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하기 화학식을 갖고, Bi-Te계 상태도를 벗어나는 과잉 Te를 포함하며, 단일 용융점을 갖는 A-Bi-Te 화합물
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제 1 항에 있어서,상기 A-Bi-Te 화합물은 상 균일성을 갖는 것을 특징으로 하는 A-Bi-Te 화합물
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제 1 항에 있어서,상기 A-Bi-Te 화합물은 할로우 구조를 갖는 것을 특징으로 하는 A-Bi-Te 화합물
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제 1 항에 있어서,상기 A-Bi-Te 화합물은 나노튜브 형상, 나노입자 형상, 또는 벌크 펠렛 형상을 갖는 것을 특징으로 하는 A-Bi-Te 화합물
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제 1 항에 있어서,상기 A-Bi-Te 화합물은 Te-Bi-Te-Bi-Te-Bi-Te로 구성되는 7겹 원자층을 포함하는 것을 특징으로 하는 A-Bi-Te 화합물
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제 1 항에 있어서,상기 A-Bi-Te 화합물은 Te-Bi-Te-Bi-Te-Te-Bi-Te 원자 배열을 포함하는 것을 특징으로 하는 A-Bi-Te 화합물
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제 1 항에 있어서,상기 A-Bi-Te 화합물은 n-타입 열전 반도체인 것을 특징으로 하는 A-Bi-Te 화합물
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제 1 항에 있어서,상기 화학식은 K0
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제 1 항에 있어서,상기 A-Bi-Te 화합물은 300 ~ 480K의 온도 범위에서 22㎼cm-1K-2 이상의 역률을 갖는 것을 특징으로 하는 A-Bi-Te 화합물
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제 1 항에 있어서,상기 A-Bi-Te 화합물은 300 ~ 480K의 온도 범위에서 0
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Te 나노로드를 형성하는 단계;Bi 전구체 용액을 형성하는 단계;상기 Te 나노로드와 상기 Bi를 반응시켜 Bi-Te 나노튜브를 형성하는 단계; 및상기 Bi-Te 나노튜브에 칼륨을 도핑하여 K-Bi-Te 나노튜브를 형성하는 단계를 포함하고,상기 Te 나노로드는,PVP(polyvinylpyrrolidone) 리간드가 결합된 것을 특징으로 하는 A-Bi-Te 화합물의 형성 방법
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제 12 항에 있어서,상기 PVP 리간드에 의해 상기 Te와 상기 Bi의 반응 속도가 제어되는 것을 특징으로 하는 A-Bi-Te 화합물의 형성 방법
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제 14 항에 있어서,상기 반응에서 상기 PVP에 의해 상기 Te 이온의 외부 확산이 상기 Bi 이온의 내부 확산보다 더 빠르게 진행되는 것을 특징으로 하는 A-Bi-Te 화합물의 형성 방법
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제 12 항에 있어서,상기 A-Bi-Te 나노튜브에 대하여 SPS(spark plasma sintering)를 수행하는 단계를 더 포함하며,상기 SPS에 의해 상기 A-Bi-Te 화합물은 벌크 펠렛으로 형성되는 것을 특징으로 하는 A-Bi-Te 화합물의 형성 방법
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제 16 항에 있어서,상기 SPS에 의해 상기 PVP 리간드가 제거되는 것을 특징으로 하는 A-Bi-Te 화합물의 형성 방법
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제 12 항에 있어서,상기 반응은 150 ~ 170℃ 온도의 에틸렌 글리콜에서 수행되는 것을 특징으로 하는 A-Bi-Te 화합물의 형성 방법
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제 12 항에 있어서,상기 도핑은 130 ~ 150℃ 온도의 에틸렌 글리콜에서 수행되는 것을 특징으로 하는 A-Bi-Te 화합물의 형성 방법
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제 12 항에 있어서,상기 Te 나노로드는,에틸렌 글리콜에 TeO2, PVP, 및 KOH를 혼합하여 반응시키는 것에 의해 형성되는 것을 특징으로 하는 A-Bi-Te 화합물의 형성 방법
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