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기판;상기 기판에 형성되어 화소 및 상기 화소에 포함된 청색과 적색 및 녹색 부화소 영역을 구분하는 화소정의막;상기 기판에 서로 이격되어 형성되며, 상기 부화소 영역에 각각 노출된 반사형 애노드;상기 화소정의막 위에 오픈 마스크로 형성된 청색 유기발광다이오드층;상기 청색 유기발광다이오드층 위에 형성된 투명 캐소드; 및상기 투명 캐소드 위에 형성된 전보호층;상기 전보호층 위에 형성된 색변환층; 및상기 색변환층 위에 형성된 보호층을 포함하여 구성되며,상기 색변환층은 상기 부화소 영역 중에서 적색 영역과 녹색 영역에 각각 형성된 적색 변환부와 녹색 변환부로 구성되고,상기 적색 변환부는 청색 유기발광다이오드층에서 방출된 청색의 빛을 적색으로 변환하는 양자점물질로 구성되고, 상기 녹색 변환부는 청색 유기발광다이오드층에서 방출된 청색의 빛을 녹색으로 변환하는 양자점물질로 구성된 것을 특징으로 하는 유기발광 디스플레이 소자
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청구항 1에 있어서,상기 색변환층은 잉크젯 프린팅, 노즐 프린팅, 마이크로 컨택 프린팅 및 LITI 중 하나의 방법으로 형성된 것을 특징으로 하는 유기발광 디스플레이 소자
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청구항 1에 있어서,상기 양자점물질이 무기양자점물질인 것을 특징으로 하는 유기발광 디스플레이 소자
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청구항 1에 있어서,상기 적색 변환부와 상기 녹색 변환부는 컬러필터 특성을 나타내는 입자를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 유기발광 디스플레이 소자
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청구항 1에 있어서,상기 전보호층은 PECVD 또는 ALD 공정으로 형성된 것을 특징으로 하는 유기발광 디스플레이 소자
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청구항 1에 있어서,상기 전보호층은 SiNx 또는 Al2O3 재질인 것을 특징으로 하는 유기발광 디스플레이 소자
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청구항 1에 있어서,상기 보호층은 페이스 씰 공정으로 형성된 것을 특징으로 하는 유기발광 디스플레이 소자
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청구항 1에 있어서,상기 청색 유기발광다이오드층은 정공주입층, 정공수송층, 청색 유기발광층, 전자수송층 및 전자주입층이 적층된 구조인 것을 특징으로 하는 유기발광 디스플레이 소자
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청구항 1에 있어서,상기 반사형 애노드에 연결된 TFT가 형성된 능동 매트릭스 회로층이 상기 기판의 하부에 위치하는 것을 특징으로 하는 유기발광 디스플레이 소자
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청구항 1에 있어서,상기 투명 캐소드와 상기 전보호층의 사이에 유기물질로 구성된 CPL(capping layer)을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 유기발광 디스플레이 소자
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기판 위에 서로 이격된 반사형 애노드를 형성하는 단계;상기 반사형 애노드가 청색과 적색 및 녹색 부화소 영역에 각각 노출되도록 화소정의막을 형성하는 단계;오픈 마스크를 사용하여 청색 유기발광다이오드층을 형성하는 단계;상기 청색 유기발광다이오드층의 위에 투명 캐소드를 형성하는 단계;상기 투명 캐소드 위에 전보호층을 형성하는 단계;상기 전보호층 위에 색변환층을 형성하는 단계; 및상기 색변환층 위에 보호층을 형성하는 단계를 포함하여 구성되며,상기 색변환층을 형성하는 단계는, 청색 유기발광다이오드층에서 방출된 청색의 빛을 적색으로 변환하는 양자점물질로 구성된 적색 변환부를 상기 적색 부화소 영역에 형성하고, 청색 유기발광다이오드층에서 방출된 청색의 빛을 녹색으로 변환하는 양자점물질로 구성된 녹색 변환부를 상기 녹색 부화소 영역에 형성하여 수행되는 것을 특징으로 하는 유기발광 디스플레이 소자의 제조방법
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청구항 11에 있어서,상기 색변환층을 형성하는 단계는 잉크젯 프린팅, 노즐 프린팅, 마이크로 컨택 프린팅, 나노임프린트(Nanoimprint) 및 열전사법(laser induced thermal imaging, LITI) 중 하나의 방법으로 수행되는 것을 특징으로 하는 유기발광 디스플레이 소자의 제조방법
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청구항 11에 있어서,상기 양자점물질이 무기양자점물질인 것을 특징으로 하는 유기발광 디스플레이 소자의 제조방법
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청구항 11에 있어서,상기 적색 변환부와 상기 녹색 변환부를 형성하는 과정에서 컬러필터 특성을 나타내는 입자를 혼합하는 것을 특징으로 유기발광 디스플레이 소자의 제조방법
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청구항 11에 있어서,상기 전보호층을 형성하는 단계는 PECVD 또는 ALD 공정으로 수행되는 것을 특징으로 하는 유기발광 디스플레이 소자의 제조방법
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청구항 11에 있어서,상기 보호층을 형성하는 단계는 페이스 씰 공정으로 수행되는 것을 특징으로 하는 유기발광 디스플레이 소자의 제조방법
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청구항 11에 있어서,상기 청색 유기발광다이오드층을 형성하는 단계가 정공주입층, 정공수송층, 청색 유기발광층, 전자수송층 및 전자주입층을 순차적으로 적층하여 수행되는 것을 특징으로 하는 유기발광 디스플레이 소자의 제조방법
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청구항 11에 있어서,TFT가 형성된 능동 매트릭스 회로층과 연결하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 유기발광 디스플레이 소자의 제조방법
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청구항 11에 있어서,상기 전보호층을 형성하는 단계 전에, 상기 투명 캐소드 위에 유기물질로 CPL(capping layer)을 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 유기발광 디스플레이 소자의 제조방법
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