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제 1 영역 및 제2 영역 중 상기 제 1 영역이 선택적으로 표면 개질된 투명전극을 준비하는 것;제 1 조성물 및 상기 제 1 조성물과 극성이 다른 제 2 조성물을 포함하는 혼합조성물을 준비하는 것; 및상기 투명전극상에 상기 혼합조성물을 도포하는 것을 포함하되,상기 도포된 혼합조성물은 표면 개질된 상기 제 1 영역에 배치되고, 상기 제 1 영역에 배치된 혼합조성물은 제1 조성물층 및 상기 제1 조성물층 상의 제 2 조성물층으로 상분리(phase separation) 되는 투명 전도성 구조체를 포함하는 전자 소자의 제조방법
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제 1 항에 있어서,상기 투명전극을 준비하는 것은,상기 투명전극 상에 개구부가 형성된 마스크를 배치하되, 상기 마스크는 상기 제 2 영역을 덮고; 및상기 마스크에 의해 노출된 상기 투명전극의 표면을 개질하여 상기 제 1 영역을 형성하는 것을 포함하는 투명 전도성 구조체를 포함하는 전자 소자의 제조방법
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제 2 항에 있어서,상기 투명전극의 표면을 개질하는 것은 플라즈마처리, 오존처리, uv광 조사 및 자기조립단분자막(Self assembled monolayer; SAM) 방법 중 적어도 하나를 포함하는 투명 전도성 구조체를 포함하는 전자 소자의 제조방법
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제 2 항에 있어서, 상기 투명전극의 표면을 개질하는 것은 표면개질제를 이용하는 플라즈마 처리를 수행하는 것을 포함하고, 상기 표면개질제는 질소, 산소, 이산화탄소, 산화질소, 수소, 암모니아, 염소(Cl)계 기체, 오존, 헬륨, 아르곤, 네온, 크세논, 퍼플루오르화 기체 및 이들의 혼합물 중 적어도 하나를 포함하는 투명 전도성 구조체를 포함하는 전자 소자의 제조방법
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제 2 항에 있어서,상기 제 1 영역의 표면에너지는 상기 제 2 영역의 표면에너지보다 큰 투명 전도성 구조체를 포함하는 전자 소자의 제조방법
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제 2 항에 있어서,상기 제 1 영역은, 상기 제 2 조성물에 비하여 상기 제 1 조성물과 더 높은 젖음성(wetting)을 갖는 투명 전도성 구조체를 포함하는 전자 소자의 제조방법
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제 1 항에 있어서,상기 혼합조성물은 상기 제 1 조성물 및 상기 제 2 조성물의 물리적 혼합물인 투명 전도성 구조체를 포함하는 전자 소자의 제조방법
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제 7 항에 있어서,상기 제 1 조성물은 전도성 물질 및 제 1 용매를 포함하고, 상기 제 2 조성물은 절연물질 및 제 2 용매를 포함하는 투명 전도성 구조체를 포함하는 전자 소자의 제조방법
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제 8 항에 있어서,상기 전도성 물질은 나노와이어(nanowire), 나노막대(nanorod), 나노스피어(nanosphere) 및 나노링(nanoring) 중 적어도 하나의 형태를 가지는 투명 전도성 구조체를 포함하는 전자 소자의 제조방법
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제 8 항에 있어서,상기 제 1 용매 및 제 2 용매는 서로 다른 극성을 갖는 물질인 투명 전도성 구조체를 포함하는 전자 소자의 제조방법
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제 1 항에 있어서,상기 혼합조성물 도포 후, 열처리공정 또는 UV 노광공정을 수행하는 것을 더 포함하는 투명 전도성 구조체를 포함하는 전자 소자의 제조방법
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제 1 항에 있어서,상기 상분리된 제1 조성물층 및 상기 제 2 조성물층을 경화시키는 것을 더 포함하는 투명 전도성 구조체를 포함하는 전자 소자의 제조방법
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제 1 항에 있어서,상기 투명전극의 일면 상에 유기발광층을 형성하는 것; 및상기 유기발광층 상에 추가 전극을 형성하는 것을 더 포함하되, 상기 유기발광층은 상기 투명 전극 및 상기 추가 전극 사이에 위치하는 투명 전도성 구조체를 포함하는 전자 소자의 제조 방법
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