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튜브;상기 튜브 내에 제공되며, 외부에서 인가된 전원으로 플라스마를 발생시키는 플라스마 발생부; 및상기 튜브 내에 위치하고, 상기 플라스마 발생부에서 발생한 플라스마에 포함된 라디칼들이 통과하는 촉매 필터를 포함하되,상기 촉매 필터는,구조체; 및상기 구조체의 표면에 도포된 금속 입자를 포함하는 플라스마 발생 장치
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제1항에 있어서,상기 구조체는 그물망 구조로 형성되는 플라스마 발생 장치
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제1항에 있어서,상기 구조체는 전이금속산화물로 형성되는 플라스마 발생 장치
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제3항에 있어서,상기 전이금속산화물은 망간(Mn) 및 구리(Cu)와 코발트(Co), 크롬(Cr), 세륨(Ce) 그리고 철(Fe) 중에서 적어도 어느 하나로 형성되는 플라스마 발생 장치
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제1항에 있어서,상기 금속 입자의 크기는 10~100nm인 플라스마 발생 장치
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제1항에 있어서,상기 금속 입자는 Pt, Pd, Au, Ru, Fe2O3, MnOx, TiO2, NiO 그리고 Co3O4 중에서 적어도 어느 하나로 형성되는 플라스마 발생 장치
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제1항에 있어서,상기 튜브의 말단에서 제공되는 UV 램프를 포함하는 플라스마 발생 장치
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제7항에 있어서,상기 UV 램프에서 제공되는 UV는 파장 범위가 320~400nm에 포함되는 플라스마 발생 장치
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제1항에 있어서,상기 플라스마 발생부는,유연한 재질의 유전체 필름; 및상기 유전체 필름의 양면에 제공되는 전극을 포함하는 플라스마 발생 장치
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제9항에 있어서,상기 유전체 필름은 탄소 및 수소를 포함하는 플라스마 발생 장치
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제9항에 있어서,상기 유전체 필름은 염소 또는 불소를 포함하지 않는 폴리머 재질인 플라스마 발생 장치
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제1항에 있어서,상기 튜브와 연결되며, 공기 또는 공기 및 수분을 포함하는 소스 가스를 공급하는 소스 가스 공급부를 포함하는 플라스마 발생 장치
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제1항에 있어서,상기 촉매 필터가 복수 개 병렬 배치되는 플라스마 발생 장치
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튜브 내에 소스 가스를 공급하는 단계;상기 튜브 내에 위치하는 플라스마 발생부에 전원을 인가하여 상기 소스 가스를 플라스마로 여기시키는 단계; 및상기 플라스마에 포함된 라디칼들이 촉매 필터를 통과하는 단계를 포함하되,상기 촉매 필터는 표면에 금속 입자들이 도포된 구조체를 포함하는 플라스마 발생 방법
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제14항에 있어서,상기 촉매 필터를 통과하여 상기 튜브에서 배출되는 가스는 대기 중에 포함된 이산화탄소보다 이산화탄소의 함량이 높은 플라스마 발생 방법
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