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플라즈마 공정 챔버 내의 광을 수집하고 분석하여, 상기 플라즈마 공정 챔버 내의 소정의 반응 라디컬에 대해 시간축과 공간축의 함수로 이루어진 광학 분광 정보를 생성하는 분광계측기; 및상기 광학 분광 정보를 시간축으로 적분하여 공간축의 함수로 이루어진 누적 공간 분포를 생성하고, 상기 누적 공간 분포에 기초하여 플라즈마 공정의 진행 정도를 판단하는 분석부를 포함하고,상기 분석부는:상기 누적 공간 분포에 기초하여, 상기 플라즈마 공정 챔버 내에서 플라즈마 광원에 의해 처리되는 기판에 대한 식각 깊이의 공간 분포 또는 상기 기판의 박막 증착 두께 공간 분포를 산출하고,상기 분광계측기는:상기 플라즈마 광원으로부터의 광을 집속하기 위한 광집속 렌즈; 및상기 플라즈마 광원 중의 상기 광집속 렌즈에 대한 물체면(objective plane)을 이동시켜 상기 공간축을 따라 반응 라디컬 농도 분포를 측정하기 위하여, 상기 광집속 렌즈를 상기 광집속 렌즈의 광축 방향으로 이동시키는 렌즈 이동부를 포함하는 플라즈마 공정 계측 장치
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제1 항에 있어서,상기 광집속 렌즈는:상기 플라즈마 광원의 상기 광집속 렌즈로부터 먼 측의 단부면을 포함하는 광축 방향의 설정된 영역 내에 소정의 물체면(objective plane)을 위치시키는 초점거리를 갖는 플라즈마 공정 계측 장치
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제4 항에 있어서,상기 광집속 렌즈는:상기 플라즈마 광원의 상기 소정의 물체면에서 방출되는 제1 광, 상기 소정의 물체면의 전방 영역에서 방출되는 제2 광 및 상기 소정의 물체면의 후방 영역에서 방출되는 제3 광을 집속하도록 구성되고,상기 분광계측기는:상기 광집속 렌즈에 의해 집속되는 상기 제1 광의 결상면에 배치되고, 상기 제1 광의 결상점을 감싸는 영역에 형성되고 상기 제2 광의 집속광 및 상기 제3 광의 집속광을 동시에 차단하는 차단면을 갖는 차단판을 포함하고, 상기 제1 광의 집속광을 통과시켜 회절시키는 개구가 상기 차단판을 관통하여 상기 제1 광의 결상점에 형성되는 광선택부;상기 개구를 통과하여 회절된 상기 제1 광을 포집하는 렌즈부; 및상기 렌즈부에 의해 포집된 상기 제1 광이 입사되는 광섬유를 더 포함하는 플라즈마 공정 계측 장치
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제5 항에 있어서,상기 광선택부, 상기 렌즈부 및 상기 광섬유를 포함하는 광전달부를 복수개 포함하고, 복수개의 광전달부는 복수개의 상이한 플라즈마 광원의 크기에 일대일 대응하도록 마련되며,상기 복수개의 광전달부는 상기 렌즈부의 직경, 상기 개구로부터 상기 렌즈부 사이의 거리, 상기 렌즈부로부터 상기 광섬유 사이의 거리 및 상기 개구의 직경이 상이한 값을 갖는 플라즈마 공정 계측 장치
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제6 항에 있어서,상기 분광계측기는:상기 복수개의 광전달부를 구동하여 상기 복수개의 광전달부 중 상기 플라즈마 광원의 크기 또는 상기 기판의 크기에 대응하는 광전달부를 광수집을 위한 위치로 이동시킴으로써 광수집효율을 극대화시키는 구동부를 더 포함하는 플라즈마 공정 계측 장치
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플라즈마 공정 챔버 내의 광을 수집하고 분석하여, 상기 플라즈마 공정 챔버 내의 소정의 반응 라디컬에 대해 시간축과 공간축의 함수로 이루어진 광학 분광 정보를 생성하는 단계; 및상기 광학 분광 정보를 시간축으로 적분하여 공간축의 함수로 이루어진 누적 공간 분포를 생성하고, 상기 누적 공간 분포에 기초하여 플라즈마 공정의 진행 정도를 판단하는 단계를 포함하고,상기 플라즈마 공정의 진행 정도를 판단하는 단계는:상기 누적 공간 분포에 기초하여, 상기 플라즈마 공정 챔버 내에서 플라즈마 광원에 의해 처리되는 기판에 대한 식각 깊이의 공간 분포 또는 상기 기판의 박막 증착 두께 공간 분포를 산출하고,상기 광학 분광 정보를 생성하는 단계는:광집속 렌즈에 의해 상기 플라즈마 광원으로부터의 광을 집속하는 단계; 및상기 플라즈마 광원 중의 상기 광집속 렌즈에 대한 물체면(objective plane)을 이동시켜 상기 공간축을 따라 반응 라디컬 농도 분포를 측정하기 위하여, 상기 광집속 렌즈를 상기 광집속 렌즈의 광축 방향으로 이동시키면서 상기 플라즈마 공정 챔버 내의 광을 수집하여, 공간 분포를 갖는 상기 광학 분광 정보를 생성하는 단계를 포함하는 플라즈마 공정 계측 방법
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