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이차원 물질층을 포함하는 전자 소자(An electronic device comprising two dimensional material)

기술번호 : KST2018001748
담당센터 : 경기기술혁신센터
전화번호 : 031-8006-1570

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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약	이차원 물질층을 포함하는 전자 소자가 개시된다. 전자 소자는 이차원 물질층의 측단부와 직접 접촉하는 전극층을 포함할 수 있다. 전극층은 높은 일함수를 지닌 전도성 물질을 포함하는 형성되거나, 높은 일함수는 지닌 전도성 물질로 형성된 전극층 및 낮은 일함수를 지닌 전도성 물질로 형성된 전극층을 포함하는 구조로 형성될 수 있다.
Int. CL	H01L 29/66 (2016.08.31) H01L 29/10 (2016.08.31) H01L 29/16 (2016.08.31) H01L 29/73 (2016.08.31) H01L 29/74 (2016.08.31)
CPC	H01L 29/66136(2013.01) H01L 29/66136(2013.01) H01L 29/66136(2013.01) H01L 29/66136(2013.01) H01L 29/66136(2013.01) H01L 29/66136(2013.01)
출원번호/일자	1020160099620 (2016.08.04)
출원인	삼성전자주식회사, 성균관대학교산학협력단
등록번호/일자
공개번호/일자	10-2018-0015956 (2018.02.14) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태	공개
심사진행상태	수리
심판사항
구분	신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자	N
심사청구항수	14

출원인

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번호	이름	국적	주소
1	삼성전자주식회사	대한민국	경기도 수원시 영통구
2	성균관대학교산학협력단	대한민국	경기도 수원시 장안구

발명자

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번호	이름	국적	주소
1	남승걸	대한민국	경기도 수원시 영통구
2	유원종	미국	경기도 수원시 장안구
3	양정	중국	경기도 수원시 장안구

대리인

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번호	이름	국적	주소
1	리앤목특허법인	대한민국	서울 강남구 언주로 길 , 층, 층, 층, *층(도곡동, 대림아크로텔)

최종권리자

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번호	이름	국적	주소
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번호	서류명	접수/발송일자	처리상태	접수/발송번호
1	[특허출원]특허출원서 [Patent Application] Patent Application	2016.08.04	수리 (Accepted)	1-1-2016-0760270-81
2	출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information	2017.02.23	수리 (Accepted)	4-1-2017-5028829-43

번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호	청구항
1	1 게이트 전극 상에 형성된 게이트 절연층;상기 게이트 전극 상에 형성된 게이트 절연층 상에 형성된 이차원 물질층; 상기 이차원 물질층 상에 형성된 절연층; 및 상기 이차원 물질층의 측단부와 접촉하여 형성된 것으로 높은 일함수를 지닌 전극층;을 포함하는 이차원 물질층을 포함하는 전자 소자
2	2 제 1항에 있어서, 상기 전극층은 5
3	3 제 1항에 있어서,상기 전극층은 상기 이차원 물질층 및 상기 절연층을 개구하여 상기 게이트 절연층 표면에서 상기 이차원 물질층의 측단부와 직접 접촉되도록 형성된 이차원 물질층을 포함하는 전자 소자
4	4 제 3항에 있어서,상기 전극층은 상기 게이트 절연층 표면에서 상기 이차원 물질층의 측단부와 직접 접촉되어 각각 형성된 제 1전극층 및 제 2전극층을 포함하는 이차원 물질층을 포함하는 전자 소자
5	5 제 1항에 있어서,상기 이차원 물질층은 전이 금속 칼코게나이드계 물질(metal chalcogenide based material)을 포함하여 형성된 이차원 물질층을 포함하는 전자 소자
6	6 제 5항에 있어서,상기 이차원 물질층은 MoS2, MoSe2, MoTe2, WS2, WSe2, WTe2, ZrS2, ZrSe2, HfS2, HfSe2, NbSe2 또는 ReSe2로 형성된 이차원 물질층을 포함하는 전자 소자
7	7 제 1항에 있어서,상기 절연층은 h-BN 또는 Al2O3로 형성된 이차원 물질층을 포함하는 전자 소자
8	8 게이트 전극 상에 형성된 게이트 절연층;상기 게이트 전극 상에 형성된 게이트 절연층 상에 형성된 이차원 물질층; 상기 이차원 물질층 상에 형성된 절연층; 및 상기 이차원 물질층의 측단부와 접촉하여 형성된 것으로 서로 다른 일함수를 지닌 전극층들;을 포함하는 이차원 물질층을 포함하는 전자 소자
9	9 제 8항에 있어서, 상기 전극층들은 3eV이상이며, 5eV 미만의 일함수를 지닌 제 1전극층; 및 5
10	10 제 9항에 있어서,상기 제 1전극층은 제 1-1전극층 및 제 1-2전극층을 포함하며,상기 제 2전극층은 제 2-1전극층 및 제 2-2전극층을 포함하고, 상기 제 1-1전극층은 상기 전자 소자의 제 1영역에 형성되며, 상기 제 2-2전극층은 상기 전자 소자의 제 2영역에 형성되며,상기 1-2전극층 및 상기 2-1전극층은 상기 제 1영역 및 제 2영역 사이에 제 3영역에 함께 형성된 이차원 물질층을 포함하는 전자 소자
11	11 제 9항에 있어서,상기 제 1전극층과 상기 이차원 물질층의 측단부와 접촉하는 영역에는 n형 컨택 영역이 형성되며, 상기 제 2전극층과 상기 이차원 물질층의 측단부와 접촉하는 영역에는 p형 컨택 영역이 형성된 이차원 물질층을 포함하는 전자 소자
12	12 제 8항에 있어서,상기 이차원 물질층은 전이 금속 칼코게나이드계 물질(metal chalcogenide based material)을 포함하여 형성된 이차원 물질층을 포함하는 전자 소자
13	13 제 12항에 있어서,상기 이차원 물질층은 MoS2, MoSe2, MoTe2, WS2, WSe2, WTe2, ZrS2, ZrSe2, HfS2, HfSe2, NbSe2 또는 ReSe2로 형성된 이차원 물질층을 포함하는 전자 소자
14	14 제 1항에 있어서,상기 절연층은 h-BN 또는 Al2O3로 형성된 이차원 물질층을 포함하는 전자 소자

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순번	패밀리번호	국가코드	국가명	종류
1	US10516054	US	미국	FAMILY
2	US20180040737	US	미국	FAMILY

DOCDB 패밀리 정보

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순번	패밀리번호	국가코드	국가명	종류
1	US10516054	US	미국	DOCDBFAMILY
2	US2018040737	US	미국	DOCDBFAMILY

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번호	서류명	접수/발송일자	처리상태	접수/발송번호
1	[특허출원]특허출원서	2016.08.04	수리 (Accepted)	1-1-2016-0760270-81
2	출원인정보변경(경정)신고서	2017.02.23	수리 (Accepted)	4-1-2017-5028829-43

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