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제1 나노 입자(nano particle); 및상기 제1 나노 입자와 다른 물질을 포함하는 제2 나노 입자를 포함하되,상기 제1 및 제2 나노 입자들은 서로 인접하여, 서로 전자기적으로 커플링되는 메타 물질 구조체
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제 1 항에 있어서,상기 제1 및 제2 나노 입자들 각각의 표면에 결합된 전도성 리간드를 더 포함하는 메타 물질 구조체
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제 1 항에 있어서, 상기 제1 및 제2 나노 입자들 사이의 간격은 10 나노미터(nm)보다 작은 메타 물질 구조체
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제 1 항에 있어서,상기 제1 및 제2 나노 입자들은 각각 서로 다른 금속 입자들을 포함하는 메타 물질 구조체
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제 4 항에 있어서,상기 제1 및 제2 나노 입자들의 각각은 은(Ag), 금(Au), 구리(Cu), 알루미늄(Al), 니켈(Ni), 크롬(Cr) 또는 납(Pb)을 포함하는 메타 물질 구조체
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제 1 항에 있어서,상기 제1 나노 입자는 금속 입자를 포함하고, 상기 제2 나노 입자는 반도체 입자를 포함하는 메타 물질 구조체
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제 6 항에 있어서,상기 제2 나노 입자는 단원자 반도체 입자 또는 화합물 반도체 입자를 포함하는 메타 물질 구조체
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제 7 항에 있어서,상기 제2 나노 입자는 CdSe, PbSe, PbS, 또는 PbTe를 포함하는 메타 물질 구조체
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제 1 항에 있어서,상기 제1 및 제2 나노 입자들은 서로 직접 접하는 메타 물질 구조체
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10
제 1 항에 있어서,상기 제1 및 제2 나노 입자들과 다른 물질을 포함하는 제3 나노 입자를 더 포함하되,상기 제1 내지 제3 나노 입자들은 인접하여, 서로 전자기적으로 커플링되는 메타 물질 구조체
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11
제 10 항에 있어서,상기 제3 나노 입자는 금속 입자 또는 반도체 입자를 포함하는 메타 물질 구조체
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12
제 1 항에 있어서,상기 메타 물질 구조체는 음의 굴절률을 가지는 메타 물질 구조체
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13
기판; 및상기 기판 상에 제공되고, 상기 기판의 상부면에 평행한 방향에 따라 배열된 패턴들을 포함하되,상기 패턴들의 각각은:제1 나노 입자(nano particle); 및상기 제1 나노 입자와 다른 물질을 포함하는 제2 나노 입자를 포함하되,상기 제1 및 제2 나노 입자들은 서로 인접하여, 서로 전자기적으로 커플링되는 메타 물질 구조체
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14
제 13 항에 있어서,상기 패턴들의 각각은 원기둥 형상을 가지는 메타 물질 구조체
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제 14 항에 있어서,상기 패턴들의 각각의 높이 및 지름은 수 나노미터(nm) 내지 수백 마이크로미터(μm)이고,서로 바로 인접한 상기 패턴들 사이의 거리는 수 나노미터(nm) 내지 수백 마이크로미터(μm)인 메타 물질 구조체
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기판을 제공하는 것; 상기 기판 상에 제1 나노 입자 및 상기 제1 나노 입자와 다른 물질을 포함하는 제2 나노 입자를 포함하는 나노 입자 용액을 제공하는 것; 및스탬프로 상기 나노 입자 용액에 압력을 가하고, 상기 나노 입자 용액을 경화하여 상기 제1 및 제2 나노 입자들을 포함하는 패턴들을 형성하는 것을 포함하되,상기 제1 및 제2 나노 입자들은 서로 인접하여, 서로 전자기적으로 커플링되고,상기 스탬프는 일 면에 요철 구조를 가지고, 상기 패턴들은 상기 스탬프의 상기 요철 구조에 의해 그 형상이 정의되는 메타 물질 구조체의 제조 방법
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17
제 16 항에 있어서,상기 패턴들을 소결(sintering)하여, 상기 제1 및 제2 나노 입자들을 서로 직접 접촉시키는 것을 더 포함하는 메타 물질 구조체의 제조 방법
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18
제 16 항에 있어서,상기 제1 및 제2 나노 입자들의 각각은 그 표면에 결합된 제1 리간드를 포함하되,상기 제조 방법은:상기 패턴들에 리간드 치환(ligand exchange) 공정을 수행하는 것을 더 포함하고, 상기 리간드 치환 공정에 의해, 상기 제1 및 제2 나노 입자들의 각각에 결합된 상기 제1 리간드가 제2 리간드로 치환되고,상기 제2 리간드의 길이는 상기 제1 리간드의 길이보다 짧은 메타 물질 구조체의 제조 방법
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제 18 항에 있어서,상기 리간드 치환 공정은:그 내부에 상기 제2 리간드를 포함하는 치환 용액을 준비하는 단계; 및상기 치환 용액 속에 상기 패턴들을 담그는 단계를 포함하는 메타 물질 구조체의 제조 방법
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20
제 18 항에 있어서,상기 제2 리간드는 SCN-, I-, Br-, Cl-, 또는 OH-을 포함하는 메타 물질 구조체의 제조 방법
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