요약 | 본 발명은 열전소자의 제조방법에 관한 것으로, 기판 상에 제 1 전극을 형성하는 것, 상기 제 1 전극 상에 열전소재층을 형성하는 것 및 상기 열전소재층 상에 제 2 전극을 형성하는 것을 포함하되, 상기 열전소재층을 형성하는 것은, 상기 제 1 전극 상에 고분자 조성물을 도포하는 것 및 상기 고분자 조성물을 열처리 하는 것을 포함하고, 상기 열처리는, 상기 고분자 조성물을 도포할 때 인시츄로 수행되고, 상기 고분자 조성물을 도포하는 것 및 상기 열처리하는 것에 의해 상기 열전소재층 내에 기공이 형성되는 열전소자 제조 방법이 제공된다. |
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Int. CL | H01L 35/12 (2006.01.01) H01L 35/14 (2006.01.01) H01L 35/24 (2006.01.01) H01L 35/34 (2006.01.01) |
CPC | |
출원번호/일자 | 1020160153595 (2016.11.17) |
출원인 | 한국전자통신연구원 |
등록번호/일자 | |
공개번호/일자 | 10-2018-0016717 (2018.02.19) 문서열기 |
공고번호/일자 | |
국제출원번호/일자 | |
국제공개번호/일자 | |
우선권정보 |
대한민국 | 1020160100319 | 2016.08.05
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법적상태 | 공개 |
심사진행상태 | 수리 |
심판사항 | |
구분 | 신규 |
원출원번호/일자 | |
관련 출원번호 | |
심사청구여부/일자 | Y (2020.06.04) |
심사청구항수 | 10 |