된 GaN층, 상기 GaN층 상에 형성된 AlxGa1-xN층, InAlN층 및 InAlGaN층으로 이루어지는 군에서 선택되는 1종의 층 및 상기 1종의 층 상에 형성된 소스 전극 및 드레인 전극을 포함하는 기재를 준비하는 (가)단계;상기 소스 전극 및 드레인 전극을 마스킹하면서, 상기 기재 상부의 일부 영역을 노출시키는 마스크 패턴층을 형성하는 (나)단계;상기 기재의 노출된 영역 및 상기 마스크 패턴층 상부에 금속나노구조체의 성장을 위해 필요한 금속나노구조체의 최소 임계반지름을 만족하는 진공증착 조건을 설정하는 (다)단계;진공증착 공정에 의해 상기 기재의 노출된 영역 및 상기 마스크 패턴층 상부에 금속나노구조체를 성장시키는 (라)단계;상기 마스크 패턴층을 제거하여, 상기 기재의 노출된 영역에 금속나노구조체를 형성하여 상기 기재 상부에 금속나노구조체 패턴을 형성하는 (마)단계; 및상기 금속나노구조체를 이용하여 상기 기재의 일부 영역을 습식식각하여 하이브리드 패턴을 형성하는 (바)단계;를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 진공증착에 의한 하이브리드 패턴을 이용한 센서 소자의 제조방법
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제 17항에 있어서, 상기 (라)단계는,상기 (다)단계의 금속나노구조체의 최소 임계반지름을 만족하는 진공증착 조건 하에서 진공증착 공정에 의해 금속나노구조체를 성장시키는 것을 특징으로 하는 진공증착에 의한 하이브리드 패턴을 이용한 센서 소자의 제조방법
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제 17항에 있어서, 상기 (라)단계는,상기 (다)단계의 금속나노구조체의 최소 임계반지름을 만족하는 진공증착 조건에 의한 진공증착 공정에 의해 금속나노구조체를 1차로 성장시킨 후,상기 1차로 성장된 금속나노구조체에 플라즈마 처리 또는 열 처리를 수행하고,상기 진공증착 조건에 비해 상대적으로 높은 증착률로 상기 금속나노구조체를 2차로 성장시키는 것을 특징으로 하는 진공증착에 의한 하이브리드 패턴을 이용한 센서 소자의 제조방법
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제 17항에 있어서, 상기 (라)단계는,상기 (다)단계의 금속나노구조체의 최소 임계반지름을 만족하는 진공증착 조건에 의한 진공증착 공정에 의해 금속나노구조체를 1차로 성장시킨 후,상기 진공증착 조건에서의 증착속도와는 다른 증착속도로 상기 1차 성장에서의 금속나노구조체와 동종 또는 이종의 금속나노구조체를 (1+n)차(n은 1,2,3,,,로 n은 자연수임)로 연속적으로 성장시키는 것을 특징으로 하는 진공증착에 의한 하이브리드 패턴을 이용한 센서 소자의 제조방법
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제 20항에 있어서, 상기 1차로 금속나노구조체를 성장시킨 후,다음회차의 금속나노구조체 성장 전에 전회차에서 성장된 금속나노구조체에 플라즈마 처리 또는 열처리를 선택적으로 수행하는 것을 특징으로 하는 진공증착에 의한 하이브리드 패턴을 이용한 센서 소자의 제조방법
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제 17항에 있어서, 상기 (라)단계는,상기 기재를 소정의 각도로 기울여 상기 금속나노구조체를 성장시키는 것을 특징으로 하는 진공증착에 의한 하이브리드 패턴을 이용한 센서 소자의 제조방법
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제 17항에 있어서, 상기 (다)단계의 진공증착 조건은,증착속도(Deposition rate)는 0
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제 17항에 있어서, 상기 (나)단계의 마스크 패턴층을 형성한 후에, 상기 기재 상부의 노출된 일부 영역을 소수성 표면처리하는 것을 특징으로 하는 진공증착에 의한 하이브리드 패턴을 이용한 센서 소자의 제조방법
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제 17항에 있어서, (나)단계는,상기 기재 상부에 고분자층을 형성하고, 상기 고분자층 상부에 마스크 패턴층을 형성하되,상기 고분자층은,PVC(Polyvinyl Chloride), Neoprene, PVA(Polyvinyl Alcohol), PMMA(Poly Methyl Meta Acrylate), PBMA(Poly Benzyl Meta Acrylate), PolyStylene, SOG(Spin On Glass), PDMS(Polydimethylsiloxane), PVFM(Poly Vinyl formal), Parylene, Polyester, Epoxy, Polyether, Polyimide 및 LOR(Lift-Off Resist) 중 어느 하나로 이루어진 것을 특징으로 하는 진공증착에 의한 하이브리드 패턴을 이용한 센서 소자의 제조방법
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제 17항에 있어서, 상기 금속나노구조체는,금(Au), 은(Ag), 백금(Pt), 구리(Cu), 팔라듐(Pd), 니켈(Ni), 텅스텐(W), 철(Fe), 코발트(Co), 타이타늄(Ti), 크로뮴(Cr), 망가니즈(Mn), 아연(Zn), 지르코늄(Zr), 몰리브데넘(Mo), 이리듐(Ir), 루테늄(Ru), 탄탈럼(Ta) 및 이들의 합금 중 어느 하나 이상의 재료를 이용하여 진공증착하는 것을 특징으로 하는 진공증착에 의한 하이브리드 패턴을 이용한 센서 소자의 제조방법
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제 17항에 있어서, 상기 (라)단계의 금속나노구조체의 성장은,동종의 재료 또는 이종의 재료로, 복수회 증착하는 것을 특징으로 하는 진공증착에 의한 하이브리드 패턴을 이용한 센서 소자의 제조방법
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제 17항에 있어서, 상기 (라)단계의 금속나노구조체 성장 후,열처리 공정 또는 플라즈마 처리 공정을 추가로 구현하는 것을 특징으로 하는 진공증착에 의한 하이브리드 패턴을 이용한 센서 소자의 제조방법
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제 17항에 있어서, 상기 (마)단계는,상기 마스크 패턴층의 제거 후에, 추가적인 마스크 패턴층을 형성하여,상기 기재 상부의 금속나노구조체 패턴이 형성된 동일한 영역 또는 다른 영역 상에 상기 (라)단계의 금속나노구조체와는 동종 또는 이종의 금속나노구조체를 추가적으로 형성함으로써, 상기 (마)단계의 금속나노구조체 패턴과는 연속 또는 불연속적인 금속나노구조체 패턴을 추가적으로 형성하는 것을 특징으로 하는 진공증착에 의한 하이브리드 패턴을 이용한 센서 소자의 제조방법
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제 17항에 있어서, 상기 (바)단계의 하이브리드 패턴 상에 금속나노구조체를 추가로 형성하거나, 상기 하이브리드 패턴 내부에 상기 금속나노구조체가 침투되어 형성된 것을 특징으로 하는 진공증착에 의한 하이브리드 패턴을 이용한 센서 소자의 제조방법
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제 30항에 있어서, 상기 (마)단계의 금속나노구조체 패턴이 형성된 기재의 일부 영역은 친수성 표면처리가 이루어지는 것을 특징으로 하는 진공증착에 의한 하이브리드 패턴을 이용한 센서 소자의 제조방법
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제 17항 내지 제 31항 중의 어느 한 항의 제조방법에 의해 제조되며, 상기 하이브리드 패턴 내부에 센서 검지물질이 침투되어 형성된 것을 특징으로 하는 센서 소자
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