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고분자 초박막, 및 이의 제조방법(Ultrathin polymer, and method for preparing the same)

  • 기술번호 : KST2018002039
  • 담당센터 : 대구기술혁신센터
  • 전화번호 : 053-550-1450
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 하기 화학식 1로 표시되는 화합물을 포함하는 조성물을 중합하여 형성된 고분자 초박막 및 이의 제조방법에 관한 것이다.[화학식 1](상기 화학식 1에서, X1은 π-전자의 수가 4n+2개이고 평면 구조를 가지는, 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 54의 방향족기, 또는 N, O 및 S에서 선택되는 하나 이상의 헤테로원자를 함유하는 치환 또는 비치환된 탄소수 3 내지 54의 헤테로방향족기이며; Y1은 티오페닐기, 퓨라닐기, 피롤릴기, 아미노페닐기 또는 포밀페닐기이며; m은 3 내지 10의 정수이며; n은 1 내지 13의 정수이다.)
Int. CL C08G 61/12 (2016.09.09) C08J 5/18 (2016.09.09) C08G 75/0209 (2016.09.09) C08G 75/025 (2016.09.09) H01L 21/70 (2016.09.09) H01L 45/00 (2016.09.09)
CPC C08G 61/12(2013.01) C08G 61/12(2013.01) C08G 61/12(2013.01) C08G 61/12(2013.01) C08G 61/12(2013.01) C08G 61/12(2013.01) C08G 61/12(2013.01)
출원번호/일자 1020160101987 (2016.08.10)
출원인 기초과학연구원, 포항공과대학교 산학협력단
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2018-0017720 (2018.02.21) 문서열기
공고번호/일자 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2017.08.18)
심사청구항수 16

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 기초과학연구원 대한민국 대전광역시 유성구
2 포항공과대학교 산학협력단 대한민국 경상북도 포항시 남구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김기문 대한민국 경상북도 포항시 남구
2 백강균 대한민국 경상북도 포항시 남구
3 인드라닐 로이 인도 대한민국 ***** 경상북도 포항시

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인 플러스 대한민국 대전광역시 서구 한밭대로 ***번지 (둔산동, 사학연금회관) **층

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 기초과학연구원 대전광역시 유성구
2 포항공과대학교 산학협력단 경상북도 포항시 남구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2016.08.10 수리 (Accepted) 1-1-2016-0777998-97
2 [심사청구]심사청구(우선심사신청)서
[Request for Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)
2017.08.18 수리 (Accepted) 1-1-2017-0797456-66
3 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2018.01.24 수리 (Accepted) 4-1-2018-5013866-16
4 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2018.05.09 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
5 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2018.07.09 수리 (Accepted) 9-1-2018-0033465-57
6 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2018.07.12 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2018-0473223-17
7 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2018.09.11 수리 (Accepted) 1-1-2018-0901410-75
8 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2018.09.11 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2018-0902182-27
9 등록결정서
Decision to grant
2019.01.04 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2019-0013125-19
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.11.20 수리 (Accepted) 4-1-2019-5243581-27
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.11.22 수리 (Accepted) 4-1-2019-5245997-53
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.11.25 수리 (Accepted) 4-1-2019-5247115-68
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
하기 화학식 1로 표시되는 화합물을 포함하는 조성물을 중합하여 형성된 고분자 초박막
2 2
제 1항에 있어서,상기 화학식 1에서, X1은 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 54의 다환 방향족기, 또는 하기 화학식 3으로 표시되는 유닛, 화학식 4로 표시되는 유닛, 또는 이들의 혼합 유닛을 하나 이상 포함하여 π-공액 구조의 고리를 이루는 치환 또는 비치환된 탄소수 3 내지 54의 헤테로방향족기인 고분자 초박막
3 3
제 1항에 있어서,상기 조성물은 하기 화학식 2로 표시되는 화합물을 더 포함하는 고분자 초박막
4 4
제 1항에 있어서,상기 고분자 초박막의 두께는 0
5 5
제 1항에 있어서,상기 고분자 초박막의 투명도는 95% 이상인 고분자 초박막
6 6
하기 화학식 1로 표시되는 화합물을 포함하는 조성물을 중합하여 고분자 초박막을 제조하는 단계를 포함하는 고분자 초박막의 제조방법
7 7
제 6항에 있어서,상기 단계는, a) 상기 화학식 1로 표시되는 화합물을 포함하는 조성물을 기판 상에 도포하는 단계; 및 b) 조성물이 도포된 기판을 촉매 용액에 침지하여 고분자 초박막을 중합하는 단계;를 포함하여 수행되는 고분자 초박막의 제조방법
8 8
제 7항에 있어서,상기 a) 단계의 기판은 표면에 패턴화된 마스크가 부착된 것인 고분자 초박막의 제조방법
9 9
제 7항에 있어서,상기 b)단계의 촉매는 전이금속계 촉매인 고분자 초박막의 제조방법
10 10
제 9항에 있어서,상기 전이금속계 촉매는 FeCl3, Fe(ClO4)2, Cu(ClO4)2, 또는 이들의 수화물인 고분자 초박막의 제조방법
11 11
제 9항에 있어서,상기 촉매는 화학식 1로 표시되는 화합물 총 몰수에 대하여, 0
12 12
제 7항에 있어서,상기 b) 단계는 10~80℃의 온도에서 1시간 내지 5일 동안 수행되는 고분자 초박막의 제조방법
13 13
제 6항에 있어서,상기 조성물은 하기 화학식 2로 표시되는 화합물을 더 포함하는 고분자 초박막의 제조방법
14 14
제 6항에 있어서,상기 고분자 초박막의 두께는 0
15 15
제 1항 내지 제 5항에서 선택되는 어느 한 항의 고분자 초박막을 포함하는 활성층을 포함하는 비휘발성 메모리 소자
16 16
제 15항에 있어서,상기 비휘발성 메모리 소자는 하기 관계식 1을 만족하는 비휘발성 메모리 소자
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.