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메모리 과부하 난수 발생 장치 및 방법(MEMORY HARD RANDOM NUMBER GENERATING APPARATUS AND METHOD)

  • 기술번호 : KST2018001709
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 난수 발생 기술에 관한 것으로, N 개(상기 N은 2 이상의 자연수)의 메모리 블록들을 포함하는 메모리 블록부, 첫 번째부터 (j-1) 번째(상기 j는 2 이상의 자연수)까지의 메모리 블록에 있는 이전 메모리 값들과 현재 내부 상태를 기초로 j 번째 메모리 블록에 있는 현재 메모리 값을 산출하는 메모리 과부하 연산부 및 상기 현재 메모리 값 중 특정 비트블록에 관해 업데이트 연산을 수행하여 다음 메모리 값의 일부에 해당하는 다음 내부 상태를 갱신하는 내부 상태 갱신부를 포함한다.
Int. CL G06F 7/58 (2016.09.07) G06F 15/16 (2016.09.07) G06F 21/80 (2016.09.07)
CPC G06F 7/58(2013.01) G06F 7/58(2013.01) G06F 7/58(2013.01)
출원번호/일자 1020160098751 (2016.08.03)
출원인 국민대학교산학협력단
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2018-0015362 (2018.02.13) 문서열기
공고번호/일자 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2016.08.03)
심사청구항수 18

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 국민대학교산학협력단 대한민국 서울특별시 성북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 유동창 대한민국 서울특별시 성북구
2 강주성 대한민국 서울특별시 강북구
3 염용진 대한민국 서울특별시 서초구
4 유태일 대한민국 서울특별시 은평구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 정부연 대한민국 서울특별시 서초구 반포대로**길 ** ***동 ***,***호(서초동, 한빛위너스)(현신특허사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 국민대학교산학협력단 서울특별시 성북구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2016.08.03 수리 (Accepted) 1-1-2016-0754204-92
2 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2017.08.10 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2017-0558635-95
3 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2017.09.27 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2017-0946448-52
4 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2017.09.27 수리 (Accepted) 1-1-2017-0946457-63
5 등록결정서
Decision to grant
2018.02.20 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2018-0124233-77
6 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment
2018.04.26 수리 (Accepted) 1-1-2018-0415886-61
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번호 청구항
1 1
N 개(상기 N은 2 이상의 자연수)의 메모리 블록들을 포함하는 메모리 블록부;첫 번째부터 (j-1) 번째(상기 j는 2 이상의 자연수)까지의 메모리 블록에 있는 이전 메모리 값들 중 적어도 일부에 대해 산술 연산을 수행하여 제1 데이터를 생성하고, 상기 제1 데이터와 현재 내부 상태에 대해 산술 연산을 수행하여 제2 데이터를 생성하며, 상기 제2 데이터를 j 번째 메모리 블록에 있는 현재 메모리 값으로 산출하는 메모리 과부하 연산부; 및상기 현재 메모리 값을 기초로 다음 내부 상태를 갱신하는 내부 상태 갱신부를 포함하는 메모리 과부하 난수 발생 장치
2 2
제1항에 있어서, 상기 메모리 과부하 연산부는초기화 단계에서 초기 설정 데이터와 해당 단계에서의 현재 내부 상태에 대해 산술 연산을 수행하여 상기 첫 번째의 메모리 블록에 있는 메모리 값을 산출하는 것을 특징으로 하는 메모리 과부하 난수 발생 장치
3 3
제2항에 있어서, 상기 메모리 과부하 연산부는상기 초기화 단계가 종료되면 상기 j를 2에서부터 시작하여 1단위씩 증가시키면서 상기 j가 상기 N과 같아질 때까지 상기 j 번째 메모리 블록에 있는 현재 메모리 값의 산출 및 상기 다음 내부 상태의 갱신이 순차적으로 반복 수행되도록 하여 두 번째부터 상기 N 번째 메모리 블록에 있는 메모리 값들을 순차적으로 산출하는 것을 특징으로 하는 메모리 과부하 난수 발생 장치
4 4
제3항에 있어서, 상기 메모리 과부하 연산부는상기 j가 상기 N과 같아지면 상기 j 번째 메모리 블록에 있는 현재 메모리 값 산출을 수행한 후에 해당 산출된 현재 메모리 값과 특정 비트수에 대한 모듈로(modulo) 연산을 수행하여 생성된 난수를 최종적으로 출력하는 것을 특징으로 하는 메모리 과부하 난수 발생 장치
5 5
제1항에 있어서, 상기 메모리 과부하 연산부는상기 제1 데이터를 기초로 상기 첫 번째부터 (j-1) 번째까지의 메모리 블록 중에서 적어도 하나의 메모리 블록을 선택하고, 상기 선택된 적어도 하나의 메모리 블록에 있는 이전 메모리 값과 현재 내부 상태에 대한 산술 연산을 통해 상기 제2 데이터를 생성하는 것을 특징으로 하는 메모리 과부하 난수 발생 장치
6 6
제5항에 있어서, 상기 메모리 과부하 연산부는상기 (j-1) 번째 메모리 블록에 있는 이전 메모리 값에 관해 제1 해시 연산을 수행하여 제1 해시 데이터를 생성하고, 상기 제1 해시 데이터를 기초로 적어도 하나의 인덱스(i)를 생성하여 상기 적어도 하나의 인덱스와 연관되고 적어도 하나의 메모리 블록에 있는 이전 메모리 값을 호출하는 것을 특징으로 하는 메모리 과부하 난수 발생 장치
7 7
제6항에 있어서, 상기 메모리 과부하 연산부는상기 호출된 적어도 하나의 메모리 블록에 있는 이전 메모리 값에 관해 제2 해시 연산을 수행하여 제2 해시 데이터를 생성하고, 상기 제2 해시 데이터와 상기 현재 내부 상태를 기초로 상기 제2 데이터를 생성하는 것을 특징으로 하는 메모리 과부하 난수 발생 장치
8 8
제7항에 있어서, 상기 메모리 과부하 연산부는상기 제1 해시 데이터를 기초로 두 개의 인덱스(i1, i2)를 생성하고, 상기 i1 번째 및 i2 번째 메모리 블록에 있는 이전 메모리 값들을 호출하여 상기 호출된 이전 메모리 값들에 관해 연접 연산을 수행하며, 상기 연접 연산에 따라 생성된 비트블록에 관해 상기 제2 해시 연산을 수행하여 상기 제2 해시 데이터를 생성하는 것을 특징으로 하는 메모리 과부하 난수 발생 장치
9 9
제7항에 있어서, 상기 메모리 과부하 연산부는상기 제2 해시 데이터에 현재 시각 정보를 포함하는 특정 비트블록 및 상기 현재 내부 상태에 관해 연접 연산을 수행하여 상기 제2 데이터를 생성하는 것을 특징으로 하는 메모리 과부하 난수 발생 장치
10 10
제8항에 있어서, 상기 메모리 과부하 연산부는상기 제1 해시 데이터의 일부에 해당하는 비트블록들 각각에 관해 모듈로 연산을 수행하여 상기 두 개의 인덱스(i1, i2)를 생성하는 것을 특징으로 하는 메모리 과부하 난수 발생 장치
11 11
제10항에 있어서, 상기 메모리 과부하 연산부는상기 제1 해시 데이터의 상위 및 하위 절반에 해당하는 비트블록들 각각에 관해 j로 모듈로 연산을 수행하여 0 이상 (j-1) 이하의 정수 중에서 하나의 값을 가지는 상기 두 개의 인덱스(i1, i2) 각각을 생성하는 것을 특징으로 하는 메모리 과부하 난수 발생 장치
12 12
제8항에 있어서, 상기 메모리 과부하 연산부는상기 제1 해시 데이터에 포함되는 특정 비트블록을 기초로 상기 두 개의 인덱스 중에서 i1을 생성하고, 상기 생성된 i1을 기초로 모듈로 연산을 수행하여 상기 두 개의 인덱스 중에서 i2를 생성하는 것을 특징으로 하는 메모리 과부하 난수 발생 장치
13 13
제8항에 있어서, 상기 두 개의 인덱스(i1, i2)는상호 간에 배타적인(exclusive) 관계를 가지는 것을 특징으로 하는 메모리 과부하 난수 발생 장치
14 14
제8항에 있어서, 상기 메모리 과부하 연산부는상기 제1 해시 데이터의 일부에 해당하는 비트블록들의 이진수 값에 관해 비트 단위로 논리 연산을 수행한 결과를 기초로 상기 두 개의 인덱스(i1, i2)를 생성하는 것을 특징으로 하는 메모리 과부하 난수 발생 장치
15 15
제1항에 있어서, 상기 내부 상태 갱신부는상기 j 번째 메모리 블록에 있는 현재 메모리 값이 산출되면 상기 다음 내부 상태를 갱신하는 것을 특징으로 하는 메모리 과부하 난수 발생 장치
16 16
제1항에 있어서, 상기 내부 상태 갱신부는상기 다음 내부 상태를 갱신할 때 입력 잡음원을 기초로 업데이트 연산을 수행하는 것을 특징으로 메모리 과부하 난수 발생 장치
17 17
제7항에 있어서, 상기 내부 상태 갱신부는상기 생성된 제2 해시 데이터를 기초로 업데이트 연산을 수행하여 상기 다음 내부 상태를 갱신하는 것을 특징으로 하는 메모리 과부하 난수 발생 장치
18 18
삭제
19 19
메모리 과부하 난수 발생 장치에 의해 수행되는 메모리 과부하 난수 발생 방법에 있어서,N 개(상기 N은 2 이상의 자연수)의 메모리 블록들을 준비하는 메모리 블록 준비 단계;첫 번째부터 (j-1) 번째(상기 j는 2 이상의 자연수)까지의 메모리 블록에 있는 이전 메모리 값들 중 적어도 일부에 대해 산술 연산을 수행하여 제1 데이터를 생성하고, 상기 제1 데이터와 현재 내부 상태에 대해 산술 연산을 수행하여 제2 데이터를 생성하며, 상기 제2 데이터를 j 번째 메모리 블록에 있는 현재 메모리 값으로 산출하는 메모리 과부하 연산 단계; 및상기 현재 메모리 값을 기초로 다음 내부 상태를 갱신하는 내부 상태 갱신 단계를 포함하는 메모리 과부하 난수 발생 방법
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 과학기술정보통신부 국민대학교산학협력단 정보보호핵심원천기술개발(R&D) (안전성 연구 1세부) 난수발생기 및 임베디드 기기 안전성 연구