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나노부유구조의 다중센서의 제조방법에 있어서, 실리콘 기판과 하부 절연층 및 반도체 채널층이 적층되어 형성된 반도체 기판에 적어도 한 세트의 소스 및 드레인 배열을 형성하고 상기 소스 및 드레인 배열의 사이에 나노부유구조 채널을 포함하는 복수 개의 단위센서를 형성하여 센서의 몸체를 형성하는 센서몸체 형성단계;상기 실리콘 기판의 하부를 식각하여 하부 미세유체채널을 형성하는 하부 미세유체채널 형성단계;상기 하부 절연층을 식각하여 상기 나노부유구조 채널과 상기 하부 미세유체채널을 서로 연결시키는 하부 미세유체채널 연결단계;상기 소스 및 드레인 배열과 상기 반도체 기판에 전극층을 형성하는 전극층 형성단계;상기 소스 및 드레인 배열영역의 전극과 미세유체를 전기적으로 절연시키기 위해 상부 절연층을 형성하는 상부 절연층 형성단계;상기 상부 절연층 위에 상부 지지층을 형성하여 상부 미세유체채널을 형성하는 상부 미세유체채널 형성단계;상기 나노부유구조 채널에 표적물질을 포획할 수 있는 수용물질을 단위 센서 단위로 순차적으로 부착하는 수용물질 부착단계;상기 실리콘 기판 아래에 하부 기판을 부착하고 상기 상부 지지층 위에 상부 기판을 부착하는 상부 및 하부 기판 부착단계;상기 상부 기판 또는 상기 하부 기판에 적어도 하나의 미세유체채널 입구 및 적어도 하나의 미세유체채널 출구를 형성하는 입구 및 출구 형성단계;를 포함하되,상기 복수 개의 단위센서와 상기 하부 미세유체채널 및 상기 상부 미세유체채널의 제조공정이 일원화된 것을 특징으로 하는 나노부유구조의 다중센서의 제조방법
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제 14항에 있어서, 상기 입구 및 출구 형성단계는상기 상부 기판에 상기 미세유체채널 입구를 형성하고 상기 하부 기판에 상기 미세유체채널 출구를 형성하거나,상기 상부 기판에 상기 미세유체채널 출구를 형성하고 상기 하부 기판에 상기 미세유체채널 입구를 형성하거나,상기 상부 기판에 상기 미세유체채널 입구 및 상기 미세유체채널 출구를 모두 형성하거나,상기 하부 기판에 상기 미세유체채널 입구 및 상기 미세유체채널 출구를 모두 형성하는 것을 특징으로 하는 나노부유구조의 다중센서의 제조방법
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제 14항에 있어서, 상기 센서몸체 형성단계는,상기 소스 및 드레인의 전기전도도를 향상하기 위해 불순물을 주입하는 불순물 주입 단계를 더 구비하며,상기 불순물 주입단계에서는 상기 단위 센서 별로 각 소스 및 드레인 배열마다 해당 단위 센서 별로 포획되는 상기 표적물질의 전기화학적 특성에 따라 n형 또는 p형으로 도핑하거나 진성(intrinsic)으로 구현하는 것을 특징으로 하는 나노부유구조의 다중센서의 제조방법
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제 14항에 있어서, 상기 하부채널연결단계는상기 표적물질을 포함하는 유체가 상기 나노부유구조 채널에 대해 수직방향으로 통과할 수 있도록 상기 나노부유구조 채널과 상기 하부 미세유체채널을 수직방향으로 연결하는 단계인 것을 특징으로 하는 나노부유구조의 다중센서의 제조방법
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제 14항에 있어서, 상기 전극층 형성단계 이후, 수중게이트를 형성하는 수중게이트 형성단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 나노부유구조의 다중센서의 제조방법
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제 14항에 있어서, 상기 하부 미세유체채널 연결단계이후,적어도 하나의 상기 나노부유구조 채널 표면에 게이트 절연층을 형성하는 게이트 절연층 형성단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 나노부유구조의 다중센서의 제조방법
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제 19항에 있어서, 상기 수용물질 부착단계는,상기 게이트 절연층에 상기 수용물질을 부착하는 단계인 것을 특징으로 하는 나노부유구조의 다중센서의 제조방법
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