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고분자 전해질 막 및 그 형성 방법(POLYMER ELECTROLYTE MEMBRANE AND METHOD FOR FABRICATING THE SAME)

  • 기술번호 : KST2018001895
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 고분자 전해질 막 및 그 형성 방법이 제공된다. 상기 고분자 전해질 막은 술폰화된 고분자를 포함하는 고분자 매트릭스 및 상기 고분자 매트릭스 내에 배치되고, 항산화성 화합물이 결합된 그래핀 옥사이드를 포함할 수 있다. 상기 고분자 전해질 막은 향상된 산화 안정성 및 기계적 안정성을 나타낼 수 있다. 상기 고분자 전해질 막 형성 방법은 술폰화된 고분자를 형성하는 단계, 항산화성 화합물이 결합된 그래핀 옥사이드를 형성하는 단계, 상기 술폰화된 고분자와 상기 항산화성 화합물이 결합된 그래핀 옥사이드를 유기 용매에 용해시켜 혼합하는 단계, 및 상기 유기 용매를 제거하여 고분자 전해질 막을 석출시키는 단계를 포함할 수 있다.
Int. CL H01M 8/1027 (2016.09.09) H01M 8/1039 (2016.09.09) H01M 8/1032 (2016.09.09) H01M 8/1046 (2016.09.09)
CPC H01M 8/1027(2013.01) H01M 8/1027(2013.01) H01M 8/1027(2013.01) H01M 8/1027(2013.01) H01M 8/1027(2013.01)
출원번호/일자 1020160101043 (2016.08.09)
출원인 서울대학교산학협력단
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2018-0017344 (2018.02.21) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 공개
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2016.08.09)
심사청구항수 11

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 서울대학교산학협력단 대한민국 서울특별시 관악구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 이종찬 대한민국 서울특별시 서초구
2 김기현 대한민국 서울특별시 용산구
3 배중문 대한민국 대전광역시 유성구
4 임민영 대한민국 대전광역시 서구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 강문호 대한민국 서울특별시 서초구 사평대로 ** (반포동) 우주빌딩 *층(다민특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
최종권리자 정보가 없습니다
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2016.08.09 수리 (Accepted) 1-1-2016-0770445-53
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2017.05.12 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2017.07.10 수리 (Accepted) 9-1-2017-0021634-17
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2017.12.05 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2017-0855086-62
5 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2018.02.05 수리 (Accepted) 1-1-2018-0124486-64
6 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2018.03.05 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2018-0218489-27
7 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2018.03.05 수리 (Accepted) 1-1-2018-0218467-23
8 거절결정서
Decision to Refuse a Patent
2018.07.25 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2018-0505395-35
9 [법정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
2018.08.27 수리 (Accepted) 1-1-2018-0847458-09
10 보정요구서
Request for Amendment
2018.09.04 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2018-0139049-69
11 [출원서등 보정]보정서(납부자번호)
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment(Payer number)
2018.09.13 수리 (Accepted) 1-1-2018-0878682-35
12 법정기간연장승인서
2018.09.13 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2018-0144791-36
13 [명세서등 보정]보정서(재심사)
Amendment to Description, etc(Reexamination)
2018.09.27 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2018-0955070-43
14 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2018.09.27 수리 (Accepted) 1-1-2018-0954969-05
15 거절결정서
Decision to Refuse a Patent
2018.10.11 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2018-0690941-59
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.05.13 수리 (Accepted) 4-1-2019-5093546-10
17 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.05.23 수리 (Accepted) 4-1-2019-5101798-31
18 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.08.02 수리 (Accepted) 4-1-2019-5154561-59
19 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.11.25 수리 (Accepted) 4-1-2020-5265458-48
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
술폰화된 고분자를 포함하는 고분자 매트릭스; 및상기 고분자 매트릭스 내에 배치되고, 항산화성 화합물이 결합된 그래핀 옥사이드를 포함하는 고분자 전해질 막
2 2
제 1 항에 있어서,상기 술폰화된 고분자는 술폰화된 탄화수소계 고분자 또는 술폰화된 과불소계 고분자를 포함하는 것을 특징으로 하는 고분자 전해질 막
3 3
제 2 항에 있어서,상기 술폰화된 탄화수소계 고분자는 술폰화된 폴리(아릴렌 에테르 술폰)(SPAES)를 포함하는 것을 특징으로 하는 고분자 전해질 막
4 4
제 3 항에 있어서,상기 술폰화된 폴리(아릴렌 에테르 술폰)의 DS(술폰화도; degree of sulfonation) 값은 30-80의 범위 내에 있는 것을 특징으로 하는 고분자 전해질 막
5 5
제 2 항에 있어서,상기 술폰화된 과불소계 고분자는 하기 화학식 2를 갖는 것을 특징으로 하는 고분자 전해질 막
6 6
제 1 항에 있어서,상기 항산화성 화합물은 입체장애 페놀, 입체장애 아민, 및 이들의 유도체 중에서 선택된 하나 또는 둘 이상을 포함하는 것을 특징으로 하는 고분자 전해질 막
7 7
제 6 항에 있어서,상기 입체장애 페놀 및 상기 입체장애 페놀의 유도체는 페놀의 오쏘 또는 파라 위치에 입체장애를 유도하는 치환기를 포함하는 것을 특징으로 하는 고분자 전해질 막
8 8
제 7 항에 있어서,상기 입체장애 페놀의 유도체는 티라민, 티로신, 도파민, 및 카페산 중에서 선택된 하나 또는 둘 이상을 포함하는 것을 특징으로 하는 고분자 전해질 막
9 9
제 6 항에 있어서,상기 입체장애 아민 및 상기 입체장애 아민의 유도체는 치환기를 갖는 고리 구조를 포함하는 것을 특징으로 하는 고분자 전해질 막
10 10
술폰화된 고분자를 형성하는 단계;항산화성 화합물이 결합된 그래핀 옥사이드를 형성하는 단계;상기 술폰화된 고분자와 상기 항산화성 화합물이 결합된 그래핀 옥사이드를 유기 용매에 용해시켜 혼합하는 단계; 및상기 유기 용매를 제거하여 고분자 전해질 막을 석출시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 고분자 전해질 막의 형성 방법
11 11
제 10 항에 있어서,상기 술폰화된 고분자는 술폰화된 탄화수소계 고분자 또는 술폰화된 과불소계 고분자를 포함하는 것을 특징으로 하는 고분자 전해질 막의 형성 방법
12 12
제 11 항에 있어서,상기 술폰화된 탄화수소계 고분자는,4,4'-디히드록시바이페닐(4,4'-dihydroxybiphenyl), 4,4'-디클로로디페닐술폰(4,4'-dichlorodiphenylsulfone), 및 3,3'-디술포네이트-4,4'-디클로로디페닐술폰(3,3'-disulfonate-4,4'-dichlorodiphenylsulfone)의 축합중합으로 형성되는 것을 특징으로 하는 고분자 전해질 막의 형성 방법
13 13
제 11 항에 있어서,상기 술폰화된 과불소계 고분자는 하기 화학식 2를 갖는 것을 특징으로 하는 고분자 전해질 막의 형성 방법
14 14
제 11 항에 있어서,상기 술폰화된 과불소계 고분자는 술포닐 산 플루오라이드(sulfonyl acid fluoride)에서 테트라플루오로에틸렌(tetrafluoroethylene)과 퍼플루오로(알킬 비닐 에테르)(perfluoro(alkyl vinyl ether)의 공중합으로 형성되는 것을 특징으로 하는 고분자 전해질 막의 형성 방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
순번, 연구부처, 주관기관, 연구사업, 연구과제의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 국가R&D 연구정보 정보 표입니다.
순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 미래창조과학부 서울대학교 기후변화대응기술개발사업 고분자 연료전지 MEA용 장수명 비과불화탄소계 전해질막 개발