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기판; 상기 기판 상의 활성층에 형성된 제 1 소자층; 상기 제 1 소자층 상에 배치되되 광신호가 전송되는 제 2 소자층; 및 상기 제 1 소자층과 상기 제 2 소자층 간의 유효 굴절률 차이를 해소하고 모드 프로파일을 매칭시키기 위하여 상기 제 1 소자층과 상기 제 2 소자층 사이에 개재된 모드 컨버터;를 포함하고,상기 제 1 소자층, 상기 모드 컨버터 및 상기 제 2 소자층은 상기 기판 상의 서로 다른 이격된 평면에 각각 순차적으로 배치되되, 상기 모드 컨버터의 일단은 상기 제 2 소자층의 일부와 오버랩(overlap)되도록 배치되며, 상기 모드 컨버터의 타단은 상기 제 1 소자층의 일부와 오버랩되도록 배치되며, 상기 모드 컨버터는 폭이 서로 다른 상기 일단 및 타단을 포함하되, 상기 일단 및 타단 사이를 연결하는 테이퍼(taper) 영역을 더 포함하는, 광 인터커넥트 장치
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제 1 항에 있어서,상기 기판은 제 1 굴절률을 가지는 물질로 이루어지는 벌크 기판이며, 상기 제 1 소자층은 제 2 굴절률을 가지는 물질로 이루어지며, 상기 모드 컨버터는 제 3 굴절률을 가지는 물질로 이루어지며, 상기 제 2 소자층은 제 4 굴절률을 가지는 물질로 이루어지되, 상기 활성층에 형성된 제 1 소자층의 도파관 모드의 제 1 유효 굴절률과 상기 모드 컨버터 타단의 도파관 모드의 유효 굴절률은 상기 제 1 소자층과 상기 모드 컨버터 타단에서 디렉셔널 커플링(directional coupling)이 일어날 수 있도록 결정되며, 상기 제 2 소자층의 도파관 모드의 제 2 유효 굴절률과 상기 모드 컨버터 일단의 도파관 모드의 유효 굴절률은 상기 제 2 소자층과 상기 모드 컨버터 일단에서 디렉셔널 커플링(directional coupling)이 일어날 수 있도록 결정되며,상기 제 1 유효 굴절률은 상기 제 1 굴절률보다 크고 상기 제 2 굴절률보다 작으며, 상기 제 2 유효 굴절률은 상기 제 3 굴절률 및 상기 제 4 굴절률 보다 작은, 광 인터커넥트 장치
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제 2 항에 있어서,상기 제 1 굴절률을 가지는 물질은 실리콘이며, 상기 제 2 굴절률을 가지는 물질은 게르마늄이며, 상기 제 3 굴절률을 가지는 물질은 게르마늄이며, 상기 제 4 굴절률을 가지는 물질은 실리콘, 실리콘질화물 또는 실리콘산화질화물 이며, 상기 기판은 SOI 기판이 아닌 벌크 실리콘 기판인, 광 인터커넥트 장치
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제 1 항에 있어서,상기 활성층에 형성된 제 1 소자층의 일부와 오버랩되는 상기 모드 컨버터의 타단의 폭은 상기 제 2 소자층의 일부와 오버랩되는 상기 모드 컨버터의 일단의 폭보다 더 큰, 광 인터커넥트 장치
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제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서,상기 기판, 상기 활성층에 형성된 제 1 소자층, 상기 제 2 소자층 및 상기 모드 컨버터 사이의 이격 공간을 충전하는 절연체층을 더 포함하는, 광 인터커넥트 장치
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벌크 실리콘 기판; 상기 벌크 실리콘 기판 상에 형성된 능동 광소자; 상기 능동 광소자 상에 배치되되 광신호가 전송되는 제 2 소자층; 및 상기 능동 광소자의 활성층에 형성된 제 1 소자층과 상기 제 2 소자층 간의 유효 굴절률 차이를 해소하고 모드 프로파일을 매칭시키기 위하여 상기 능동 광소자와 상기 제 2 소자층 사이에 개재된 모드 컨버터;를 포함하고,상기 능동 광소자, 상기 모드 컨버터 및 상기 제 2 소자층은 상기 기판 상의 서로 다른 이격된 평면에 각각 순차적으로 배치되되, 상기 모드 컨버터의 일단은 상기 제 2 소자층의 일부와 오버랩(overlap)되도록 배치되며, 상기 모드 컨버터의 타단은 상기 능동 광소자의 활성층에 형성된 제 1 소자층 일부와 오버랩되도록 배치되며, 상기 모드 컨버터는 폭이 서로 다른 상기 일단 및 타단을 포함하되, 상기 일단 및 타단 사이를 연결하는 테이퍼(taper) 영역을 더 포함하는, 광소자 집적 장치
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