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스크류 본체(110) 및 상기 스크류 본체(110)를 둘러싸며, 적어도 그 일부에 단락 구간(130)이 형성된 스크류 블레이드(120)를 포함하는 스크류(100); 및그 일 단부에 개폐수단(210)을 구비하며, 내부에 가공물질이 제공되는 컴파운더 본체(200)를 포함하며,상기 스크류(100)는 서로 평행하게 위치하는 제 1 스크류(100a) 및 제 2 스크류(100b)를 포함하고,상기 제 1 스크류(100a)의 외주면의 일 측에는,제1 단락 구간(130a)이 인접한 다른 하나 이상의 제1 단락 구간(130a)과 평행하게 위치되는 제1 연속 구간이 형성되고, 상기 제 2 스크류(100b)의 외주면의 일 측에는, 제2 단락 구간(130b)이 인접한 다른 하나 이상의 제2 단락 구간(130b)과 평행하게 위치되는 제2 연속 구간이 형성되며, 상기 제1 연속 구간과 상기 제2 연속 구간이 상기 스크류 본체(110)의 길이 방향을 따라 교번적으로 반복 형성되고, 상기 개폐수단(210)의 작동에 의해 상기 컴파운더 본체(200) 내부와 외기의 연통여부가 조절되며, 상기 개폐수단(210)이 작동되어 상기 컴파운더 본체(200) 내부와 외기의 연통이 차단되고 상기 제 1 스크류(100a) 및 상기 제 2 스크류(100b)가 회전되는 경우, 상기 가공물질은, 상기 제 1 스크류(100a) 및 상기 제 2 스크류(100b)의 상기 스크류 블레이드(120)를 통해 전진하는 방향(A)과 상기 제 1 스크류(100a)의 제1 연속 구간 및 상기 제 2 스크류(100b)의 제2 연속 구간을 통해 후퇴하는 방향(B)으로 이동하는, 소성가공장치
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제 3 항에 있어서,상기 개폐수단(210)의 작동에 의해 상기 컴파운더 본체(200) 내부와 외기와 연통이 이루어지는 경우,상기 가공물질은 토출구(211)를 통해 상기 컴파운더 본체(200) 외부로 단일 가닥 (Single strand) 형태로 토출되는,소성가공장치
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제 3 항에 있어서,상기 가공물질은 폴리프로필렌(Polypropylene) 및 탄소나노튜브(Carbon nanotube)를 포함하는,소성가공장치
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제 8 항에 있어서,상기 탄소나노튜브는 단일벽 탄소나노튜브인(Single walled carbon nanotube),소성가공장치
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제 9 항에 있어서,상기 단일벽 탄소나노튜브의 중량 비율은 상기 가공물질의 중량 대비 0
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제 9 항에 있어서,상기 단일벽 탄소나노튜브의 중량 비율은 상기 가공물질의 중량 대비 1
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