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반응계내에 물이 존재하는 상태로 InP계 양자점을 합성하는 코어형성단계; 및 상기 InP계 양자점의 표면에 ZnS계 쉘을 형성시키는 쉘형성단계;를 포함하고,상기 코어형성단계에서 상기 반응계내에 존재하는 물은 합성되는 InP계 양자점의 표면에 비정질 인산염층을 형성하는 InP/ZnS 코어-쉘 양자점 제조방법
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제 1 항에 있어서, 상기 코어형성단계는 상기 반응계가 형성되는 반응기에서 인듐을 포함하는 제1화합물의 수화물 및 아연을 포함하는 제2화합물 중 하나 이상을 아민계용매에 혼합하여 제1전구체혼합물을 형성하는 제1전구체혼합물준비단계;상기 제1전구체혼합물이 형성된 반응기를 실온에서 수십초 내지 수분동안 진공이 유지되도록 처리하는 탈기단계;상기 탈기된 반응기에 불활성가스를 주입하여 형성된 불활성분위기 하에서 상기 제1전구체혼합물을 100℃ 이하의 온도로 가열하여 반응용액을 형성한 후 상기 반응용액의 반응온도까지 승온시키는 가열단계;상기 가열된 반응기에 트리스(디메틸아미노)포스핀[(DMA)3P]을 주입하는 단계; 및 상기 (DMA)3P와 상기 반응용액 내의 In 및 Zn 중 하나 이상이 반응하여 성장함으로써 InP계 양자점이 형성되는 InP계 양자점 형성단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 InP/ZnS 코어-쉘 양자점 제조방법
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제 2 항에 있어서,상기 가열단계에서 상기 인듐을 포함하는 제1화합물의 수화물로부터 분리된 물이 상기 반응기에 형성된 반응계에 도입되는 것을 특징으로 하는 InP/ZnS 코어-쉘 양자점 제조방법
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제 1 항에 있어서, 상기 코어형성단계는 상기 반응계가 형성되는 반응기에서 인듐을 포함하는 제1화합물 및 아연을 포함하는 제2화합물 중 하나 이상을 아민계용매에 혼합하여 제2전구체혼합물을 형성하는 제2전구체혼합물준비단계;상기 제2전구체혼합물이 준비된 반응기를 100 내지 120℃의 온도 및 고진공이 유지되도록 1시간 이상 처리하여 상기 반응계로부터 물을 제거하고 반응용액을 형성하는 반응용액형성단계;상기 반응용액이 형성된 반응기를 실온으로 냉각시킨 후 기설정된 함량의 물을 상기 반응기의 반응용액에 첨가하는 물 첨가단계;상기 물이 첨가된 반응용액에 불활성기체를 도입하여 불활성분위기에서 반응온도까지 승온시키는 가열단계;상기 가열된 반응기에 트리스(디메틸아미노)포스핀[(DMA)3P]을 주입하는 단계; 및 상기 (DMA)3P와 상기 반응용액 내의 In 및 Zn 중 하나 이상이 반응하여 성장함으로써 InP계 양자점이 형성되는 InP계 양자점 형성단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 InP/ZnS 코어-쉘 양자점 제조방법
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제 4 항에 있어서,상기 물 첨가단계에서 첨가되는 물의 함량에 따라 InP/ZnS 코어-쉘 양자점의 발광 파장이 튜닝되는 것을 특징으로 하는 InP/ZnS 코어-쉘 양자점 제조방법
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제 5 항에 있어서,상기 튜닝되는 발광파장의 범위가 525nm 내지 625nm까지 인 것을 특징으로 하는 InP/ZnS 코어-쉘 양자점 제조방법
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제 4 항에 있어서,상기 물 첨가단계에서 첨가되는 물의 함량과 InP/ZnS 코어-쉘 양자점의 크기는 비례관계인 것을 특징으로 하는 InP/ZnS 코어-쉘 양자점 제조방법
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제 2 항 내지 제 7 항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 인듐을 포함 하는 제1화합물은 인듐 클로라이드, 인듐 아세테이트 및 인듐 옥사이드로 구성된 그룹에서 선택되는 어느 하나인 것을 특징으로 하는 InP/ZnS 코어-쉘 양자점 제조방법
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제 2 항 내지 제 7 항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 아연을 포함 하는 제2화합물은 아연 아세테이트, 아연 스테레이트, 아연 클로라이드 및 아연 옥사이드로 구성된 그룹에서 선택되는 어느 하나인 것을 특징으로 하는 InP/ZnS 코어-쉘 양자점 제조방법
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제 2 항 내지 제 7 항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 아민계용매는 데실아민(decylamine), 테트라데실아민(tetradecyl amine), 도데실 아민(dodecylamine),헥사데실아민(hexadecylamine), 옥타데실아민(octadecylamine), 올레일아민(oleylamine), 옥틸아민(octylamine), 트라이옥틸아민(trioctylamine) 및 이들의 조합으로 구성된 그룹에서 선택되는 어느 하나 이상인 것을 특징으로 하는 InP/ZnS 코어-쉘 양자점 제조방법
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제 1 항에 있어서, 상기 쉘형성단계는 상기 InP계 양자점이 합성된 반응기에 황이 포함된 제3화합물을 첨가한 후 반응온도까지 승온시켜 일정시간 유지하는 1차반응단계; 및상기 반응기에 아연을 포함하는 제4화합물을 첨가한 후 상기 반응온도를 일정시간 유지하는 2차반응단계;를 포함하는 InP/ZnS 코어-쉘 양자점 제조방법
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제 12 항에 있어서,상기 1차반응단계 및 2차반응단계가 순차적으로 1회 이상 더 수행되는 것을 특징으로 하는 InP/ZnS 코어-쉘 양자점 제조방법
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제 12 항에 있어서, 상기 황이 포함된 제3화합물은 도데칸티올, 옥탄티올, 벤젠티올, 에탄티올 및 설퍼 파우더로 이루어진 군으로부터 선택된 어느 하나 이상인 것을 특징으로 하는 InP/ZnS 코어-쉘 양자점 제조방법
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표면측으로 비정질 인산염층이 형성되고, 평균 크기가 2nm이하인 InP계 양자점 코어; 및상기 양자점 코어 표면을 둘러싸서 형성되고 평균두께가 1
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제 15 항에 있어서,발광파장은 528±2nm이상이고, FWHM은 40±1 nm이하이며, PLQY가 45% 이상인 것을 특징으로 하는 InP/ZnS 코어-쉘 양자점
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제 15 항에 있어서,상기 양자점코어 표면에서 In/P 원자비는 0
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제 15 항에 있어서,상기 양자점 코어에 포함된 In과 상기 쉘층에 포함된 Zn의 함량비는 1: 5 내지 1:7인 것을 특징으로 하는 InP/ZnS 코어-쉘 양자점
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제 1 항 내지 제 7 항, 제 12 항 내지 제 14항 중 어느 한 항의 제조방법으로 제조된 InP/ZnS 코어-쉘 양자점 또는 제 15 항, 제 17 항 내지 제 19 항 중 어느 한 항의 InP/ZnS 코어-쉘 양자점; 및상기 InP/ZnS 코어-쉘 양자점이 매립된 고분자 매트릭스;를 포함하는 발광필름
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제 20 항에 있어서,상기 발광필름은 250℃까지 열안정성을 갖는 것을 특징으로 하는 발광필름
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제 20 항의 발광필름을 포함하는 백색 LED
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제 1 항 내지 제 7 항, 제 12 항 내지 제 14항 중 어느 한 항의 제조방법으로 제조된 InP/ZnS 코어-쉘 양자점 또는 제 15 항, 제 17 항 내지 제 19 항 중 어느 한 항의 InP/ZnS 코어-쉘 양자점을 포함하는 LED
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