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이산화 바나듐(vanadium dioxide)으로 구성된 채널(channel);상기 채널의 일단에 연결된 캐소드(cathode);상기 채널의 타단에 연결된 애노드(anode);상기 채널과 물리적으로 이격된 게이트(gate); 및상기 채널과 상기 게이트 사이에 개재된 유전체(dielectric)를 포함하되, 상기 이산화 바나듐에 의해 금속-절연체 상전이 현상이 일어나고, 상기 금속-절연체 상전이에 의해 부성 미분 저항을 발생시키며, 상기 부성 미분 저항을 이용하여 스위칭 동작을 제어하는 사이리스터
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제1 항에 있어서,상기 채널은 기판 상에 증착된 박막(thin film) 형태이고,상기 캐소드는 상기 기판의 일부와 상기 채널의 일단을 덮는 형태이고,상기 애노드는 상기 기판의 다른 일부와 상기 채널의 타단을 덮는 형태인,사이리스터
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제2 항에 있어서,상기 유전체는 상기 캐소드의 일부, 상기 채널, 및 상기 애노드의 일부를 덮고 있는 형태인,사이리스터
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제3 항에 있어서,상기 게이트의 폭은 상기 캐소드와 상기 애노드 사이의 간격 이내인,사이리스터
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제1 항에 있어서,상기 게이트가 최하단에 판형으로 위치하고, 상기 유전체가 상기 게이트 상부에 판형으로 위치함으로써, 상기 게이트 및 상기 유전체가 기판을 구성하는사이리스터
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제5 항에 있어서,상기 채널은 상기 유전체 상에 증착된 박막 형태이고,상기 캐소드는 상기 유전체의 일부와 상기 채널의 일단을 덮는 형태이고,상기 애노드는 상기 유전체의 다른 일부와 상기 채널의 타단을 덮는 형태인,사이리스터
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제1 항에 있어서,상기 채널의 이산화 바나듐은 단결정(single crystal) 구조를 갖는,사이리스터
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제1 항에 있어서,상기 채널의 이산화 바나듐은 상온에서 절연체상인 단사정계(monoclinic)의 결정 구조를 갖는,사이리스터
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