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저온소결 산화물과 반도체 나노입자가 결합된 다중 센서 어레이 및 이의 제조 방법(Multi sensor array including low temperature sintering oxide and semiconductor nano particle and method thereof)

  • 기술번호 : KST2018001945
  • 담당센터 : 서울서부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-6124-6930
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 저온소결 산화물과 반도체 나노입자가 결합된 다중 센서 어레이 및 이의 제조 방법을 개시한다. 본 발명에 따르면, 다중 센서 어레이 제조 방법으로서, 기판 상에 n개의 게이트 전극을 형성하는 단계, 상기 n개의 게이트 전극 상에 n개의 게이트 절연층을 형성하는 단계, 상기 n개의 게이트 절연층 상에 n개의 채널층을 형성하는 단계, 상기 n개의 채널층 각각에 서로 다른 종류 또는 사이즈의 나노입자를 갖도록 선택적으로 패터닝된 나노입자 박막을 형성하는 단계를 포함하는 다중 센서 어레이 제조 방법이 제공된다.
Int. CL G01N 27/414 (2006.01.01) H01L 29/06 (2006.01.01) H01L 29/66 (2006.01.01) H01L 29/10 (2006.01.01) H01L 21/56 (2006.01.01)
CPC
출원번호/일자 1020170098510 (2017.08.03)
출원인 중앙대학교 산학협력단
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2018-0018996 (2018.02.22) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보 대한민국  |   1020160101920   |   2016.08.10
법적상태 거절
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2017.08.03)
심사청구항수 3

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 중앙대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 동작구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 박성규 대한민국 경기도 안양시 동안구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 최관락 대한민국 서울특별시 강남구 강남대로**길 ** (역삼동) 동림빌딩 *층(아이피즈국제특허법률사무소)
2 송인호 대한민국 서울특별시 강남구 강남대로**길 ** (역삼동) 동림빌딩 *층(아이피즈국제특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
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번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2017.08.03 수리 (Accepted) 1-1-2017-0750645-54
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2017.12.12 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2018.02.06 수리 (Accepted) 9-1-2018-0005129-20
4 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2018.07.04 수리 (Accepted) 4-1-2018-5125629-51
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2018.09.11 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2018-0619691-30
6 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)		 2018.11.12 수리 (Accepted) 1-1-2018-1119248-10
7 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2018.12.11 수리 (Accepted) 1-1-2018-1243124-99
8 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2018.12.11 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2018-1243125-34
9 최후의견제출통지서
Notification of reason for final refusal		 2019.01.11 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2019-0028463-76
10 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2019.03.11 수리 (Accepted) 1-1-2019-0248675-06
11 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2019.03.11 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2019-0248676-41
12 거절결정서
Decision to Refuse a Patent		 2019.05.29 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2019-0383572-26
13 [법정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
 2019.07.01 수리 (Accepted) 1-1-2019-0670076-00
14 보정요구서
Request for Amendment		 2019.07.12 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2019-0114555-65
15 [출원서 등 보정]보정서(납부자번호)
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment(Payer number)		 2019.07.23 수리 (Accepted) 1-1-2019-0715081-17
16 법정기간연장승인서
 2019.07.24 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2019-0121790-42
17 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.07.29 수리 (Accepted) 4-1-2019-5151122-15
18 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.08.01 수리 (Accepted) 4-1-2019-5153932-16
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
다중 센서 어레이 제조 방법으로서, 기판 상에 n개의 게이트 전극을 형성하는 단계; 상기 n개의 게이트 전극 상에 n개의 게이트 절연층을 형성하는 단계; 상기 n개의 게이트 절연층 상에 n개의 채널층을 형성하는 단계; 상기 n개의 채널층 각각에 서로 다른 종류 또는 사이즈의 나노입자를 갖도록 선택적으로 패터닝된 나노입자 박막을 형성하는 단계를 포함하는 다중 센서 어레이 제조 방법
2 2
제1항에 있어서, 상기 n개의 채널층 각각에 형성된 나노입자 박막은 서로 다른 파장의 광을 감지하기 위해 서로 다른 종류 또는 사이즈를 갖는 양자점을 포함하는 다중 센서 어레이 제조 방법
3 3
제1항에 있어서, 상기 n개의 채널층 각각에 형성된 나노입자 박막은 탄소원자를 기본으로 하는 탄소계 물질인 카본나노튜브(carbon nanotube), 그래핀(graphene), 퓰러린(fullerene)과 같은 반도체 물질과 도체 물질의 혼합물을 패터닝하여 형성되는 다중 센서 어레이 제조 방법
4 4
제1항에 있어서, 상기 나노입자 박막의 형성 단계는, 진공 증착방식이나 스핀 코팅, 딥코팅(Dip coating), 스프레이 코팅 (Spray coating), 트랜스퍼 프린팅 (Transfer Printing)
5 5
제1항에 있어서, 상기 채널층은 인듐-갈륨-징크-옥사이드(IGZO) 채널층인 다중 센서 어레이 제조 방법
6 6
기판;상기 기판 상에 형성된 n개의 게이트 전극;상기 n개의 게이트 전극 상에 형성된 n개의 게이트 절연층;상기 n개의 게이트 절연층 상에 형성된 n개의 채널층 및 상기 n개의 채널층 각각에 서로 다른 종류 또는 사이즈의 나노입자를 갖도록 선택적으로 패터닝된 나노입자 박막을 포함하는 다중 센서 어레이
7 7
제6항에 있어서, 상기 n개의 채널층은 서로 다른 채널 길이를 갖는 다중 센서 어레이
8 8
제7항에 있어서, 상기 n개의 채널층 각각의 상대적 채널 길이는 2n(n은 0 이상의 정수)로 이루어지는 다중 센서 어레이
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 산업통상자원부 중앙대학교 산학협력단 산업기술혁신사업 발색·발광·검지 소자를 위한 테트라피롤계 소재개발