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기재 상부의 일부 영역을 노출시키는 마스크 패턴층을 형성하는 제1단계;상기 기재의 노출된 영역 및 상기 마스크 패턴층 상부에 나노구조체의 성장을 위해 필요한 나노구조체의 최소 임계반지름을 만족하는 진공증착 조건을 설정하는 제2단계;진공증착 공정에 의해 상기 기재의 노출된 영역 및 상기 마스크 패턴층 상부에 나노구조체를 성장시키는 제3단계; 및상기 마스크 패턴층을 제거하여, 상기 기재의 노출된 영역에 나노구조체를 형성하여 상기 기재 상부에 나노구조체 패턴을 형성하는 제4단계;를 포함하여 이루어지되,상기 제2단계의 진공증착 조건은,증착속도(Deposition rate)는 0
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제 1항에 있어서, 상기 제3단계는,상기 제2단계의 나노구조체의 최소 임계반지름을 만족하는 진공증착 조건 하에서 진공증착 공정에 의해 나노구조체를 성장시키는 것을 특징으로 하는 진공증착에 의한 나노구조체 패턴 형성방법
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제 1항에 있어서, 상기 제3단계는,상기 제2단계의 나노구조체의 최소 임계반지름을 만족하는 진공증착 조건에 의한 진공증착 공정에 의해 나노구조체를 1차로 성장시킨 후,상기 1차로 성장된 나노구조체에 플라즈마 처리 또는 열 처리를 수행하고,상기 진공증착 조건에 비해 상대적으로 높은 증착속도로 상기 나노구조체를 2차로 성장시키는 것을 특징으로 하는 진공증착에 의한 나노구조체 패턴 형성방법
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제 1항에 있어서, 상기 제3단계는,상기 제2단계의 나노구조체의 최소 임계반지름을 만족하는 진공증착 조건에 의한 진공증착 공정에 의해 나노구조체를 1차로 성장시킨 후,상기 진공증착 조건에서의 증착속도와는 다른 증착속도로 상기 1차 성장에서의 나노구조체와 동종 또는 이종의 나노구조체를 (1+n)차(n은 1,2,3,,,로 n은 자연수임)로 연속적으로 성장시키는 것을 특징으로 하는 진공증착에 의한 나노구조체 패턴 형성방법
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제 4항에 있어서, 상기 1차로 나노구조체를 성장시킨 후,다음회차의 나노구조체 성장 전에 전회차에서 성장된 나노구조체에 플라즈마 처리 또는 열처리를 선택적으로 수행하는 것을 특징으로 하는 진공증착에 의한 나노구조체 패턴 형성방법
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제 1항에 있어서, 상기 제1단계의 기재에는 요철이 형성되어 있으며, 상기 요철이 형성된 기재 상부의 일부 영역을 노출시키는 마스크 패턴층을 형성하는 것을 특징으로 하는 진공증착에 의한 나노구조체 패턴 형성방법
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제 1항에 있어서, 상기 기재는,실리콘(Si), 갈륨비소(GaAs), 갈륨인(GaP), 갈륨비소인(GaAsP), 보론 나이트라이드(BN), SiC, GaN, ZnO, MgO, 사파이어, 석영 및 유리 중 어느 하나의 무기물 기판,또는, 폴리카보네이트(Polycarbonate, PC), 폴리에틸렌나프탈레이트(Polyethylene naphthalate, PEN), 폴리노르보넨(Polynorbornene, PN), 폴리아크릴레이트 (Polyacrylate), 폴리비닐알콜(Polyvinyl alcohol, PVA), 폴리이미드(polyimide, PI), 폴리에틸렌 테레프탈레이트(polyethylene terephthalate, PET), 폴리에테르설폰(Polyethersulfone, PES), 폴리스타일렌(Polystyrene, PS), 폴리프로필렌(Polypropylene, PP), 폴리에틸렌(Polyethylene, PE), 폴리염화비닐(polyvinylchloride, PVC), 폴리아미드(Polyamide, PA), 폴리부틸렌테레프탈레이트(Polybutyleneterephthalate, PBT), 폴리메타크릴레이트(Polymethyl methacrylate, PMMA) 및 폴리디메틸실록산(Polydimethylsiloxane, PDMS) 중 어느 하나의 고분자 기판인 것을 특징으로 하는 진공증착에 의한 나노구조체 패턴 형성방법
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제 1항에 있어서, 제1단계는,상기 기재 상부에 고분자층을 형성하고, 상기 고분자층 상부에 마스크 패턴층이 구현되되,상기 고분자층은,PVC(Polyvinyl Chloride), Neoprene, PVA(Polyvinyl Alcohol), PMMA(Poly Methyl Meta Acrylate), PBMA(Poly Benzyl Meta Acrylate), PolyStylene, SOG(Spin On Glass), PDMS(Polydimethylsiloxane), PVFM(Poly Vinyl formal), Parylene, Polyester, Epoxy, Polyether, Polyimide 및 LOR(Lift-Off Resist) 중 어느 하나로 이루어진 것을 특징으로 하는 진공증착에 의한 나노구조체 패턴 형성방법
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제 1항에 있어서, 상기 나노구조체는,금속, 금속산화물, 불화물, 황화물 및 인화물 중 어느 하나 이상의 재료를 이용하여 진공증착하는 것을 특징으로 하는 진공증착에 의한 나노구조체 패턴 형성방법
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제 1항에 있어서, 상기 제3단계의 나노구조체의 성장은,동종의 재료 또는 이종의 재료로, 복수회 증착하는 것을 특징으로 하는 진공증착에 의한 나노구조체 패턴 형성방법
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제 1항에 있어서, 상기 제3단계의 나노구조체 성장 후,열처리 공정 또는 플라즈마 처리 공정을 추가로 구현하는 것을 특징으로 하는 진공증착에 의한 나노구조체 패턴 형성방법
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제 1항에 있어서, 상기 제4단계는,상기 마스크 패턴층의 제거 후에, 추가적인 마스크 패턴층을 형성하여,상기 기재 상부의 나노구조체 패턴이 형성된 동일한 영역 또는 다른 영역 상에 상기 제3단계의 나노구조체와 동종 또는 이종의 나노구조체를 추가적으로 형성함으로써, 상기 제4단계의 나노구조체 패턴과는 연속 또는 불연속적인 나노구조체 패턴을 추가적으로 형성하는 것을 특징으로 하는 진공증착에 의한 나노구조체 패턴 형성방법
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기판 상에 형성된 GaN 계열의 버퍼층, 상기 버퍼층 상에 형성된 GaN층, 상기 GaN층 상에 형성된 AlxGa1-xN층, InAlN층 및 InAlGaN층으로 이루어지는 군에서 선택되는 1종의 층 및 상기 1종의 층 상에 형성된 소스 전극 및 드레인 전극을 포함하는 기재를 준비하는 (가)단계;상기 소스 전극 및 드레인 전극을 마스킹하면서, 상기 기재 상부의 일부 영역을 노출시키는 마스크 패턴층을 형성하는 (나)단계;상기 기재의 노출된 영역 및 상기 마스크 패턴층 상부에 나노구조체의 성장을 위해 필요한 나노구조체의 최소 임계반지름을 만족하는 진공증착 조건을 설정하는 (다)단계;진공증착 공정에 의해 상기 기재의 노출된 영역 및 상기 마스크 패턴층 상부에 나노구조체를 성장시키는 (라)단계; 및상기 마스크 패턴층을 제거하여, 상기 기재의 노출된 영역에 나노구조체를 형성하여 상기 기재 상부에 나노구조체 패턴을 형성하는 (마)단계;를 포함하여 이루어지되,상기 (다)단계의 진공증착 조건은,증착속도(Deposition rate)는 0
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제 14항에 있어서, 상기 (라)단계는,상기 (다)단계의 나노구조체의 최소 임계반지름을 만족하는 진공증착 조건 하에서 진공증착 공정에 의해 나노구조체를 성장시키는 것을 특징으로 하는 진공증착에 의한 나노구조체 패턴을 이용한 센서 소자의 제조방법
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제 14항에 있어서, 상기 (라)단계는,상기 (다)단계의 나노구조체의 최소 임계반지름을 만족하는 진공증착 조건에 의한 진공증착 공정에 의해 나노구조체를 1차로 성장시킨 후,상기 1차로 성장된 나노구조체에 플라즈마 처리 또는 열 처리를 수행하고,상기 진공증착 조건에 비해 상대적으로 높은 증착속도로 상기 나노구조체를 2차로 성장시키는 것을 특징으로 하는 진공증착에 의한 나노구조체 패턴을 이용한 센서 소자의 제조방법
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제 14항에 있어서, 상기 (라)단계는,상기 (다)단계의 나노구조체의 최소 임계반지름을 만족하는 진공증착 조건에 의한 진공증착 공정에 의해 나노구조체를 1차로 성장시킨 후,상기 진공증착 조건에서의 증착속도와는 다른 증착속도로 상기 1차 성장에서의 나노구조체와 동종 또는 이종의 나노구조체를 (1+n)차(n은 1,2,3,,,로 n은 자연수임)로 연속적으로 성장시키는 것을 특징으로 하는 진공증착에 의한 나노구조체 패턴을 이용한 센서 소자의 제조방법
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제 17항에 있어서, 상기 1차로 나노구조체를 성장시킨 후,다음회차의 나노구조체 성장 전에 전회차에서 성장된 나노구조체에 플라즈마 처리 또는 열처리를 선택적으로 수행하는 것을 특징으로 하는 진공증착에 의한 나노구조체 패턴을 이용한 센서 소자의 제조방법
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제 14항에 있어서, 상기 기판은,실리콘(Si), 갈륨비소(GaAs), 갈륨인(GaP), 갈륨비소인(GaAsP), 보론 나이트라이드(BN), SiC, GaN, ZnO, MgO, 사파이어, 석영 및 유리 중 어느 하나의 무기물 기판인 것을 특징으로 하는 진공증착에 의한 나노구조체 패턴을 이용한 센서 소자의 제조방법
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제 14항에 있어서, 상기 1종의 층 상에 두께 10nm 이하의 GaN cap층이 추가로 형성된 것을 특징으로 하는 진공증착에 의한 나노구조체 패턴을 이용한 센서 소자의 제조방법
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제 14항에 있어서, (나)단계는,상기 기재 상부에 고분자층을 형성하고, 상기 고분자층 상부에 마스크 패턴층을 형성하되,상기 고분자층은,PVC(Polyvinyl Chloride), Neoprene, PVA(Polyvinyl Alcohol), PMMA(Poly Methyl Meta Acrylate), PBMA(Poly Benzyl Meta Acrylate), PolyStylene, SOG(Spin On Glass), PDMS(Polydimethylsiloxane), PVFM(Poly Vinyl formal), Parylene, Polyester, Epoxy, Polyether, Polyimide 및 LOR(Lift-Off Resist) 중 어느 하나로 이루어진 것을 특징으로 하는 진공증착에 의한 나노구조체 패턴을 이용한 센서 소자의 제조방법
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제 14항에 있어서, 상기 나노구조체는,금속, 금속산화물, 불화물, 황화물 및 인화물 중 어느 하나 이상의 재료를 이용하여 진공증착하는 것을 특징으로 하는 진공증착에 의한 나노구조체 패턴을 이용한 센서 소자의 제조방법
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제 14항에 있어서, 상기 (라)단계의 나노구조체의 성장은,동종의 재료 또는 이종의 재료로, 복수회 증착하는 것을 특징으로 하는 진공증착에 의한 나노구조체 패턴을 이용한 센서 소자의 제조방법
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제 14항에 있어서, 상기 (나)단계 이후에,상기 1종의 층의 일부가 식각된 리세스 영역을 형성하는 것을 특징으로 하는 진공증착에 의한 나노구조체 패턴을 이용한 센서 소자의 제조방법
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제 14항에 있어서, 상기 (라)단계의 나노구조체 성장 후,열처리 공정 또는 플라즈마 처리 공정을 추가로 구현하는 것을 특징으로 하는 진공증착에 의한 나노구조체 패턴을 이용한 센서 소자의 제조방법
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제 14항에 있어서, 상기 (마)단계는,상기 마스크 패턴층의 제거 후에, 추가적인 마스크 패턴층을 형성하여,상기 기재 상부의 나노구조체 패턴이 형성된 동일한 영역 또는 다른 영역 상에 상기 (라)단계의 나노구조체와는 동종 또는 이종의 나노구조체를 추가적으로 형성함으로써, 상기 (마)단계의 나노구조체 패턴과는 연속 또는 불연속적인 나노구조체 패턴을 추가적으로 형성하는 것을 특징으로 하는 진공증착에 의한 나노구조체 패턴을 이용한 센서 소자의 제조방법
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제 14항 내지 제 18항, 제20항 내지 제 27항 중의 어느 한 항의 제조방법에 의해 제조된 것을 특징으로 하는 센서 소자
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